
- •Обработка результатов измерений в программном пакете origin
- •1. Цель работы
- •2. Введение в пакет origin
- •3. Обработка массива данных и формирование набора графиков для отчета
- •3.2. Построение графика сложной функции.
- •Исследование электропроводности
- •2.2. Электропроводность твердых диэлектриков
- •Зависимость поверхностного сопротивления диэлектриков от различных факторов
- •Описание образца и экспериментальной установки
- •4. Порядок проведения работы
- •5. Контрольные вопросы
- •Исследование сегнетоэлектриков
- •1. Цель работы
- •2. Теоретическое введение
- •2.1. Спонтанная поляризация
- •2.2. Характерные особенности сегнетоэлектриков
- •2.3. Типы сегнетоэлектриков, их применение
- •3. Экспериментальная часть
- •3.1. Описание установки
- •3.2. Включение и подготовка установки к работе
- •Градуировка горизонтальной и вертикальной осей осциллографа
- •3.4. Определение основных параметров петли гистерезиса
- •3.5. Построение основной кулон-вольтной кривой сегнетоконденсатора
- •Определение эффективной емкости и эффективной диэлектрической проницаемости
- •Определение температуры Кюри
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Зависимость идиэлектриков
- •2.2. Диэлектрические потери
- •2.3. Зависимость и tg от т
- •2.4. Зависимость и tg от частоты
- •3. Экспериментальная часть
- •3.1. Описание измерительной установки
- •3.2. Порядок работы с прибором
- •Сообщения, выдаваемые прибором
- •3.3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Зависимость tg диэлектрика от напряжения
- •2.2. Электрические поля в неоднородных диэлектриках
- •3. Экспериментальная часть
- •3.1. Описание установки
- •3.2. Порядок выполнения работ
- •4. Контрольные вопросы
2.2. Электропроводность твердых диэлектриков
Электропроводность диэлектриков чаще
всего носит не электронный, а ионный
характер. Это связано с тем, что ширина
запрещенной зоны в диэлектриках
много больше энергии теплового движения
и лишь ничтожное количество электронов
может переходить за счет теплового
движения из валентной
зоны в зону проводимости, становясь
носителями тока. Ионы же часто оказываются
более слабосвязанными в узлах решетки,
и энергия активацииW, необходимая
для их ухода из нормального положения
в решетке в дефектные, сравнима с тепловой
энергиейkT. Например, в кристалле
NaCl ширина запрещенной зоны=
6 эВ, а энергия активации иона NаW=
0.85 эВ.
Электропроводность твердых диэлектриков растет с увеличением температуры по экспоненциальному закону:
(12)
Увеличение с температурой электропроводности в диэлектриках часто обусловлено не только изменением концентрации свободных ионов, но и ростом их подвижности.
Во многих случаях зависимость электропроводности Gvот температуры хорошо описывается формулой:
,
(13)
где а– постоянная, зависящая от природы диэлектрика;в– коэффициент, определяющий энергию активации;Т– температура образца диэлектрика, в К.
На рис. 4 приведена зависимость логарифма
отношения
от обратной абсолютной температуры.
Здесь
–
объемная электропроводность при
температуреТ, а
–
объемная электропроводность при
комнатной температуре.
ln Gvt /Gvk
А
ln
ТА,
10-3К-1
Рис. 4. Зависимость электропроводности диэлектрика
от температуры
По наклону участков кривой
можно определить энергию активации
носителей заряда и их физическую природу:
,
(14)
где KB– постоянная Больцмана;
W – энергия активации носителей заряда
в твердом диэлектрике в электронвольтах.
Зависимость поверхностного сопротивления диэлектриков от различных факторов
На величину поверхностного сопротивления твердых диэлектриков особенно значительно влияют состояния их поверхности и условия образования на ней влажной пленки: смачиваемость, шероховатость, пористость, растворимость диэлектрика в воде. Как правило, диэлектрики неполярного строения (парафин, полистирол, полиэтилен) слабо адсорбируют влагу (не смачиваются), в связи с чем, их удельное поверхностное сопротивление близко к удельному объемному сопротивлению. Если поверхность таких диэлектриков имеет шероховатость, то в связи с удержанием ею пыли, осевшей из воздуха, или других случайно попавших частиц, поверхностное сопротивление диэлектрика будет значительно снижено. Поэтому, в целях увеличения поверхностного сопротивления твердых диэлектриков, особенно при работе на открытом воздухе, их поверхность обычно шлифуется, полируется, покрывается глазурью и т. д.
Описание образца и экспериментальной установки
Определение
твердых диэлектриков проводят на плоских
образцах с электродами из фольги. Для
обеспечения хорошего электрического
контакта фольга по всей поверхности
соприкосновения наклеивается на образцы
проводящим клеем. Используется система
из трех электродов: измерительного
канала 1 (нижний электрод), общего (верхний
электрод) и измерительного канала 2
(кольцевой электрод) (рис. 5).
1
d2
d1
3
4
2
Рис. 5. Расположение электродов на плоском образце:
1 – верхний электрод; 2 – нижний электрод; 3 – электрод
в виде кольца, охватывающий верхний электрод; 4 – иссле-
дуемый образец диэлектрика
Напряжение
прикладывается между измерительным
электродом и общим электродом, ток
измеряется в их цепи. В зависимости от
измеряемой величины
или
одни и те же электроды выполняют различные
функции. Размеры электродов
стандартизированы. Для данной измерительной
системы:d1= 60 мм,d2=
66 мм. Толщина образцов составляет 4 мм.
Измерение поверхностного и объемного сопротивления твердых диэлектриков проводят на установке ИЭП1 (рис. 6).
Установка ИЭП1 предназначена для измерения сопротивления на постоянном токе в диапазоне 10...1013Ом. Применяемый в приборе метод измерения сопротивлений основан на сравнении измеряемого сопротивления и образцового сопротивления с помощью операционного усилителя, охваченного глубокой обратной связью (рис. 7). В приборе имеются два диапазона измерений и используются две шкалы – линейная и обратно пропорциональная. Измерения сопротивлений в диапазоне 102...106Ом проводятся по линейной шкале, а в диапазоне 107...1013Ом – по обратно пропорциональной шкале. Для исследуемых в работе образцов диэлектриков, имеющих сопротивление выше 106Ом, измерения проводятся по обратно пропорциональной шкале.
На передней панели прибора расположены:
индикатор шкалы; 7. кнопка выключателя “Сеть”;
кнопки выбора поддиапазона; 8. индикатор связи с ЭВМ;
индикатор результата измерения; 9. кнопка переключения канала;
кнопки выбора температуры; 10. индикатор выбора канала;
индикатор температуры 11. термокамера.
индикатор нагрева;
Рис. 6. Общий вид панели установки для измерений
электрического сопротивления
При измерениях с линейной шкалой источник напряжения и образцовый резистор образуют искусственный генератор тока, а измеряемое сопротивление включается в цепь обратной связи.
Рис 7. Принципиальная схема измерения
Измеряемое сопротивление определяется по формуле:
,
Ом
где R2– измеряемое сопротивление, Ом;
R1– сопротивление образцового резистора, Ом;
Uвых– выходное напряжение усилителя, В;
Uвх – входное напряжение с источника сигнала, В;
При измерениях с обратно пропорциональной шкалой источник напряжения и измеряемый объект образуют искусственный генератор тока. Образцовый резистор включают в цепь обратной связи. Измеряемое сопротивление определяется по формуле:
,
Ом
где R1– измеряемое сопротивление, Ом;
R2– сопротивление образцового резистора, Ом;
ВАЖНО: Перед началом работы сформируйте файл отчета. Для этого запустите на Рабочем столе пиктограмму файла «Отчет» и заполните предлагаемую форму. Затем сохраните ее, нажав клавишу <ЗАПИСЬ>.