Б. Схема с общим эмиттером

Входными величинами здесь являются ток базы и напряжение. По закону Кирхгофа. Токс учетом, определяется формулой (8), ток- уравнением (6). Отсюда

,

и «входные статические характеристики» транзистора в схеме с общим эмиттером

(14)

описываются уравнением

(15)

и графически показаны на рис. 11. Ток практически враз меньше тока. Эти характеристики смещены навниз по сравнению с обычными ВАХ диода. Они слабо зависят от напряженияи существенно зависят от температуры вследствие изменения тока. Входное динамическое сопротивление транзистора можно определить по входным характеристикам

(16)

Оно примерно враз больше, чем в схеме с общей базой, т.е. транзистор при таком включении имеет высокоомный вход.

Выходные статические характеристики транзистора при таком включении

(17)

определяются из выражения (6) , откуда уравнение этих характеристик

(18)

где - коэффициент передачи базового тока, или «коэффициент усиления по току»;- тепловой ток коллектора в схеме с общим эмиттером. Типичные значения(при). В некоторых современных транзисторахбывает значительно больше. Семейство выходных статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером показано на рис.12. С их помощью можно найти динамическое выходное сопротивление транзистора

,

(19)

которое приблизительно в раз меньше, чем в схеме с общей базой, и динамический коэффициент усиления по току

.

(20)

Поскольку, схемы с большим эмиттером используются для усиления токаили для усиления напряжения. Для переменных составляющих токов коллектора и базы можно записать. Так как переменная составляющая входного напряжения,

Рис.11

(21)

а переменное напряжение на нагрузочном сопротивлении в цепи коллектора, то коэффициент усиления по напряжению равен

Рис.12

Схема экспериментальной установки

Для исследования характеристик транзистора р-n-р-типа выбрана схема включения с общей базой, показанная на рис.13 и, содержащая генератор тока ГТ во входной цепи, генератор напряжения ГН в выходной цепи – для исследования ВАХ транзистора, генератор переменного напряжения Г, нагрузочное регулируемое сопротивление и осциллограф ЭО для наблюдения режима усиления.

Рис.13

Задание к работе

1. Тщательно изучить работы полупроводникового диода по описанию работы № 44 и транзистора по описанию в настоящей работе.

2. Выполнить монтаж установки по схеме, имеющейся на рабочем месте. Перед включением источников питания схемы установить их напряжения равными нулю, а сопротивление потенциометра также равным нулю.

3. Провести измерения, устанавливающие зависимость (8) входного тока от входного напряжения транзистора при нескольких значениях напряжения(рис.9).

4. Провести измерения, устанавливающие зависимость (10) выходного тока от выходного напряжения на транзисторе при нескольких значениях тока(рис.10).

5. На графиках построить семейства входных и выходных статических характеристик транзистора. Сравнить их с теоретическими характеристиками.

6. Используя статические характеристики транзистора и формулы (9), (11), (12), (13), найти входное и выходное сопротивление транзистора и коэффициенты и. Вычислить коэффициент.

7. Подключить генератор переменного напряжения Г в цепь эмиттера, осциллограф – в цепь коллектора. Вращением ручки потенциометра установить максимальный коэффициент усиления. Сравнить полученное значение с рассчитанным по входным характеристикам.