Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Свойства и применение металлов и полупроводников. Учебное пособие
.pdf
Легирующие элементы указывают русскими буквами: марганец – Г, кремний –
С, хром – Х, никель – Н, вольфрам – В, ванадий – Ф, титан – Т, молибден – М, кобальт – К, алюминий – Ю, медь – Д, бор – Р, ниобий – Б, цирконий – Ц, азот – А.
Цифры, следующие после букв, указывают содержание легирующего элемента в
целых процентах; отсутствие цифры указывает на то, что сталь содержит менее 1,5 %
указанного элемента. Исключением являются вольфрам и молибден.
Для высококачественных конструкционных сталей в конце марки ставят букву
А. Например, сталь 12Х2Н4 – качественная конструкционная с содержанием 0,12 %
углерода, 2 % хрома и 4 % никеля; сталь 12Х2Н4А – высококачественная такого же
состава. В конце марки стали особо высокого качества (электрошлакового переплава)
стоит буква Ш.
Все стали инструментальные легированные и с особыми свойствами всегда высококачественные, поэтому в конце марки этих сталей буква А не ставится.
Легированные конструкционные стали делят на цементируемые, улучшаемые и
высокопрочные.
Для тяжело нагруженных деталей небольших размеров (зубчатые колеса, оси и
др.) применяют низкоуглеродистые цементируемые легированные стали марок 20Х,
12Х2Н4А и др. После цементации, закалки в воде и низкого отпуска поверхность деталей приобретает высокую твердость, а сердцевина не упрочняется.
Улучшаемые среднеуглеродистые легированные стали – это стали, подвергаемые
улучшению путем термической обработки, состоящей в закалке с 820 – 880 °С в масле
с последующим высоким отпуском (550 – 650 °С). Для тяжело нагруженных деталей
больших размеров применяют легированные стали марок 40ХН, 30ХГСА и др.
Для деталей с высоким пределом прочности (В=1500–2500 МПа) используют
высокопрочные стали на основе железа, легированного никелем, кобальтом, титаном,
молибденом, хромом и другими элементами марок Н12К15М10, Н18К9М5Т и др. Такие стали называются мартенситностареющими, их закаливают с 800 – 860 °С на воздухе с последующим старением при 450 – 500 °С. Применяют их для особо ответственных тяжело нагруженных деталей.
41
К конструкционным легированным сталям относятся также износостойкие, рессорно-пружинные, шарикоподшипниковые и др.
Основными свойствами инструментальных легированных сталей являются
твердость, вязкость, износостойкость, теплостойкость (красностойкость), прокаливаемость. Инструментальные стали делят на углеродистые (рассмотренные ранее), легированные и быстрорежущие.
Инструменты из легированных сталей после закалки, как правило, в масле и
низкого отпуска имеют высокую твердость, отличаются повышенной вязкостью,
меньшей склонностью к деформациям и трещинообразованию при закалке. Из легированных инструментальных сталей марок 9ХС, ХВГ, В1, ХВ5 и других изготавливают
различные режущие инструменты, имеющие сложную конфигурацию.
При изготовлении штампов для горячей обработки металлов применяют легированные инструментальные стали сложного состава: 4Х2В5ФМ, 4Х3ВФ2М2, 3Х2В8Ф
и др.
Быстрорежущие стали широко используют для изготовления режущего инструмента, обладающего большой твердостью и работающего при высоких скоростях
резания. Быстрорежущая сталь относится к ледебуритному (карбидному) классу сталей. В ее состав входят карбидообразующие элементы – хром, вольфрам, ванадий, кобальт, молибден.
Высокие режущие свойства инструментов, изготовленных из быстрорежущих
сталей марок Р6, Р9, Р12, Р18 (цифра после буквы показывает среднее содержание
вольфрама в процентах), получают после закалки с температуры 1210 – 1290 °С в зависимости от марки стали с последующим отпуском. Режущие свойства инструментов
повышают также с помощью цианирования.
Более подробный анализ механических, химических и других свойств металлов
и сплавов, применяемых в биотехнических аппаратах и системах приведен в [2].
42
1.8. ЭЛЕКТРО- И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ
Электропроводность металлов
Классическая электронная теория металлов представляет твердый проводник в
виде системы, состоящей из узлов кристаллической ионной решетки, внутри которой
находится электронный газ из коллективизированных свободных валентных электронов. К электронному газу применялись представления и законы обычных газов. Это
привело к выводу законов Ома и Джоуля – Ленца, позволило описать и объяснить ранее обнаруженные экспериментальным путем основные законы электропроводности и
потерь электрической энергии в металлах.
Однако исчерпывающее объяснение явлений электропроводности оказалось
возможным на основе квантовой механики. В соответствии с квантово–
механическими представлениями причиной наличия электрического сопротивления
твердых тел является не столкновение свободных электронов с атомами решетки (как
в классической теории Друде), а рассеяние их на дефектах решетки, вызывающих
нарушение периодичности потенциала. Идеально правильная, бездефектная неподвижная решетка не способна рассеивать свободные носители заряда и поэтому должна обладать нулевым сопротивлением.
Подвижность и длина свободного пробега электронов в твердом теле зависят от
структуры материала. Чистые металлы с наиболее правильной кристаллической ре-
шеткой характеризуются наименьшими значениями удельного сопротивления . При-
меси, искажая решетку, приводят к увеличению . С позиций квантовой механики
рассеяние электронных волн происходит на дефектах кристаллической решетки, которые соизмеримы с расстоянием порядка четверти длины волны электрона; нарушения
меньших размеров не вызывают заметного рассеяния волн де Бройля. В металлическом проводнике, где длина волны электрона порядка 5 Å, микродефекты создают
значительное рассеяние, уменьшающее подвижность электронов и длину свободного
пробега и, следовательно, приводят к росту .
Так как в металлах концентрация электронного газа n практически не зависит от
температуры (Т), то зависимость удельного сопротивления (и обратной величины
43
удельной электропроводности ) от температуры полностью определяется темпера-
турной зависимостью подвижности ( ) и пропорциональной ей длины свободного
пробега электронов ( ).
Вследствие усиления колебаний узлов кристаллической решетки с ростом температуры появляется все больше и больше препятствий на пути направленного движения свободных электронов под действием электрического поля, т.е. уменьшается
среднестатистическая длина свободного пробега , уменьшается подвижность электронов и, как следствие, уменьшается удельная проводимость металлов и возрастает
удельное сопротивление (рис. 1.14).
Рис. 1.14. Зависимость удельного сопротивления металлов и сплавов от температуры:
1 – железо; 2 – электротехническая сталь с содержанием 4 % Si; 3 – сплав Fe-Ni-Cr
44
Удельное сопротивление сплавов
Как указывалось, примеси и нарушения правильной структуры металлов ведут к
увеличению их удельного сопротивления.
Значительное возрастание наблюдается при сплавлении двух металлов в том
случае, если они образуют твердый раствор, т.е. создают при отвердевании совместную кристаллизацию и атомы одного металла входят в кристаллическую решетку другого.
Зависимость удельного сопротивления сплава двух металлов, образующих твердый раствор, от процентного содержания каждого из них представлена на рис. 1.15
(кривая а). Кривая имеет максимум, соответствующий некоторому соотношению со-
держания компонентов в сплаве; при уменьшении содержания каждого из них падает, приближаясь к соответствующим значениям чистых металлов. Обычно наблюдается определенная закономерность и в изменении ТК (ТК – температурный коэффициент): относительно высокими значениями ТК обладают чистые металлы, а у сплавов ТК меньше и даже может приобретать небольшие по абсолютной величине отри-
цательные значения (рис. 1.15, кривая б). Это объясняется тем, что у сплавов изменение вызывается не только изменением подвижности носителей заряда, но в некоторых случаях и возрастанием концентрации носителей при повышении температуры.
45
2
22
0
3
e
k
L
Рис. 1.15. Зависимость (а) и ТК (б) сплавов системы Cu-Ni от состава (в про-
центах по массе)
Теплопроводность
Тепло через металл передается в основном теми же свободными электронами,
которые определяют и электропроводность металлов; количество их в единице объема
металла весьма велико. Поэтому, как правило, коэффициент теплопроводности металлов много больше, чем у диэлектриков. Очевидно, что при прочих равных условиях
чем больше удельная электрическая проводимость металла, тем больше его коэффи-
циент теплопроводности . При повышении температуры, когда подвижность электронов в металле и, соответственно, его удельная проводимость уменьшаются, от-
ношение коэффициента теплопроводности металла к его удельной электрической проводимости / должно возрастать. Математически это выражается законом Видемана – Франца – Лорентца:
/ = L0T, (1.1)
где Т – абсолютная температура, К; L0 – число Лорентца, равное
. (1.2)
46
Подстановка в (1.2) значений постоянной Больцмана k = 1,38 10
электрона e = -1,6 10
-19
Кл дает L0 = 2,45 10-8 В2/К2.
-23
Дж/К и заряда
Закон Видемана – Франца – Лорентца для большинства металлов хорошо подтверждается при температурах, близких к нормальной или несколько повышенных.
Проверим справедливость этого закона для меди при нормальной температуре.
Подставляя в формулу (1.1) параметры меди: = 57 106 См/м и = 390 Вт/(м К),
получаем (при Т = 293 К) L0 = 2,54 10-8 В2/К2, что весьма близко к теоретическому значению. При нормальной температуре для алюминия L0 = 2,1 10-8, для свинца и олова
2,5 10-8, для железа 2,9 10-8 В2/К2.
Однако в области низких температур коэффициент при Т в уравнении (1.1) уже
не остается неизменным: так, для меди при охлаждении он проходит через минимум, а
при приближении к абсолютному нулю вновь близок к теоретическому значению L0.
47
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
2.1. ОБЩИЕ СВОЙСТВА И КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Полупроводники по удельному сопротивлению, которое при комнатной темпе-
ратуре составляет 10-6–109 Ом м, занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Они обладают совокупностью физических свойств, которые
выделяют их среди других материалов.
В отличие от проводников электропроводность полупроводников увеличивается
с ростом температуры (рис. 2.1). Для полупроводников характерна зависимость значения удельной проводимости от вида и количества содержащихся в них примесей.
Например, при введении в чистый кремний 0,001 % фосфора его удельная проводимость увеличивается в 105 раз.
Рис. 2.1. Зависимость удельной проводимости от температуры для металлов (а) и
полупроводников (б)
Свойства полупроводниковых материалов сильно зависят от внешних факторов – электрического и магнитного полей, электромагнитного и ядерного излучений
и др.
По химическому составу полупроводниковые материалы делят на простые вещества (атомные, элементарные полупроводники – германий, кремний, теллур и др.) и
химические соединения различных типов. Если входящие в состав соединений веще-
48
ства обозначить как А и В, то основные типы бинарных соединений представляют
следующим образом: AIIBVI(Cu2O, CuS и др.), A
IIIBV
(GaAs, GaP, InP и др.), AIVBIV(SiC)
и др. Полупроводниковые свойства присущи тройным соединениям CuAlS2, CuSbS2,
CuFeS2, ZnSiAs2, PbBiSe2 и твердым растворам GeSi, GaAs
1-xPx
, InxAl
Sb и др. К
1-x
твердым органическим полупроводникам относятся фталоцианин, антрацен, нафталин
и др. [3].
Основным типом химической связи между атомами в элементарных полупро-
водниках является ковалентная, в химических соединениях – смешанная ионноковалентная. Наиболее распространенными типами кристаллической структуры являются структура типа алмаза (ГЦК с базисом) для простых веществ; сфалерита и вюрцита – для химических соединений. По структуре полупроводниковые материалы могут быть монокристаллическими, поликристаллическими и неупорядоченными (стеклообразными).
Уникальные свойства полупроводниковых материалов обусловили широкое
техническое применение их для изготовления самых различных приборов – полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров, фотодиодов, фототранзисторов, светодиодов, полупроводниковых лазеров, а также датчиков давлений, магнитных полей,
температур, излучений и др. Использование полупроводников вызвало коренные преобразования в радиотехнике, кибернетике, автоматике, телемеханике. Полупроводниковая электроника открыла новые пути микроминиатюризации различного оборудования, в том числе биомедицинских и биотехнических аппаратов и систем.
2.2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ТВЕРДЫХ ТЕЛ
Понимание физических явлений, происходящих в полупроводниках, невозмож-
но без знания положений зонной теории твердого тела, основанных на представлениях
квантовой механики.
Электрон в изолированном атоме может находиться лишь на строго определен-
ных дискретных энергетических уровнях, которые разделены интервалами запрещен-
49
ных энергий. Дискретность значений энергии электронов в изолированном атоме подтверждается характером спектров поглощения и излучения разреженных газов, т.е.
определенными спектральными линиями, наличие которых объясняется переходом
электрона с одного уровня на другой, при котором излучается или поглощается свет
определенной частоты, соответствующей разности энергий этих уровней [2].
При образовании кристалла благодаря сближению N одинаковых атомов на рас-
стояния, близкие к расстоянию между атомами в кристаллической решетке а, начинает
проявляться взаимодействие атомов между собой. В этом случае принцип Паули распространяется на всю совокупность атомов как на единую систему , и в результате такого взаимодействия эквивалентные уровни электронов изолированных атомов образуют не энергетические уровни, на каждом из которых находится в N раз больше электронов, а энергетические зоны, состоящие из N уровней (рис. 2.2). Так как в кристалле
объемом 1 м3 имеется примерно 1028атомов, а ширина энергетической зоны порядка 1
эВ, расстояние между энергетическими уровнями в зоне составляет около 10
-28
эВ.
Рис. 2.2. Энергетические зоны при сближении атомов
Для реально возможных микроскопических объемов кристалла расстояние меж-
ду энергетическими уровнями не превышает 10
-17
эВ. В то же время при комнатной
температуре энергия электронов порядка 0,03 эВ. Поэтому электроны могут свободно
переходить с одного уровня на другой внутри зоны; можно считать, что энергетические зоны являются квазинепрерывными.
50
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]