
- •1. Основные понятия
- •1.1. Современное состояние микроэлектроники
- •1.1.1. Роль электроники в мировой сфере производства и потребления
- •1.1.2. Зачем России своя электроника
- •1.2.1. Классификация интегральных микросхем
- •1.2.2. Технологические операции
- •1.2.3. Элементы микросхем
- •1.2.4. Проблемы в производстве
- •Контрольные вопросы
- •2. Материалы электронной компонентной базы
- •2.1. Классификация материалов
- •2.2. Классификация полупроводниковых материалов
- •2.2.1. Собственные и примесные полупроводники
- •2.2.3. Полупроводниковые соединения
- •Контрольные вопросы
- •3. Конструкции и технологические последовательности изготовления полупроводниковых приборов и ИС
- •3.1. Развитие технологии производства изделий электронной техники
- •3.2. Методы изоляции элементов монолитных биполярных ИС
- •3.3. Методы изоляции МДП-транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •4. Химическая обработка и травление кремниевых пластин
- •4.1. Жидкостная очистка поверхности пластин
- •4.2. Травление
- •4.3. Пористый кремний
- •Контрольные вопросы
- •5. Плазменная обработка и травление материалов электронной компонентной базы
- •5.1. Ионное травленне
- •5.2. Плазмохимическое травление
- •5.3. Реактивное ионное травление
- •Контрольные вопросы
- •6. Термическая диффузия
- •6.1. Процессы диффузионного легирования
- •6.2. Уравнение диффузии
- •6.2.1. Диффузия из одной полуограниченной области в другую
- •6.2.2. Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии
- •6.3. Моделирование процессов диффузии в твердом теле
- •6.3.1. Диффузия из одной полуограниченной области в другую
- •6.3.2. Количество примеси, введенной из источника неограниченной мощности
- •6.3.3. Диффузия из слоя конечной толщины
- •6.3.4. Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник)
- •6.6. Формула Пуассона
- •6.7. Диффузия в прямоугольное окно
- •6.8. “Разгонка” примеси. Многостадийная диффузия
- •6.9. Диффузия примеси в гетерогенной системе
- •6.10. Диффузия в область ограниченных размеров
- •6.11. Определение зависимости D(N)
- •6.12. Результирующее примесное распределение
- •6.13. Методы диффузионного легирования
- •6.13.1 Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника
- •6.13.2 Диффузия в ампуле
- •6.13.3 Диффузия в потоке газа-носителя
- •6.13.4 Метод параллельного источника
- •6.14. Источники диффузанта
- •6.14.2 Алюминий (Al), галлий (Ga) и индий (In)
- •6.14.3 Фосфор (P) мышьяк (As) и сурьма (Sb)
- •6.14.4 Эффект вытеснения коллекторного перехода
- •6.14.5 Другие диффузанты
- •6.15. Выбор легирующей примеси
- •Контрольные вопросы
- •7. Ионное легирование
- •7.1. Общие принципы процесса ионной имплантации
- •7.2. Пробеги и дисперсии пробегов ионов
- •7.2.1. Распределение пробегов ионов
- •7.2.2. Боковое рассеяние ионов
- •7.2.3. Ионное каналирование
- •7.3. Влияние радиационных дефектов
- •7.4. Отжиг дефектов ионно-имплантированных слоев
- •7.4.1. Примеры профилей распределения ионов
- •7.4.2. Лазерный и электронно-лучевой отжиг
- •7.5. Влияние технологических факторов
- •7.5.1. Диффузия имплантированных примесей
- •7.5.2. Технология маскирования при ионной имплантации
- •7.5.3. Гетерирование
- •7.6. Преимущества и недостатки ионного легирования
- •Контрольные вопросы
- •8. Методы создания диэлектрических слоев
- •8.1. Термическое окисление
- •8.2. Осаждение пленок диоксида кремния
- •8.3. Получение пленок нитрида кремния
- •8.4. Плазмохимическое осаждение
- •8.5. Особенности окисления некоторых материалов
- •8.6. Воспроизведение рельефа поверхности
- •Контрольные вопросы
- •9. Термическое окисление кремния
- •9.1. Методы получения пленок оксида кремния
- •9.2. Механизмы окисления кремния
- •9.3. Кислород в кремнии
- •9.4. Свойства и применения пленок оксида кремния
- •9.5. Модель процесса
- •9.6. Перераспределение примеси при окислении
- •9.7. Особенности технологии МДП структур
- •9.7.1. Влияние режимов окисления и термообработок на свойства МДП структур на основе кремния
- •9.7.2. Механизмы нестабильности МДП структур
- •9.7.3 Методы повышения стабильности МДП структур
- •Контрольные вопросы
- •10. Методы литографии
- •10.1. Электронно-лучевая литография
- •10.2. Рентгеновская литография
- •10.3. Ионно-лучевая литография
- •10.4. Сравнение и тенденция развития процессов литографии
- •Контрольные вопросы
- •11. Технология фотолитографии
- •11.1. Стандартная фотолитография
- •11.2. Процесс переноса изображения в фотолитографии
- •11.3. Фотолитография в глубоком ультрафиолете
- •11.4. Волновые эффекты при экспонировании
- •Контрольные вопросы
- •12. Физико-химические основы технологии эпитаксиальных слоев
- •12.1. Эпитаксия из газовой фазы
- •12.1.2. Реакторы установок эпитаксиального наращивания
- •12.1.3. Легирование и автолегирование эпитаксиальных слоев
- •12.1.4. Технология процесса эпитаксии кремния
- •12.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- •12.3. Эпитаксия кремния на изолирующей подложке
- •12.4. Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений
- •Контрольные вопросы
- •13. Технология многоуровневой металлизации
- •13.1. Термическое испарение в вакууме
- •13.1.1. Физические основы термического вакуумного напыления
- •13.1.2. Конденсация вещества на подложке
- •13.1.3. Оборудование процесса термического вакуумного напыления
- •13.1.4. Распределение толщины пленки по подложке
- •13.2. Методы ионно-плазменного распыления
- •13.2.1. Механизмы распыления вещества потоком ионов
- •13.2.2. Ионно-плазменное распыление на постоянном токе (катодное распыление)
- •Контрольные вопросы
- •14. Монтажно-сборочные операции
- •14.1. Разделение пластин на кристаллы
- •14.2. Присоединение кристаллов к корпусу
- •14.2.1. Присоединение кристалла к основанию корпуса
- •14.2.2. Присоединение выводов
- •14.2.3. Герметизация
- •14.3. Монтаж приборов в корпус
- •Контрольные вопросы
- •15. Контрольные операции
- •15. 1. Функциональный контроль приборов
- •15.2. Испытания и измерения
- •15.2.1. Контроль технологического процесса
- •15.2.2. Причины брака
- •15.2.3. Методы контроля толщины пленок
- •15. 3. Заключительные операции
- •15.3.1. Герметизация кристалла
- •15.3.2. Контроль герметичности
- •Контрольные вопросы
16
Контрольные вопросы
1.Приведите классификацию интегральных схем.
2.Какова структура полупроводниковой микросхемы?
3.Какова структура гибридной микросхемы?
4.Какие технологические операции применяются при изготовлении интегральных схем?
5.Как в интегральной технологии создаются элементы схем?
6.Каковы особенности методов интегральной технологии?
7.С чем связаны ограничения миниатюризации микросхем?
2. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
2.1. Классификация материалов
Материалы, используемые при изготовлении полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники можно подразделить на четыре группы: основные, технологические, конструкционные и вспомогательные.
К основным материалам относят полупроводниковые, являющиеся основой при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, светоизлучающий приборов, фотопреобразователей, солнечных батарей, твердотельных лазеров и многих других изделий микроэлектроники.
Технологические материалы различного назначения применяют в технологических процессах производства микроэлектронных изделий. К ним относится: абразивные материалы для механической обработки исходных полупроводниковых слитков и пластин; химические материалы (растворители и травители) для обезжиривания и травления полупроводниковых пластин, а также химические реагенты для создания на их поверхности различных защитных диэлектрических покрытий (пленок SiO2 , Si3N4 , Al2O3); материалы, позволяющие формировать на поверхности пластин рельефный рисунок требуемой геометрической формы (фоторезисты, ренгено- и электронорезисты); диффузанты – вещества, необходимые для создания определенных областей в полупроводниковых пластинах при проведении технологических процессов диффузии; легирующие материалы (лаки, эмали, компаунды и др.), используемые для изоляции активных и пассивных элементов ИМС от воздействия окружающей среды.
Конструкционные материалы в основном используют для изготовления корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. К ним относятся металлы, сплавы, стекла, керамика, пластмассы и клеи.
Вспомогательные материалы предназначены в первую очередь для обеспечения необходимых условий (газовых сред) при проведении многих технологических операций производственного процесса (диффузии, окисления, создания омических контактов, сушки, сборки, пайки, герметизации и др.). к вспомогательным относят также материалы для изготовления приспособлений и оснастки (кассет, лодочек, тиглей,
17
подставок, травильных устройств и др.). кроме того, на многих технологических операциях важную роль играет особо чистая вода. Для придания готовым изделиям товарного вида используют различные краски.
С точки зрения зонной теории твердого тела, к полупроводниковым относятся материалы, у которых валентная зона и зона проводимости не перекрываются, а энергетический зазор между ними относительно невелик. По величине электропроводности полупроводниковые материалы занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Главная же особенность полупроводниковых материалов заключается в том, что их электропроводность обладает большой чувствительностью к внешним воздействиям: изменению температуры, напряженности электрического поля, давлению, содержанию примесей и пр.
Если диэлектрик поместить во внешнее электрическое поле, в нем происходит процесс поляризации, характеризующийся возникновением электрического дипольного момента каждого элементарного объема диэлектрика. Диэлектрики, в которых поляризация возникает без влияния внешнего электрического поля – самопроизвольно (спонтанно), называют сегнетоэлектриками. Поляризация может происходить также при приложении к диэлектрику механического напряжения. Процессы поляризации диэлектриков характеризуются диэлектрической проницаемостью и диэлектрической восприимчивостью.
Диэлектрическая проницаемость определяется отношением емкости конденсатора, в котором в качестве изолятора использован исследуемый диэлектрик, к емкости такого же конденсатора, изолятором в котором является вакуум.
Диэлектрическая восприимчивость показывает способность диэлектрика поляризоваться в электрическом поле.
Важной характеристикой диэлектриков является поверхностная электропроводность. Физические процессы, протекающие на поверхности диэлектрика, связаны с образованием адсорбированных слоев влаги и газов.
Минимальное напряжение, которое приводит к пробою диэлектрика, называют пробивным. Пробивное напряжение характеризует способность диэлектрического материала противостоять электрическому полю.
Пластмассами называют материалы, получаемые на основе природных или синтетических смол (полимеров) и способные под действием нагрева и давления формироваться в изделия нужной формы, а затем устойчиво ее сохранять.
Пластмассы состоят из основы (связующего вещества), наполнителя, отвердителя, пластификатора и смазывающих добавок. В качестве связующего вещества используют различные эпоксидные, кремнийорганические и полиэфирные смолы. Наполнитель обеспечивает требуемые механические свойства пластмасс и представляет собой порошок из стекла, талька, асбеста графита или других материалов. Отвердитель является важной составной частью пластмасс, так как обеспечивает переход смол из жидкого тягучего состояния в твёрдое. В качестве отвердителей
18
используют диэтилентриамин, гексаметилендиамин и др. Пластификатор повышает эластичность пластмасс. В качестве пластификаторов используют эфиры многоатомныхспиртов, олеиновую кислоту, стеарин и дибутилфталат. Смазывающие добавки (воск, парафин) позволяет избежать прилипания пластмассы к стенкам литьевой формы.
По виду связующего материала пластмассы делятся на термопластичные и термореактивные.
Термопластичные пластмассы под действием температуры могут переходить из жидкого состояния в твёрдое (при охлаждении) и из твердого в жидкое (при повторном нагреве), т.е. являются термообратимыми.
Термореактивные пластмассы под действием температуры переходят из жидкого состояния в твёрдое (при охлаждении), но при повторном нагреве не переходят из твердого состояния в жидкое, т.е. являются термонеобратимыми.
Стекло широко используют при изготовлении различных корпусов полупроводниковых приборов и ИМС, а также металлостеклянных спаев, проходных изоляторов и оптических линз для оптоэлектронных приборов. Все стекла можно условно разделить на две группы: тугоплавкие, КТР которых не превышает 5*10–6 1/С0, и легкоплавкие с более высоким КТР.
Тугоплавкие стекла имеют боросиликатную или алюмосиликатную основу, обладают высокими диэлектрическими свойствами, большими термостойкостью, температурой размягчения и механической прочностью.
Легкоплавкие стекла имеют свинцовый, баритовый или магнезиальный состав.
Керамику – твердый и плотный материал, широко применяемый при изготовлении элементов корпусов, получают спеканием неорганических солей с различными минералами или оксидами металлов. Исходные компоненты могут быть непластичными (кристаллообразующими) и пластичными. Кристаллообразующими компонентами являются неорганические соли (хлористые алюминий, железо, магний, и др.), минералы (кварц, глинозем, титана и др.), оксиды металлов (циркония, бария, кальция, магния, титана и др.) и карбонаты, а пластичными – различные глинистые материалы, облегчающие оформление заготовок и деталей.
В зависимости от воздействия магнитного поля все материалы можно разделить на пять групп: диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики и ферримагнетики.
Диамагнетики – это вещества, магнитная восприимчивость которых отрицательна и на зависит от напряженности внешнего магнитного поля. К диамагнетикам относятся некоторые металлы (медь, серебро, золото, цинк и др.), полупроводники (германий, кремний, соединения типа ? ) и большинство органических соединений.
Парамагнетики – это вещества, обладающие положительной магнитной восприимчивостью, не зависящей от напряженности внешнего магнитного поля. К парамагнетикам относятся щелочные, щелочноземельные и