Создание топологической ячейки (Layout Cellview).
Перед запуском Cadence необходимо скопировать из директории /home/cdsmgr/cdslocal/AM105 к себе в директорию технологический файл.
>cd ~
>cp /home/cdsmgr/cdslocal/AM105/display.drf
Для запуска программ топологического проектирования можно воспользоваться следующими директивами:
>icms &
>icfb &
После подключения программ на экране появится окно командного интерпритатора (Command Interface Window) CIW. Далее для создания новой технологической ячейки можно открыть
ToolsLibrary ManagerFileNewCellview
В появившемся окне ввести имя библиотеки (Library Name), имя ячейки (Cell Name) и выбрать тип ячейки для топологии - layout
Топологический редактор Virtuoso Editing и работа с окном задания и выбора маскирующих слоев Layer Selection Window (lsw)
При правильном создании файла на экране появятся два окна.
В
окне LSW
осуществляется выбор различных слоев
для выполнения топологии. Программа
Virtuoso
будет также использовать выбранные в
LSW
слои для
редактирования. Это окно также определяет
какой слой будет видимым и какой слой
будет выбран активным. Слой выбирается
просто склевыванием нужного слоя.
Virtuoso
является
топологическим редактором Cadence.
Можно вводить фигуры с помощью иконок,
находящихся с левой стороны, а можно
с помощью меню Edit.
Информация
координат высвечивается в верхнем
табло в микронах по X
и Y.
Для отказа от выполняемой операции
используется клавиша
Esc.
Прорисовка N-МОП транзистора.
Из описания схемы нам известно, что N-МОП транзистор имеет ширину канала 1.2 мкм. Ширина транзистора совпадает с шириной активной области и с шириной канала соответственно. Для создания активной области транзистора выбираем n-диффузионный слой и рисуем ограничивающий прямоугольник (rectangl).
Выбираем cлой nactive в окне LSW.
В окне Virtuoso в меню Create выбираем прямоугольник (Rectangle)
Create Rectangle
После выбора типа фигуры прорисовки выбираем первый угол прямоугольника в окне топологии (можно выбрать любую точку в окне), склевываем ее одним кликом и затем передвигаем курсор в другую позицию, соответствующую размеру прямоугольника 1.4мкм на 0.4мкм. Еще раз подчеркиваем что все единицы по умолчанию в микронах. Для простоты прорисовки топологии сетку экрана устанавливают равной (ламбда).
Поликремниевый затвор.
Следующий шаг это выполнение поликремниевого затвора. Введем вертикальный прямоугольник поликремния для создания канала. Отметим, сто длина канала транзистора определяется шириной этого прямоугольника.
1. Выберем слой poly из окна LSW.
2. В окне Virtuoso из меню Misc выберем Ruler
Misc Ruler
Ruler очень полезная функция. Поскольку необходимо точно измерять перекрытия поликремнием диффузионной области, то вводят точку отсчета, совпадающую с углом диффузионной области. Тогда одна координата будет показывать горизонтальный размер нахождения затвора, а вторая координата покажет минимальное перекрытие поликремнием, составляющее 0.2мкм.
Прорисовка прямогольника поликремния размером 0.2 мкм на 0.8мкм.
