
- •1. Основные понятия
- •1.1. Современное состояние микроэлектроники
- •1.1.1. Роль электроники в мировой сфере производства и потребления
- •1.1.2. Зачем России своя электроника
- •1.2.1. Классификация интегральных микросхем
- •1.2.2. Технологические операции
- •1.2.3. Элементы микросхем
- •1.2.4. Проблемы в производстве
- •Контрольные вопросы
- •2. Материалы электронной компонентной базы
- •2.1. Классификация материалов
- •2.2. Классификация полупроводниковых материалов
- •2.2.1. Собственные и примесные полупроводники
- •2.2.3. Полупроводниковые соединения
- •Контрольные вопросы
- •3. Конструкции и технологические последовательности изготовления полупроводниковых приборов и ИС
- •3.1. Развитие технологии производства изделий электронной техники
- •3.2. Методы изоляции элементов монолитных биполярных ИС
- •3.3. Методы изоляции МДП-транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •4. Химическая обработка и травление кремниевых пластин
- •4.1. Жидкостная очистка поверхности пластин
- •4.2. Травление
- •4.3. Пористый кремний
- •Контрольные вопросы
- •5. Плазменная обработка и травление материалов электронной компонентной базы
- •5.1. Ионное травленне
- •5.2. Плазмохимическое травление
- •5.3. Реактивное ионное травление
- •Контрольные вопросы
- •6. Термическая диффузия
- •6.1. Процессы диффузионного легирования
- •6.2. Уравнение диффузии
- •6.2.1. Диффузия из одной полуограниченной области в другую
- •6.2.2. Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии
- •6.3. Моделирование процессов диффузии в твердом теле
- •6.3.1. Диффузия из одной полуограниченной области в другую
- •6.3.2. Количество примеси, введенной из источника неограниченной мощности
- •6.3.3. Диффузия из слоя конечной толщины
- •6.3.4. Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник)
- •6.6. Формула Пуассона
- •6.7. Диффузия в прямоугольное окно
- •6.8. “Разгонка” примеси. Многостадийная диффузия
- •6.9. Диффузия примеси в гетерогенной системе
- •6.10. Диффузия в область ограниченных размеров
- •6.11. Определение зависимости D(N)
- •6.12. Результирующее примесное распределение
- •6.13. Методы диффузионного легирования
- •6.13.1 Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника
- •6.13.2 Диффузия в ампуле
- •6.13.3 Диффузия в потоке газа-носителя
- •6.13.4 Метод параллельного источника
- •6.14. Источники диффузанта
- •6.14.2 Алюминий (Al), галлий (Ga) и индий (In)
- •6.14.3 Фосфор (P) мышьяк (As) и сурьма (Sb)
- •6.14.4 Эффект вытеснения коллекторного перехода
- •6.14.5 Другие диффузанты
- •6.15. Выбор легирующей примеси
- •Контрольные вопросы
- •7. Ионное легирование
- •7.1. Общие принципы процесса ионной имплантации
- •7.2. Пробеги и дисперсии пробегов ионов
- •7.2.1. Распределение пробегов ионов
- •7.2.2. Боковое рассеяние ионов
- •7.2.3. Ионное каналирование
- •7.3. Влияние радиационных дефектов
- •7.4. Отжиг дефектов ионно-имплантированных слоев
- •7.4.1. Примеры профилей распределения ионов
- •7.4.2. Лазерный и электронно-лучевой отжиг
- •7.5. Влияние технологических факторов
- •7.5.1. Диффузия имплантированных примесей
- •7.5.2. Технология маскирования при ионной имплантации
- •7.5.3. Гетерирование
- •7.6. Преимущества и недостатки ионного легирования
- •Контрольные вопросы
- •8. Методы создания диэлектрических слоев
- •8.1. Термическое окисление
- •8.2. Осаждение пленок диоксида кремния
- •8.3. Получение пленок нитрида кремния
- •8.4. Плазмохимическое осаждение
- •8.5. Особенности окисления некоторых материалов
- •8.6. Воспроизведение рельефа поверхности
- •Контрольные вопросы
- •9. Термическое окисление кремния
- •9.1. Методы получения пленок оксида кремния
- •9.2. Механизмы окисления кремния
- •9.3. Кислород в кремнии
- •9.4. Свойства и применения пленок оксида кремния
- •9.5. Модель процесса
- •9.6. Перераспределение примеси при окислении
- •9.7. Особенности технологии МДП структур
- •9.7.1. Влияние режимов окисления и термообработок на свойства МДП структур на основе кремния
- •9.7.2. Механизмы нестабильности МДП структур
- •9.7.3 Методы повышения стабильности МДП структур
- •Контрольные вопросы
- •10. Методы литографии
- •10.1. Электронно-лучевая литография
- •10.2. Рентгеновская литография
- •10.3. Ионно-лучевая литография
- •10.4. Сравнение и тенденция развития процессов литографии
- •Контрольные вопросы
- •11. Технология фотолитографии
- •11.1. Стандартная фотолитография
- •11.2. Процесс переноса изображения в фотолитографии
- •11.3. Фотолитография в глубоком ультрафиолете
- •11.4. Волновые эффекты при экспонировании
- •Контрольные вопросы
- •12. Физико-химические основы технологии эпитаксиальных слоев
- •12.1. Эпитаксия из газовой фазы
- •12.1.2. Реакторы установок эпитаксиального наращивания
- •12.1.3. Легирование и автолегирование эпитаксиальных слоев
- •12.1.4. Технология процесса эпитаксии кремния
- •12.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- •12.3. Эпитаксия кремния на изолирующей подложке
- •12.4. Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений
- •Контрольные вопросы
- •13. Технология многоуровневой металлизации
- •13.1. Термическое испарение в вакууме
- •13.1.1. Физические основы термического вакуумного напыления
- •13.1.2. Конденсация вещества на подложке
- •13.1.3. Оборудование процесса термического вакуумного напыления
- •13.1.4. Распределение толщины пленки по подложке
- •13.2. Методы ионно-плазменного распыления
- •13.2.1. Механизмы распыления вещества потоком ионов
- •13.2.2. Ионно-плазменное распыление на постоянном токе (катодное распыление)
- •Контрольные вопросы
- •14. Монтажно-сборочные операции
- •14.1. Разделение пластин на кристаллы
- •14.2. Присоединение кристаллов к корпусу
- •14.2.1. Присоединение кристалла к основанию корпуса
- •14.2.2. Присоединение выводов
- •14.2.3. Герметизация
- •14.3. Монтаж приборов в корпус
- •Контрольные вопросы
- •15. Контрольные операции
- •15. 1. Функциональный контроль приборов
- •15.2. Испытания и измерения
- •15.2.1. Контроль технологического процесса
- •15.2.2. Причины брака
- •15.2.3. Методы контроля толщины пленок
- •15. 3. Заключительные операции
- •15.3.1. Герметизация кристалла
- •15.3.2. Контроль герметичности
- •Контрольные вопросы

229
Герметизация является завершающим технологическим процессом изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, её проводят для полной изоляции элементов, компонентов, кристаллов и электрических соединений от окружающей среды, содержащей влагу, а также активные вещества, способные вызвать коррозию, химические взаимодействия и, как следствие, привести к выходу изделий из строя.
Технологические способы герметизации микросхем должны удовлетворять следующим общим требованиям:
обеспечивать прочность и сохранять герметичность во всем температурном диапазоне работы схемы;
не вызывать нагрева активных элементов свыше 300°С;
не вызывать выделения газов и паров металлы внутри корпуса;
выполняться в среде очищенного и осушенного воздуха, азота или инертного газа с точкой росы не выше –25°С;
обеспечивать возможность механизации и автоматизации.
Особенно опасно воздействие на элементы микроэлектронных устройств влаги.
При этом все герметизирующие изделия можно подразделить на две принципиально различные группы:
1.Полые конструкции, в которых рабочая поверхность изделия не контактирует непосредственно с герметизирующим материалом;
2.Конструкции без внутренних газовых полостей, в которых герметизирующий материал контактирует с рабочей поверхностью изделия (монолитные конструкции).
К первой группе относятся металлостеклянные, керамические, пластмассовые и другие корпуса, вторая группа состоит из бескорпусных изделий и монолитных пластмассовых корпусов (рис. 14.13).
Рис. 14.13 а – полый металлостеклянный корпус; б – монолитный пластмассовый:
1 – основание; 2 – крышка; 3 – выводы; 4 – подложка; 5 – навесной компонент с герметизирующим покрытием; 6 – кристаллодержатель с ИС и эластичным подслоем; 7 – пластмассовая оболочка
14.3. Монтаж приборов в корпус
Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах – корпусном и бескорпусном.

230
Бескорпусная микросхема – это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку.
Корпус имеет выводы, с помощью которых микросхему монтируют на печатную плату. Контактные площадки платы ИС электрически соединены с выводами корпуса.
Герметизация в корпусы предполагает предварительное изготовление основания с изолированными выводами, крышки корпуса, вспомогательных деталей.
В зависимости от материалов корпуса делятся на следующие типы:
металлостеклянные, стеклянные, керамические, металлополимерные, пластмассовые, полимерные.
Наиболее дешевыми являются полимерные корпуса, получаемые путем опрессовки микросхемы компаундом. Полимерные корпуса используют в основном для толстопленочных гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем, работающих в нормальных условиях (промышленная и бытовая аппаратура).
корпуса
металлостеклянные стеклянные
керамические |
|
|
|
металлополимерные |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
пластмассовые полимерные
Рис. 14.14.
Основные требования, предъявляемые к корпусу, следующие:
механическая прочность и герметичность, обеспечивающие надежную защиту микросхемы от воздействия окружающей среды и механических повреждений;
высокая теплопроводность;
возможность надежного электрического соединения контактных площадок микросхем с выводами корпуса;
возможность надежного крепления микросхемы при монтаже в аппаратуре;
простота изготовления и герметизации;
низкая стоимость.
Металлические детали корпусов изготавливают холодной штамповкой на механических штампах; металлостеклянные узлы получают сплавлением в конвейерных печах; детали из вакуум-плотной керамики изготавливают методом горячего литья. Для соединения керамических деталей с металлическими керамику металлизируют с помощью паст или фольги.

231
Для герметизации применяют те же методы, что и для других операций сборки: сварку, пайку и склеивание (рис. 14.15).
Пайка и сварка позволяют получать вакуум герметичные соединения. Склеивание – самый простой и экономичный метод, однако он не позволяет получать герметичные соединения.
Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий из разных микросхем. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями (рис. 14.16 и 14.17).
Рис. 14.15. Классификация методов и способов герметизации ИМ в корпуса
Рис. 14.16. Схемы конструкций корпусов микросхем:
а, б, в – металлостеклянных; г – стеклянного; д – керамического; е, ж – металлополимерных; з –пластмассового; и, к – полимерных

232
Рис. 14.17 Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа
Можно выделить 4 типа корпусов:
с вертикальными выводами, расположенными перпендикулярно
плоскости корпуса интегральной |
микросхемы, |
|
||
с |
плоскими |
выводами, |
выходящими |
параллельно |
корпусу интегральной микросхемы, |
|
|
безвыводные корпуса (металлизация контактных площадок на боковых стенках корпуса)
с шариковыми выводами на нижней плоскости корпуса
С вертикальными выводами
DIP – (Dual Inline Package) – корпус с двумя рядами контактов (рис. 14.18). В зависимости от материала корпуса выделяют два варианта исполнения:
Рис. 14.18 Корпус DIP – (Dual Inline Package)
• PDIP (Plastic DIP) – имеет пластиковый корпус; CDIP (Ceramic DIP) –
имеет керамический корпус;
PGA – (Pin Grid Array) – корпус с матрицей выводов (рис. 14.19).

233
Рис. 14.19 Корпус PGA (Pin Grid Array)
Представляет собой квадратный или прямоугольный корпус с расположенными в нижней части штырьковыми контактами. В современных процессорах контакты расположены в шахматном порядке. В зависимости от материала корпуса выделяют три варианта исполнения:
•PPGA (Plastic PGA) – имеет пластиковый корпус;
•CPGA (Ceramic PGA) – имеет керамический корпус;
•OPGA (Organic PGA) – имеет корпус из органического материала; Существуют следующие модификации корпуса PGA:
•FCPGA (Flip-Chip PGA) – в данном корпусе открытый кристалл процессора расположен на верхней части корпуса. • FCPGA2 (Flip-Chip PGA 2) – отличается от FCPGA наличием теплораспределителя, закрывающего кристалл процессора.
•μFCPGA (Micro Flip-Chip PGA) – компактный вариант корпуса FCPGA.
•μPGA (Micro PGA) – компактный вариант корпуса FCPGA2.
Для обозначения корпусов с контактами, расположенными в шахматном порядке иногда используется аббревиатура SPGA (Staggered PGA).
С плоскими выводами
PLCC – (Plastic Leaded Chip Carrier) (рис. 14.20) и СLCC
представляют собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки в специальную панель (часто называемую «кроваткой»). В настоящее время широкое распространение получили микросхемы флэш-памяти в корпусе PLCC, используемые в качестве микросхемы BIOS на системных платах.
QFP – (Quad Flat Package) – семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам (рис. 14.21).

234
Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа; установка в разъём или монтаж в отверстия штатно не предусмотрен, хотя переходные коммутационные устройства существуют. Количество выводов QFP микросхем обычно не превышает 200, с шагом от
0,4 до 1,0 мм.
Рис. 14.20 PLCC – (Plastic Leaded Chip Carrier)
Рис. 14.21 Корпус QFP – (Quad Flat Package)
Безвыводные корпуса
LCC – (Ceramic Leadless Chip Carrier Packages (CLCCs) – представляет собой низкопрофильный квадратный керамический корпус с расположенными на его нижней части контактами, предназначенный для поверхностного монтажа (рис. 14.22).
С шариковыми выводами
BGA – (Ball Grid Array – массив шариков) – представляет собой корпус PGA, в котором штырьковые контакты заменены на шарики припоя (рис. 14.23). Предназначен для поверхностного монтажа. Чаще всего используется в мобильных процессорах, чипсетах и современных графических процессорах. Существуют следующие варианты корпуса BGA:

235
Рис. 14.22. LCC – (Ceramic Leadless Chip Carrier Packages (CLCCs)
•FCBGA (Flip-Chip BGA) – в данном корпусе открытый кристалл процессора расположен на верхней части корпуса, изготовленного из органического материала.
•μBGA (Micro BGA) и μFCBGA (Micro Flip-Chip BGA) – компактные варианты корпуса.
•HSBGA Flip-chip – открытый кристалл процессора расположен на верхней части корпуса.
Рис. 14.23. BGA – (Ball Grid Array)