Контрольні питання до розділу
“Поняття про мікроелектроніку”
Перелічіть технологічні етапи виготовлення біполярних npn-транзисторів за планарною технологією. Поясніть зміст терміну “планарний”.
Перелічіть технологічні етапи виготовлення МОН-транзистора з вбудованим n -каналом.
В чому різниця у технології застосування негативного та позитивного фоторезистів?
Які переваги дає груповий метод виготовлення транзисторів?
Дайте визначення інтегральної мікросхеми (ІМС) та поясніть зміст слів “інтегральна” та “мікросхема”.
Як можна виготовити пасивні елементи ІМС (резистори, ємності, сполучальні провідники) методами планарної технології?
Дайте класифікацію сучасних ІМС за степенем їх інтеграції.
Які мінімальні розміри елементів досягнуті у сучасних НВІС?
Якими фізичними процесами визначається межа подальшого зменшення розмірів елементів у НВІС?
Відомо що деякі елементи ІМС неможливо виготовити методами мікроелектронної технології. Що робити у таких випадках? Наведіть приклади.
В чому різниця між товстплівковою та тонкоплівкковою технологіями виготовлення ІМС?
Що таке гібридна інтегральна мікросхема (ГІМС)?
У яких випадкках доцільно застосовувати планарну технологію виготовлення ІМС, а коли плівкову та гібридну?
Як робиться ізоляція елементів напівпровідникової інтегральної мікросхеми від її підкладки?
Чому в ІМС на МОН-транзисторах не виникає проблеми ізоляції транзисторів від підкладки?
В чому перевага епітаксіальної технології виготовлення ІМС у порівнянні з методом потрійної дифузії?
Чому для виготовлення планарних ІМС на діелектричних підкладках бажано застосовувати сапфір? Які були б важливі переваги, якщо б як підкладку вдалось застосувати алмаз?
Які схемотехнічні особливості ІМС обумовлені специфікою інтегральної технології?
Які проблеми радіоелектроніки вдалось розв’язати завдяки появи ІМС?
Як змінився обрис радіоелектронної промисловості з появою мікроелектронних технологій?
Які соціальні наслідки появи інтегральних мікросхем?
1Фотошаблон виготовляється фотографічним способом: він подібний до негатива, з якого роблять позитивні відбитки.
2Тут описана робота з так званим негативним фоторезистором. Позитивний фоторезист, навпаки, під впливом світла стає легко розчинним в спеціальних рідинах – проявниках. Для цього фотошаблон має бути позитивом, на якому розташуванню майбутніх вікон відповідають прозорі місця.
3Як видно із схеми, для успішної її роботи між виводами 1 та 11 потрібно додатково подключити конденсатор ємністю в 100 мкФ, який неможливо виготовити за описаною вище технологією.
4Так наприклад, основою калькулятора Б3-34 є кристал розміром 5х5 мм, на якому розміщена ВІС, що складається з 2100 транзисторів.
5До речі, слід зауважити, що і в планарній технології методи плівкової технології застосовуються для виготовлення контактних площинок, з’єднувальних провідників та затворів у МОН-транзисторах, а також у так званій епітаксіальній технології, про яку мова йтиме далі.