Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
107
Добавлен:
29.03.2015
Размер:
34.82 Кб
Скачать

Какие носители зарядов являются основными для p-n-p транзистора?

10********************************************************************

Электрон

Дырка*

Ион

**********************************************************************

Эмиттерное напряжение изменилось на 0.1 В, а эмиттерный ток - на 1мА.

В цепи коллектора включено сопротивление нагрузки 10 кОм. Чему равен

коэффициент усиления по напряжению для этого транзистора ?

10********************************************************************

10

100*

1

1000

**********************************************************************

n-p-n транзистор хотят использовать как усилитель по напряжению.Како-

го знака потенциал нужно подать на эмиттер ?

10*********************************************************************

Плюс

Минус*

**********************************************************************

Напряжение на эмиттере увеличилось на 10 мВ, ток в нагрузочном сопро-

тивлении 100 Ом увеличился на 10 мА. Каков коэффициент усиления по

напряжению ?

10********************************************************************

100*

10

1

50

**********************************************************************

Ток в цепи эмиттера увеличился на 10 мА, на сколько увеличился ток в

цепи коллектора ?

10********************************************************************

на 10 мА*

на 1 мА

на 0.1 мА

на 0.01 мА

**********************************************************************

В полупроводниковом плоскостном триоде используются свойства:

10*********************************************************************

Контакта 2-х полупроводников с одинаковыми типами проводимости

Контакта 2-х полдупроводников с различными типами проводимости*

2-х полупр. с различными типами проводимости, не имеющими контакта

**********************************************************************

Большие изменения тока эмиттера в полупроводниковом триоде вызываются

10********************************************************************

малыми изменениями напряжения на нем*

большими изменениями напряжения на нем

изменением напряжения на коллекторе

**********************************************************************

Ток коллектора в полупроводниковом триоде зависит только :

10********************************************************************

от напряжения коллектора

от тока эмиттера*

от напряжения на коллекторе и тока эмиттера

**********************************************************************

В полупроводниковом триоде электрическое поле сосредоточено:

10*********************************************************************

в глубине базы

в эмиттерном переходе

в коллекторном переходе

в эмиттерном и коллекторном переходах и в глубине базы

в эмиттерном и коллекторном переходах*

**********************************************************************

Изменение напряжения на коллекторе триода составило 6 мВ, при изме-

нении напряжения на эмиттере 3 мВ. Определить коэффициент усиления по

напряжению.

10**********************************************************************

2*

18

9

1/2

**********************************************************************

В какой последовательности располагаются энергетические зоны у полуп-

роводников в направлении увеличения энергии ?

10********************************************************************

Валентная, проводимости, запрещенная

Запрещенная, проводимости, валентная

Валентная, запрещенная, проводимости*

**********************************************************************

У такого диэлектрика, как алмаз, ширина запрещенной зоны 7 эВ,а у по-

лупроводника германия - 0.72 эВ. Больше или меньше будет количество

электронов проводимости у алмаза по сравнению с германием при комнат-

ной температуре ?

10********************************************************************

Больше

Меньше*

Одинаково

**********************************************************************

К p-n переходу при комнатной температуре приложили прямое напряжение

0.1 В. Как будет меняться прямой ток при нагревании p-n перехода ?

10********************************************************************

будет увеличиваться

будет уменьшаться*

Не изменится

**********************************************************************

Напряжение на сопротивлении нагрузки в цепи коллектора увеличилось на

10 В. Напряжение в цепи эмиттера - на 0.1 В. Чему равен коэффициент

усиления транзистора по напряжению ?

10********************************************************************

100*

10

1

5

**********************************************************************

Как зависит коллекторный ток от коллекторного напряжения ?

10********************************************************************

Прямо пропорционален

Обратно пропорционален

Не зависит*

**********************************************************************

Если в полупроводниковом триоде типа p-n-p входная цепь эмиттер-база

включается в пропускном направлении, какое напряжение относительно ба-

зы подается на эмиттер и на коллектор ?

10*********************************************************************

отрицательное и отрицательное соответственно

положительное и отрицательное соответственно*

отрицательное и положительное соответственно

положительное и положительное соответственно

**********************************************************************

Если в полупроводниковом триоде выходная цепь(база-коллектоp) включена

в запирающем направлении, каким сопротивлением будет обладать входная

цепь транзистора (эмиттер-база):

10********************************************************************

большим

нулевым

малым*

**********************************************************************

Чем определяется ток коллектора в транзисторе, когда база-коллектор

включен в пропускном направлении ?

10********************************************************************

током эмиттера

током эмиттера и током рекомбинации*

током рекомбинации

**********************************************************************

В каком случае коэффициент усиления по току в транзисторе равен 1 ?

В случае, когда:

10********************************************************************

ток рекомбинации равен 0*

ток коллектора равен 1

ток эмиттера равен 1

**********************************************************************

Какого размера должна быть базовая область ?

10********************************************************************

широкой

узкой*

не имеет значения

**********************************************************************

Соседние файлы в папке Laboratornye_raboty