Рекомендации по улучшению топологии спроектированного нами буфера.
Наилучшим решением является проект, который бы при достаточно высоких характеристиках занимал бы минимальную площадь. Как уже говорилось в курсовом проекте, спроектированный нами буфер имел площадь на 20% большую, чем аналогичный американский. Это связано с тем, что p-канальный транзистор с учетом ограничений не влезал в область кармана (максимальная ширина транзистора, влезающего в карман, 2.94мкм, а у нашего буфера p-канальные транзисторы имеют ширину 3мкм). Если же пренебречь двумя процентами ширины, и попробовать уложиться в площадь, аналогичную американской, то получится ситуация, при которой входной и выходной контакты не удается разместить в узлах трассировочной сетки. Однако здесь можно прибегнуть к некоторым ухищрениям, а именно: располагать контакты к n- и p- диффузионным областям не равномерно по всей ширине, а частично (например, для p-области оставить только часть верхних). При этом освобождается место для размещения контактов в узлах трассировочной сетки, а также для дополнительных линий металлизации. Однако равномерности распределения токов в диффузионной области уже не будет, а следовательно, паразитные параметры могут ухудшиться. Но если последнее окажется незначительным, тогда вполне вероятно, что получится буфер с более удачными характеристиками, чем аналогичный американский, при той же площади.