Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
DIPLOM1 / DOC / SENYAF~1.DOC
Скачиваний:
28
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
143.87 Кб
Скачать

Маршрут изготовления бпт по технологии

ИЗОПЛАНАР ”.

ОПЕРАЦИЯ

РЕЖИМ

1. ВХОДНОЙ КОНТРОЛЬ

ПОДЛОЖКА-КДБ-10, ОРИЕНТАЦИЯ (111), СО­ПРОТИВЛЕНИЕ

10 Ом*см

  1. ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ПОДЛОЖКИ:

а) ПООЧЕРЁДНАЯ ОТМЫВКА В ТОЛУОЛЕ , АМИЛАЦЕТАТЕ , АЦЕТОНЕ И ЭТИЛОВОМ СПИРТЕ ПО 5 МИН.

б) НАГРЕВ ДО КИПЕНИЯ

в) УЛЬТРАЗВУКОВАЯ ОЧИСТКА В ПОРЦИИ ЧИСТОГО РАСТВОРИТЕЛЯ

г) ТО ЖЕ В ДЕИОНИЗОВАННОЙ ВОДЕ

д) ПРОМЫВКА В ПЛАВИКОВОЙ КИСЛОТЕ

е) КИПЯЧЕНИЕ В ДЕИОНИЗОВАННОЙ ВОДЕ

ж) КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ОЧИСТКИ

  1. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА

Т=1000 °С , ПАР , Х=0,3 мкм , 2 часа

4. ФОТОЛИТОГРАФИЯ 1 ПО SiO2

а) ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ

б) НАНЕСЕНИЕ И СУШКА ФОТОРЕЗИСТА

в) СОВМЕЩЕНИЕ И ЭКСПОНИРОВАНИЕ

г) ПРОЯВЛЕНИЕ

КОНТРОЛЬ ПОЛНОТЫ ПРОЯВЛЕНИЯ РИСУНКА

д) ЗАДУБЛИВАНИЕ

ДЛЯ СОЗДАНИЯ СКРЫ­ТОГО СЛОЯ

  1. ТРАВЛЕНИЕ ОКОН ПОД СКРЫТЫЙ СЛОЙ

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПОЛНОТЫ ВСКРЫТИЯ ОКОН

РАСТВОР HF , X=0,65 мкм

  1. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА УДАЛЕНИЯ Ф/Р

РАСТВОРЕНИЕ ПЛЁНКИ Ф/Р В КИПЯЩЕЙ H2SO4 (2-3 РАЗА ПО 5-10 МИН)

7. ХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА

8. 1 СТАДИЯ ДИФФУЗИИ Sb ( ЗАГОНКА )

T=900°C , Ns=5*1019 см-3, влажный O2, t=40 мин

ОБРАЗУЕТСЯ СУРЬ­МЯНО-СИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО

  1. УДАЛЕНИЕ ОКСИДА , КОНТРОЛЬ Rs , Xj

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА УДАЛЕНИЯ

раствор HF

10. 2 СТАДИЯ ДИФФУЗИИ ( РАЗГОНКА )

T=1100°C , Xj>4 мкм , СУ­ХОЙ О2 , N2 , Xок =0,2 мкм , конц. в скрытом слое Nсс=1020см-3

11. УДАЛЕНИЕ ОКСИДА , КОНТРОЛЬ Rs , Xj И МАСКИ

12. ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

H2O2 , NH4OH, H2O, 15мин, 25°C

  1. ВЫРАЩИВАНИЕ n-ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ . [ SiCl4+H2 +AsH3 ]

а) ГАЗОВОЕ ТРАВЛЕНИЕ С ПОМОЩЬЮ HCl НА 1-2 МКМ,

ПРОДУВКА H2

б) СНИЖЕНИЕ Т ДО РАБОЧЕГО ЗНАЧЕНИЯ,ПОДАЧА

СМЕСИ , ПРОДУВКА H2

в) ПОДАЧА СМЕСИ CO2 , SiCl4 , H2 И ОСАЖДЕНИЕ

ОКИСНОЙ ПЛЁНКИ , ПРОДУВКА H2

г) ОХЛАЖДЕНИЕ В ПОТОКЕ H2

д) ПРОДУВКА N2 , РАЗГЕРМЕТИЗАЦИЯ , ВЫГРУЗКА

е) КОНТРОЛЬ dэп , rэп , ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ,Nду

ХЛОРИДНЫЙ ПРОЦЕСС , T=1150°C , dэс=2,5 мкм , rэс=1 ОМ *см

  1. ОКИСЛЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЁНКИ

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА

T=1100°C , X=60 нм ,

40 мин , сухой O2

  1. ОСАЖДЕНИЕ Si3N4 ИЗ ПГС

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ СЛОЯ Si3N4

SiH4 + NH3 , T=750°C, XN=0,4 мкм

16. ФЛ 2 (для создания изоляции)

СМ. П.4

17. ТРАВЛЕНИЕ Si3N4 ДО SiO2 В КИПЯЩЕЙ H3PO4

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ТРАВЛЕНИЯ

XN=0,4 мкм

  1. ТРАВЛЕНИЕ SiO2 В РАСТВОРЕ HF

а) ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОТМЫВКА

б) ТРАВЛЕНИЕ

в) ПРОМЫВКА ПЛАСТИН ПОСЛЕ ТРАВЛЕНИЯ

г) КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ПОСЛЕ

ТРАВЛЕНИЯ

X=0,05 мкм

19. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА , ХИМИЧЕ­СКАЯ ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

20. ПХТ Si НА 0,5 ТОЛЩИНЫ ЭС ДЛЯ Р+-ОХРАНЫ

dэп=0,9 мкм

21. OЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ

22. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ БОРОМ В КА­НАВКАХ , КОНТРОЛЬ rs , Xj

T=900°C, Ns=1020 см-3 ,E=40 кэВ , D=10мкКл/cм2

  1. ГЛУБОКОЕ ЛОКАЛЬНОЕ ОКИСЛЕНИЕ

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА

T=1000°C, 18 часов

O2+ПАР ,Si3N4®SiNO

24. УДАЛЕНИЕ SiNO ПЛАВИКОВОЙ К-ТОЙ , КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ

25. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ SiO2 ИЗ ГА­ЗОВОЙ ФАЗЫ

SiH4+O2 , T=1050°C,

10/20/10 мин

сух/влажн/сух. O2

26. ФЛ 3 (для вскрытия окон базы )

9 мин, HF/H2O : 1/10

27. ТРАВЛЕНИЕ ОКОН В SiO2

НА ВСЮ ТОЛЩИНУ ОКИСЛА

  1. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ БАЗЫ БОРОМ

КОНТРОЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ RS , XJ

Е=40 кэВ, Ns=1018см-3

29. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ХИМОЧИ­СТКА

30. ОТЖИГ (РАЗГОНКА) БАЗОВОЙ ПРИМЕСИ

T=1000°C, Xj=1,5 мкм, СУ­ХОЙ O2

31. ФЛ 4 (ОБЛАСТЬ ЭМИТТЕРНОГО И КОЛ­ЛЕКТОРНОГО КОНТАКТА )

32. ТРАВЛЕНИЕ ОКОН В SiO2

НА ВСЮ ТОЛЩИНУ ОКИСЛА

33. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ Э, К ОБЛАСТЕЙ As [ AsCl3+O2 ]

E=80 кэВ, Ns=1020 см-3

34. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА , ХИМОЧИ­СТКА

35. ОТЖИГ ПРИМЕСИ

T=950°C, Xj=0,8 мкм, сухой О2

36. УДАЛЕНИЕ ОКСИДА, КОНТРОЛЬ ПАРА­МЕТРОВ Э,К ОБЛАСТЕЙ

КОНТРОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ПОСЛЕ УДАЛЕНИЯ

РАСТВОР HF

37. ХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

38. ОСАЖДЕНИЕ ФСС [ PCl3+O2 ]

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ФСС ПОСЛЕ ОСАЖДЕНИЯ

X=1 мкм

39. ФЛ ПО ФСС, ВСКРЫТИЕ КОНТАКТНЫХ ОКОН

40.ТРАВЛЕНИЕ ОКОН В ФСС

ПХТ , X=1 мкм

41. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ХИМОЧИ­СТКА

42.ФЛ ПОД СЛОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

ПОЗИТИВНАЯ ФЛ

43. НАНЕСЕНИЕ Al

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА НАНЕСЕНИЯ, ТОЛЩИНЫ

ПОКРЫТИЯ

+1% Si, T=450°C,10 мин , сухой O2

44.“ВЗРЫВ”( ТРАВЛЕНИЕ Al И УДАЛЕНИЕ Ф/Р ОДНОВРЕМЕННО )

45.ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

46. ОТЖИГ

47. ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ SiNH

150°C , ПХО

48.ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУР

ё

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке DOC