
- •1. Основные понятия
- •1.1. Современное состояние микроэлектроники
- •1.1.1. Роль электроники в мировой сфере производства и потребления
- •1.1.2. Зачем России своя электроника
- •1.2.1. Классификация интегральных микросхем
- •1.2.2. Технологические операции
- •1.2.3. Элементы микросхем
- •1.2.4. Проблемы в производстве
- •Контрольные вопросы
- •2. Материалы электронной компонентной базы
- •2.1. Классификация материалов
- •2.2. Классификация полупроводниковых материалов
- •2.2.1. Собственные и примесные полупроводники
- •2.2.3. Полупроводниковые соединения
- •Контрольные вопросы
- •3. Конструкции и технологические последовательности изготовления полупроводниковых приборов и ИС
- •3.1. Развитие технологии производства изделий электронной техники
- •3.2. Методы изоляции элементов монолитных биполярных ИС
- •3.3. Методы изоляции МДП-транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •4. Химическая обработка и травление кремниевых пластин
- •4.1. Жидкостная очистка поверхности пластин
- •4.2. Травление
- •4.3. Пористый кремний
- •Контрольные вопросы
- •5. Плазменная обработка и травление материалов электронной компонентной базы
- •5.1. Ионное травленне
- •5.2. Плазмохимическое травление
- •5.3. Реактивное ионное травление
- •Контрольные вопросы
- •6. Термическая диффузия
- •6.1. Процессы диффузионного легирования
- •6.2. Уравнение диффузии
- •6.2.1. Диффузия из одной полуограниченной области в другую
- •6.2.2. Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии
- •6.3. Моделирование процессов диффузии в твердом теле
- •6.3.1. Диффузия из одной полуограниченной области в другую
- •6.3.2. Количество примеси, введенной из источника неограниченной мощности
- •6.3.3. Диффузия из слоя конечной толщины
- •6.3.4. Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник)
- •6.6. Формула Пуассона
- •6.7. Диффузия в прямоугольное окно
- •6.8. “Разгонка” примеси. Многостадийная диффузия
- •6.9. Диффузия примеси в гетерогенной системе
- •6.10. Диффузия в область ограниченных размеров
- •6.11. Определение зависимости D(N)
- •6.12. Результирующее примесное распределение
- •6.13. Методы диффузионного легирования
- •6.13.1 Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника
- •6.13.2 Диффузия в ампуле
- •6.13.3 Диффузия в потоке газа-носителя
- •6.13.4 Метод параллельного источника
- •6.14. Источники диффузанта
- •6.14.2 Алюминий (Al), галлий (Ga) и индий (In)
- •6.14.3 Фосфор (P) мышьяк (As) и сурьма (Sb)
- •6.14.4 Эффект вытеснения коллекторного перехода
- •6.14.5 Другие диффузанты
- •6.15. Выбор легирующей примеси
- •Контрольные вопросы
- •7. Ионное легирование
- •7.1. Общие принципы процесса ионной имплантации
- •7.2. Пробеги и дисперсии пробегов ионов
- •7.2.1. Распределение пробегов ионов
- •7.2.2. Боковое рассеяние ионов
- •7.2.3. Ионное каналирование
- •7.3. Влияние радиационных дефектов
- •7.4. Отжиг дефектов ионно-имплантированных слоев
- •7.4.1. Примеры профилей распределения ионов
- •7.4.2. Лазерный и электронно-лучевой отжиг
- •7.5. Влияние технологических факторов
- •7.5.1. Диффузия имплантированных примесей
- •7.5.2. Технология маскирования при ионной имплантации
- •7.5.3. Гетерирование
- •7.6. Преимущества и недостатки ионного легирования
- •Контрольные вопросы
- •8. Методы создания диэлектрических слоев
- •8.1. Термическое окисление
- •8.2. Осаждение пленок диоксида кремния
- •8.3. Получение пленок нитрида кремния
- •8.4. Плазмохимическое осаждение
- •8.5. Особенности окисления некоторых материалов
- •8.6. Воспроизведение рельефа поверхности
- •Контрольные вопросы
- •9. Термическое окисление кремния
- •9.1. Методы получения пленок оксида кремния
- •9.2. Механизмы окисления кремния
- •9.3. Кислород в кремнии
- •9.4. Свойства и применения пленок оксида кремния
- •9.5. Модель процесса
- •9.6. Перераспределение примеси при окислении
- •9.7. Особенности технологии МДП структур
- •9.7.1. Влияние режимов окисления и термообработок на свойства МДП структур на основе кремния
- •9.7.2. Механизмы нестабильности МДП структур
- •9.7.3 Методы повышения стабильности МДП структур
- •Контрольные вопросы
- •10. Методы литографии
- •10.1. Электронно-лучевая литография
- •10.2. Рентгеновская литография
- •10.3. Ионно-лучевая литография
- •10.4. Сравнение и тенденция развития процессов литографии
- •Контрольные вопросы
- •11. Технология фотолитографии
- •11.1. Стандартная фотолитография
- •11.2. Процесс переноса изображения в фотолитографии
- •11.3. Фотолитография в глубоком ультрафиолете
- •11.4. Волновые эффекты при экспонировании
- •Контрольные вопросы
- •12. Физико-химические основы технологии эпитаксиальных слоев
- •12.1. Эпитаксия из газовой фазы
- •12.1.2. Реакторы установок эпитаксиального наращивания
- •12.1.3. Легирование и автолегирование эпитаксиальных слоев
- •12.1.4. Технология процесса эпитаксии кремния
- •12.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- •12.3. Эпитаксия кремния на изолирующей подложке
- •12.4. Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений
- •Контрольные вопросы
- •13. Технология многоуровневой металлизации
- •13.1. Термическое испарение в вакууме
- •13.1.1. Физические основы термического вакуумного напыления
- •13.1.2. Конденсация вещества на подложке
- •13.1.3. Оборудование процесса термического вакуумного напыления
- •13.1.4. Распределение толщины пленки по подложке
- •13.2. Методы ионно-плазменного распыления
- •13.2.1. Механизмы распыления вещества потоком ионов
- •13.2.2. Ионно-плазменное распыление на постоянном токе (катодное распыление)
- •Контрольные вопросы
- •14. Монтажно-сборочные операции
- •14.1. Разделение пластин на кристаллы
- •14.2. Присоединение кристаллов к корпусу
- •14.2.1. Присоединение кристалла к основанию корпуса
- •14.2.2. Присоединение выводов
- •14.2.3. Герметизация
- •14.3. Монтаж приборов в корпус
- •Контрольные вопросы
- •15. Контрольные операции
- •15. 1. Функциональный контроль приборов
- •15.2. Испытания и измерения
- •15.2.1. Контроль технологического процесса
- •15.2.2. Причины брака
- •15.2.3. Методы контроля толщины пленок
- •15. 3. Заключительные операции
- •15.3.1. Герметизация кристалла
- •15.3.2. Контроль герметичности
- •Контрольные вопросы

75
6.3.3. Диффузия из слоя конечной толщины
Много важных для практики решений уравнения диффузии могут быть получены с использованием принципа суперпозиции решений линейного уравнения диффузии с линейными же начальными условиями.
Допустим, в толще бесконечно толстой пластины расположен однородно легированный слой толщиной 2h с концентрацией примеси No
(рис.6.4).
Примем, что x=0 находится в середине этого слоя. Такой профиль распределения примеси может быть представлен в виде суперпозиции двух профилей, для одного из которых N1 N0 для всех x h , и не содержащем
примеси во всей остальной области. Для второго профиля условие N2 N0
выполняется в области x h , а остальная область также не легирована. Обе области, таким образом, относятся к уже рассмотренному случаю диффузии примеси из одной полуограниченной области в другую.
Решения для них записываются в виде:
|
x,t |
N |
0 |
x h |
и N2 x, t |
N0 |
x h |
(6.28, а) |
||||
N1 |
|
|
erfc |
|
|
|
erfc |
|
|
|||
2 |
|
2 |
|
|||||||||
|
|
|
L |
|
|
L |
|
Рис. 6.4
Исходный профиль по принципу суперпозиции получается как разность
N1–N2, т.е.
N x,t |
N0 |
|
x h |
x h |
(6.28, б) |
||||
|
erfc |
|
|
erfc |
|
|
|||
|
|
|
|||||||
|
2 |
|
L |
|
|
L |
|
||
Заметим, что erfc u erfc u 2 |
|
|
|
|
|

76
6.3.4. Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник)
От (6.28) легко перейти к случаю диффузии из бесконечно тонкого слоя (из точечного источника). Запишем erfc-функции в виде определяющих их интегралов:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
N0 |
|
|
2 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
||||||||
|
|
N x,t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
exp u |
|
du |
exp u |
du |
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(6.29,а) |
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
x h |
L |
|
|
|
x h L |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
N0 |
|
|
x h |
L |
|
|
u 2 du |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
exp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
x h |
L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
При h 0 |
|
интеграл стремится к |
2 h |
|
exp x |
2 |
2 |
|
и если принять, что |
||||||||||||||||||||||||||||
|
L |
|
L |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
2h N |
0 |
Q const , а L2 |
|
4 D t выражение для N(x,t) примет вид: |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
N x,t |
|
N0 |
|
|
|
|
|
2h |
exp x2 L2 |
|
|
|
Q |
|
|
exp x2 |
4D t . |
(6.29,б) |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
|
|
|
2 |
|
D t |
|
|
|
|
|
|
совпадающий с (6.10б) – Гауссово распределение примеси (рис. 6.5).
Рис. 6.5
Понятие тонкого и толстого слоя. Если h>4L – слой толстый, если h<L/4 – слой тонкий, вычисления по (6.27) будут численно совпадать с получаемыми по формуле (6.29). Это будет случай тонкого слоя.
Отражающая и поглощающая границы
Отражающая граница – это граница, поток примеси через которую равен нулю (SiO2). В этом случае примесь диффундирует только в одну сторону и поэтому количество примеси в каждой точке должно быть в 2 раза большим, т.е. решение должно записывать в форме:
N x,t |
|
Q |
|
exp x2 |
4D t . |
(6.30) |
|
|
|
|
|||||
D t |
|||||||
|
|
|
|
|
Это решение описывает случай, когда примесь диффундирует в полупространство из находящегося на его поверхности однородно легированного слоя толщиной h.
Связывающая граница. Концентрация примеси на такой границе поддерживается равной нулю (например, за счет бесконечно быстрого испарения примеси с поверхности). Если первоначально примесь была однородно распределена по полупространству, то непосредственно на