Ермишина / Описания л. р. КиТ РЭС ч.1 / Микросборка (лаб.1,2) / Album_V_1_5_dlya_pechati
.pdfАльбом схем для типового расчета по дисциплине |
|
«Основы конструирования и технологии производства РЭС» |
201 |
Рис. 98 Синтезатор частоты УКВ радиостанции
Альбом схем для типового расчета по дисциплине |
|
«Основы конструирования и технологии производства РЭС» |
202 |
99.Трансвертер на 430 МГц
Условия эксплуатации:
Трансвертер рассчитан на работу в условиях умеренного климата: -диапазон температур -300С…+500С, возможные суточные колебания
-устройство должно функционировать при экстремальной температуре -300С -при влажности до 75 % -устройство может подвергаться тряске и оседанию пыли -условия производства –серийное
Трансвертер рассчитан на работу с KB трансивером, имеющим диапазоны 21 или 28 МГц. Принципиальная схема трансвертера изображена на рисунке 99. Он состоит из приемного (транзисторы V11 - V13) и передающего (V1 - V5) трактов и общего для них гетеродина (V6V10).
Гетеродин - пятикаскадный. Автогенератор выполнен на транзисторе V6. Кварцевый резонатор В1 7611,1 кГц (7481.5 кГц) (здесь и далее в скобках указаны частоты при использовании трансивера на диапазон 28 МГц.) возбуждается на третьей механической гармонике. С автогенератора ВЧ напряжение поступает на цепочку умножителей (утроитель на транзисторе V7, удвоитель на V8 и утроитель на V9). Сигнал частотой 411 МГц (404 МГц) с последнего умножителя поступает на усилитель (транзистор V10), а с него - в приемный и передающий тракты.
Приемный тракт содержит двухкаскадный усилитель ВЧ (транзисторы V11, V12) и смеситель на транзисторе V13. Амплитудно-частотную характеристику тракта в основном формируют полосовой фильтр L20C50C51L21C52 и контур
L22C56.
Передающий тракт начинается со смесителя, выполненного на транзисторе V5. С выхода смесителя сигнал с уровнем около 2 мВт через полосовой фильтр L9C15C16L10C17 поступает на четырехкаскадный усилитель (V4 - V1) с суммарным коэффициентом усиления 33...34 дБ. Первые два каскада (на транзисторах V4 и V3) работают в режиме класса А и усиливают сигнал до 100 мВт. Два других каскада работают в режиме класса АВ. Транзистор V2 усиливает сигнал примерно до 1 Вт, а транзистор V1 - до 5 Вт.
Ссылка на источник: http://www.rlocman.ru/shem/schematics.html?di=32595
Альбом схем для типового расчета по дисциплине |
|
«Основы конструирования и технологии производства РЭС» |
203 |
Рис.99 Трансвертер на 430 МГц
Альбом схем для типового расчета по дисциплине |
|
«Основы конструирования и технологии производства РЭС» |
204 |
100 .Усилитель мощности на комплементарных транзисторах
Условия эксплуатации:
Усилитель рассчитан на работу в условиях умеренного климата:
-диапазон температур -300 С…+500 С, возможные суточные колебания
-устройство должно функционировать при экстремальной температуре -300С -при влажности до 85 % -устройство может подвергаться тряске и оседанию пыли
-устройство может подвергаться вибрациям -условия производства –серийное
Принципиальная схема усилителя показана на рис.100. Он содержит дифференциальный каскад на комплементарных транзисторах (VT1, VT4, VT2, VT5), каскад усиления сигнала по напряжению [VT7, VT8), выходной каскад (VTIOVТ13, VT15, VT16) и устройство защиты от перегрузок по току (VT14, VT17). Дифференциальный входной каскад на комплементарных транзисторах имеет дополнительное преимущество по сравнению с обычным: при равенстве базовых токов транзисторов VT1 и VT2 (VT4 и VT5) через резисторы R2 и R3 и через резистор R30 ток может вообще не протекать. Это позволяет, не нарушая балансировки каскада, изменять сопротивление этих резисторов в довольно больших пределах. Чтобы увеличить коэффициент передачи по напряжению и улучшить линейность при высокой термостабильности, в эмиттерные цепи транзисторов дифференциального каскада включены источники тока на транзистора VT3 и VT6. Каскад усиления по напряжению выполнен на комплементарной паре транзисторов VT7 и VT8, работающих в режиме А. Плечи выходного каскада содержат по три транзистора VT10, VT12, VT15 (VT11, VT13, VT16}, охваченных местной ООС через резисторы R25 и R29 (и соответственно R26 и R31). При этом коэффициент усиления по напряжению каждой тройки транзисторов приближается к трем. Местная ООС позволяет также уменьшить разброс в коэффициентах усиления плеч выходного каскада, что снижает требование к идентичности параметров комплементарных транзисторов.
Ссылка на источник: http://electronic.vladbazar.com/
Альбом схем для типового расчета по дисциплине |
|
«Основы конструирования и технологии производства РЭС» |
205 |
Усилитель мощности на комплементарных |
транзисторах |
Рис. 100 |
|