Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лабы Славик / Лаба №2

.docx
Скачиваний:
2
Добавлен:
29.03.2015
Размер:
31.08 Кб
Скачать

Министерство образования Российской Федерации

Пермский национальный исследовательский политехнический университет

Кафедра электротехники и электромеханики

Лабораторная работа №2

Тема: «Исследование биполярного транзистора».

Выполнил:

студент гр. ТМК – 10

Радостев В.П.

Проверил:

Иваницкий В.А.

Пермь 2012 г.

Цель работы: изучение характеристик биполярного транзистора. Исследование его усилительных свойств.

Экспериментальная часть

Снять экспериментально и построить графики семейств характеристик биполярного транзистора p-n-p типа.

  1. Исследуемая цепь - схема (рис.3). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резистор 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы IБ и напряжения UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 мкА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения 0..15 В, ток коллектора IК и напряжение UКЭ измеряются мультиметрами на пределах 20 мА и 20 В соответственно.

Еп=0...15В

Рис.3

  1. Входные характеристики транзистора. При токах базы IБ = 0; 30; 60; 90; 120; 150 мкА.

Таблица 1

IБ,

мкА

UБЭ, В

UКЭ = 0 В

UКЭ = 5 В

UКЭ = 10 В

0

0,020

0,049

0,051

30

0,067

0,113

0,114

60

0,076

0,135

0,136

90

0,087

0,149

0,150

120

0,097

0,161

0,159

150

0,099

0,166

0,166

  1. Выходные характеристики транзистора IК=f(UКЭ) при IБ= 0; 40; 80; 120; 160 мкА

Таблица 2

UКЭ,

В

IК, мА

IБ = 0 мкА

IБ = 40 мкА

IБ = 80 мкА

IБ = 120 мкА

IБ = 160 мкА

0

0,09

0,014

0,023

0,05

0,07

2

0,095

0,868

1,797

2,73

3,1

4

0,099

0,918

1,820

2,89

3,81

6

0,103

0,959

1,885

3,02

3,99

8

0,104

0,996

1,980

3,14

4,17

10

0,108

1,027

2,070

3,24

4,35

  1. Передаточная характеристика главной усилительной цепи. При напряжении питания Еп = 10 В и сопротивлением Rк = 2,2 кОм.

Таблица 3

Uбэ , В

0,051

0,103

0,122

0,135

0,146

0,154

0,161

0,167

0,173

0,178

0,183

0,192

Iб, мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

300

Uкэ, В

10

9,06

8,08

7,07

6,01

5,04

4,04

3,13

2,28

1,49

0,79

0,10

Ik , мA

0,08

0,54

0,99

1,46

1,96

2,40

2,86

3,28

3,68

4,04

4,36

4,68

  1. По данным табл.3 построить характеристики Uкэ, Ik, Iб =f(Uбэ) и определить:

- диапазоны водного напряжения для областей отсечки, насыщения и линейной;

- напряжение смещения для режима (класса) усиления "А";

- диапазон изменения входного сигнала для режима (класса) усиления "А";

- коэффициент усиления основной усилительной цепи в режиме холостого хода для режима "А" характеристик по формулам:

Выводы:

  1. Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на совокупных свойствах двух p-n переходов. Предназначен для регулирования тока, а в усилительных схемах для усиления тока.

  2. Передаточная характеристика Uвых = f(Uвх) описывает усилительные свойства главной усилительной цепи. Коэффициент усиления в области линейной работы (схема с общим эмиттером). Сопротивление входной цепи Ом.

  3. Область отсечки

  4. Область линейной работы

  5. Область насыщения

Соседние файлы в папке Лабы Славик