Маршрут изготовления бпт по технологии

ОПЕРАЦИЯ

РЕЖИМ

1. ВХОДНОЙ КОНТРОЛЬ

ПОДЛОЖКА-КДБ-10, ОРИЕНТАЦИЯ (111), СО­ПРОТИВЛЕНИЕ

10 Ом*см

2. ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ПОДЛОЖКИ:

а) ПООЧЕРЁДНАЯ ОТМЫВКА В ТОЛУОЛЕ , АМИЛАЦЕТАТЕ , АЦЕТОНЕ И ЭТИЛОВОМ СПИРТЕ ПО 5 МИН.

б) НАГРЕВ ДО КИПЕНИЯ

в) УЛЬТРАЗВУКОВАЯ ОЧИСТКА В ПОРЦИИ ЧИСТОГО РАСТВОРИТЕЛЯ

г) ТО ЖЕ В ДЕИОНИЗОВАННОЙ ВОДЕ

д) ПРОМЫВКА В ПЛАВИКОВОЙ КИСЛОТЕ

е) КИПЯЧЕНИЕ В ДЕИОНИЗОВАННОЙ ВОДЕ

ж) КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ОЧИСТКИ

2. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА

Т=1000 °С , ПАР , Х=0,3 мкм , 2 часа

4. ФОТОЛИТОГРАФИЯ 1 ПО SiO2

а) ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ

б) НАНЕСЕНИЕ И СУШКА ФОТОРЕЗИСТА

в) СОВМЕЩЕНИЕ И ЭКСПОНИРОВАНИЕ

г) ПРОЯВЛЕНИЕ

КОНТРОЛЬ ПОЛНОТЫ ПРОЯВЛЕНИЯ РИСУНКА

д) ЗАДУБЛИВАНИЕ

ДЛЯ СОЗДАНИЯ СКРЫ­ТОГО СЛОЯ

2. ТРАВЛЕНИЕ ОКОН ПОД СКРЫТЫЙ СЛОЙ

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПОЛНОТЫ ВСКРЫТИЯ ОКОН

РАСТВОР HF , X=0,65 мкм

2. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА УДАЛЕНИЯ Ф/Р

РАСТВОРЕНИЕ ПЛЁНКИ Ф/Р В КИПЯЩЕЙ H₂SO₄ (2-3 РАЗА ПО 5-10 МИН)

7. ХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА

8. 1 СТАДИЯ ДИФФУЗИИ Sb ( ЗАГОНКА )

T=900°C , Ns=5*10¹⁹ см^-3, влажный O₂, t=40 мин

ОБРАЗУЕТСЯ СУРЬ­МЯНО-СИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО

2. УДАЛЕНИЕ ОКСИДА , КОНТРОЛЬ Rs , Xj

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА УДАЛЕНИЯ

раствор HF

10. 2 СТАДИЯ ДИФФУЗИИ ( РАЗГОНКА )

T=1100°C , Xj>4 мкм , СУ­ХОЙ О₂ , N_{2 ,} Xок =0,2 мкм , конц. в скрытом слое N_сс=10²⁰см^-3

11. УДАЛЕНИЕ ОКСИДА , КОНТРОЛЬ Rs , Xj И МАСКИ

12. ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

H₂O₂ , NH₄OH, H₂O, 15мин, 25°C

2. ВЫРАЩИВАНИЕ n-ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ . [ SiCl₄+H₂ +AsH₃ ]

а) ГАЗОВОЕ ТРАВЛЕНИЕ С ПОМОЩЬЮ HCl НА 1-2 МКМ,

ПРОДУВКА H₂

б) СНИЖЕНИЕ Т ДО РАБОЧЕГО ЗНАЧЕНИЯ,ПОДАЧА

СМЕСИ , ПРОДУВКА H₂

в) ПОДАЧА СМЕСИ CO_{2 ,} SiCl₄ , H₂ И ОСАЖДЕНИЕ

ОКИСНОЙ ПЛЁНКИ , ПРОДУВКА H₂

г) ОХЛАЖДЕНИЕ В ПОТОКЕ H₂

д) ПРОДУВКА N₂ , РАЗГЕРМЕТИЗАЦИЯ , ВЫГРУЗКА

е) КОНТРОЛЬ d_{эп ,} r_{эп ,} ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ,N_ду

ХЛОРИДНЫЙ ПРОЦЕСС , T=1150°C , dэс=2,5 мкм , r_эс=1 ОМ *см

2. ОКИСЛЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЁНКИ

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА

T=1100°C , X=60 нм ,

40 мин , сухой O₂

2. ОСАЖДЕНИЕ Si₃N₄ ИЗ ПГС

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ СЛОЯ Si₃N₄

SiH₄ + NH_{3 ,} T=750°C, X_N=0,4 мкм

16. ФЛ 2 (для создания изоляции)

СМ. П.4

17. ТРАВЛЕНИЕ Si₃N₄ ДО SiO₂ В КИПЯЩЕЙ H₃PO₄

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ТРАВЛЕНИЯ

X_N=0,4 мкм

2. ТРАВЛЕНИЕ SiO₂ В РАСТВОРЕ HF

а) ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОТМЫВКА

б) ТРАВЛЕНИЕ

в) ПРОМЫВКА ПЛАСТИН ПОСЛЕ ТРАВЛЕНИЯ

г) КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ПОСЛЕ

ТРАВЛЕНИЯ

X=0,05 мкм

19. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА , ХИМИЧЕ­СКАЯ ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

20. ПХТ Si НА 0,5 ТОЛЩИНЫ ЭС ДЛЯ Р⁺-ОХРАНЫ

d_эп=0,9 мкм

21. OЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ

22. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ БОРОМ В КА­НАВКАХ , КОНТРОЛЬ r_s , X_j

T=900°C, Ns=10²⁰ см^-3 ,E=40 кэВ , D=10мкКл/cм²

2. ГЛУБОКОЕ ЛОКАЛЬНОЕ ОКИСЛЕНИЕ

КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА

T=1000°C, 18 часов

O₂+ПАР ,Si₃N₄®SiNO

24. УДАЛЕНИЕ SiNO ПЛАВИКОВОЙ К-ТОЙ , КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ

25. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ SiO₂ ИЗ ГА­ЗОВОЙ ФАЗЫ

SiH₄+O₂ , T=1050°C,

10/20/10 мин

сух/влажн/сух. O₂

26. ФЛ 3 (для вскрытия окон базы )

9 мин, HF/H₂O : 1/10

27. ТРАВЛЕНИЕ ОКОН В SiO₂

НА ВСЮ ТОЛЩИНУ ОКИСЛА

2. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ БАЗЫ БОРОМ

КОНТРОЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ R_S , X_J

Е=40 кэВ, Ns=10¹⁸см^-3

29. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ХИМОЧИ­СТКА

30. ОТЖИГ (РАЗГОНКА) БАЗОВОЙ ПРИМЕСИ

T=1000°C, Xj=1,5 мкм, СУ­ХОЙ O₂

31. ФЛ 4 (ОБЛАСТЬ ЭМИТТЕРНОГО И КОЛ­ЛЕКТОРНОГО КОНТАКТА )

32. ТРАВЛЕНИЕ ОКОН В SiO₂

НА ВСЮ ТОЛЩИНУ ОКИСЛА

33. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ Э, К ОБЛАСТЕЙ As [ AsCl₃+O₂ ]

E=80 кэВ, Ns=10²⁰ см^-3

34. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА , ХИМОЧИ­СТКА

35. ОТЖИГ ПРИМЕСИ

T=950°C, Xj=0,8 мкм, сухой О₂

36. УДАЛЕНИЕ ОКСИДА, КОНТРОЛЬ ПАРА­МЕТРОВ Э,К ОБЛАСТЕЙ

КОНТРОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ПОСЛЕ УДАЛЕНИЯ

РАСТВОР HF

37. ХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

38. ОСАЖДЕНИЕ ФСС [ PCl₃+O₂ ]

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ФСС ПОСЛЕ ОСАЖДЕНИЯ

X=1 мкм

39. ФЛ ПО ФСС, ВСКРЫТИЕ КОНТАКТНЫХ ОКОН

40.ТРАВЛЕНИЕ ОКОН В ФСС

ПХТ , X=1 мкм

41. УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ХИМОЧИ­СТКА

42.ФЛ ПОД СЛОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

ПОЗИТИВНАЯ ФЛ

43. НАНЕСЕНИЕ Al

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА НАНЕСЕНИЯ, ТОЛЩИНЫ

ПОКРЫТИЯ

+1% Si, T=450°C,10 мин , сухой O₂

44.“ВЗРЫВ”( ТРАВЛЕНИЕ Al И УДАЛЕНИЕ Ф/Р ОДНОВРЕМЕННО )

45.ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ

46. ОТЖИГ

47. ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ SiNH

150°C , ПХО

48.ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУР