- •Обработка результатов измерений в программном пакете origin
- •1. Цель работы
- •2. Введение в пакет origin
- •3. Обработка массива данных и формирование набора графиков для отчета
- •3.2. Построение графика сложной функции.
- •Исследование электропроводности
- •2.2. Электропроводность твердых диэлектриков
- •Зависимость поверхностного сопротивления диэлектриков от различных факторов
- •Описание образца и экспериментальной установки
- •4. Порядок проведения работы
- •5. Контрольные вопросы
- •Исследование сегнетоэлектриков
- •1. Цель работы
- •2. Теоретическое введение
- •2.1. Спонтанная поляризация
- •2.2. Характерные особенности сегнетоэлектриков
- •2.3. Типы сегнетоэлектриков, их применение
- •3. Экспериментальная часть
- •3.1. Описание установки
- •3.2. Включение и подготовка установки к работе
- •Градуировка горизонтальной и вертикальной осей осциллографа
- •3.4. Определение основных параметров петли гистерезиса
- •3.5. Построение основной кулон-вольтной кривой сегнетоконденсатора
- •Определение эффективной емкости и эффективной диэлектрической проницаемости
- •Определение температуры Кюри
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Зависимость идиэлектриков
- •2.2. Диэлектрические потери
- •2.3. Зависимость и tg от т
- •2.4. Зависимость и tg от частоты
- •3. Экспериментальная часть
- •3.1. Описание измерительной установки
- •3.2. Порядок работы с прибором
- •Сообщения, выдаваемые прибором
- •3.3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Зависимость tg диэлектрика от напряжения
- •2.2. Электрические поля в неоднородных диэлектриках
- •3. Экспериментальная часть
- •3.1. Описание установки
- •3.2. Порядок выполнения работ
- •4. Контрольные вопросы
2.2. Электрические поля в неоднородных диэлектриках
Для выяснения факторов, влияющих на tg , рассмотрим конденсатор с различными диэлектрическими материалами, слои которых соединены последовательно друг с другом (слоистый диэлектрик). Напряженность поля в каждом из последовательно соединенном слое неодинакова. Она будет обратно пропорциональной диэлектрической проницаемости материала данного слоя.
Рис. 29.
Двухслойный конденсатор
h2
h1
2
1 U
Е2
Е1
.
(23)
Обозначив h1 иh2 толщину слоев, аU1 иU2– напряжения на них, получим при последовательном соединении слоев
U =U1 +U2 =E1h1 +E2h2, (24)
где U– полное падение напряжения.
Решение системы уравнений (23) и (24) дает значение напряженности поля в обоих слоях
,
(25)
после чего находятся и напряжения на слоях
U1 =E1h1, U2 =E2h2 .
Приведенные формулы справедливы для работы двухслойной изоляции под переменным напряжением. Для расчета установившихся (через достаточно большое время после включения напряжения) напряженностей электрического поля в двухслойной изоляции, работающей под постоянным напряжением, в эти формулы вместо значений 1и2можно подставить значения удельной объемной проводимости1 и2соответствующих компонентов. В соответствии с непрерывностью вектора электрического смещенияD=10E1 =20E2в основу расчета для случая постоянного напряжения должно быть положено условие непрерывности вектора плотности тока
I=1E1 =2E2, (26)
где 12– проводимости слоев.
Решив систему уравнений (24) и (26), получим значения напряженностей поля и напряжений в слоях при постоянном напряжении:
![]()
U1=E1h1;U2 =E2h2, (27)
откуда
.
Для переменного напряжения
.
Проводимость газов при нормальных
условиях составляет около 10-15-
10-16 Ом-1
см-1,
а диэлектрическая проницаемость –
примерно 1 (например, воздуха 1,00058). Что
же касается широко распространенных
изоляционных материалов (заливочные
компаунды, асбоцемент, текстолит,
миканит, гетинакс, лакоткани), то их
проводимость может колебаться в широких
пределах (10-7-10-12Ом-1
см-1),
а диэлектрическая проницаемость –
примерно от 3,5 до 16.
Значительные расхождения в проводимостях и диэлектрических проницаемостях газа и твердых диэлектриков приводят к резкому различию напряженностей в газовой поре и материале изолятора: напряженность в поре E1будет значительно больше напряженности в материале диэлектрика, что приведет к возникновению так называемых, “частичных” разрядов в диэлектрике, т.е. пробоя газовых включений, а это вызовет увеличение tg.
