36. Энергетическая зонная диаграмма диода Шоттки в равновесии, прямом и обратном смещении

Величина внешнего напряжения при

положительном знакеVG > 0 не должна быть больше контактной разности потенциала Δϕms, при отрицательном напряжении VG < 0 она ограничиваетсятолько электрическим пробоем структуры. На рисунке 2.5 приведены соответствующие зонные диаграммы при положительном и отрицательном напряжениях на металлическом электроде барьеров Шоттки.

Рис. 2.5. Зонная диаграмма барьера Шоттки при различных напряжениях на затворе:

а) VG = 0; б) VG > 0, прямое смещение; в) VG < 0, обратное смещение

37. Диоды Шоттки полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качествебарьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов).

Структура детекторного диода Шоттки : 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт

В основе диодов Шоттки лежит контакт между металлом и полупроводником. Такой контакт при определенных условиях может обладать выпрямительными свойствами. Для этого необходимо, чтобы приповерхностный слой полупроводника в равновесном состоянии был обеднен основными носителями и чтобы сопротивление обедненного слоя было много больше сопротивления остальной части полупроводниковой пластины. Основным преимуществом диодов Шоттки по сравнению с диодами с р-п переходом является тот факт, что у них отсутствует инжекция неосновных носителей при прямом смещение

38.Особенности работы диода Шоттки в импульсном режиме. полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качествебарьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов).

Структура детекторного диода Шоттки : 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контактИмпульсные режимы – это такие режимы, когда диоды переключаются с прямого напряжения на обратное через короткие промежутки времени, порядка долей микросекунды, при этом важную роль играют здесь переходные процессы. Основное назначение импульсных диодов – работа в качестве коммутирующих элементов. Условия работы импульсных диодов обычно соответствует высокому уровню инжекции, т. е. относительно большим прямым токам. Вследствие этого свойства и параметры импульсных диодов определяются переходными процессами.

Процесс уменьшения накопленного заряда в базе называется рассасыванием, а время, в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося, называется временем восстановления обратного сопротивления. Время восстановления обратного сопротивления – один из важнейших параметров импульсных диодов. Чем оно меньше, тем диод лучше. Для улучшения свойств импульсных диодов исходный полупроводник выбирают с малым временем жизни носителей заряда (для более интенсивного процесса рекомбинации в базе), а самp-n-переход делают с малой площадью, чтобы снизить величину барьерной емкости перехода .