Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Радиолюбительская азбука. Т.2. Аналоговые устройства
.pdf
3.5. Справочный материал 261
Òèï
Структу
ðà
êý ìàêñ
Â
,
h
21Ý, ìèí
U
-
I
ê ìàêñ
ìÀ
,
Ð
ìàêñ
,Âò
f
ãð
ÌÃö
SS9018 n-p-n 30 40 100 0.2 500
BF420 n-p-n
300 50 500 0,63 60
BF421 p-n-p
*отличаются только типом корпуса
**составной — из двух транзисторов
***изготовлены в корпусе для поверхностного монтажа
Биполярные транзисторы средней и большой мощности
Òèï
Струк-
òóðà
U
êý ìàêñ
,
h
Â
21Ý, ìèí
I
ê ìàêñ,
À
Ð
ìàêñ
Âò
,
fãð,
ÌÃö
Корпус
ÊÒ644 p-n-p
ÊÒ646
0,5 1 200 ÒÎ-126
n-p-nÀ6040
Á 40 150
ÊÒ814 p-n-p
ÊÒ815
À2540
1,5 10 3 ÒÎ-126
Á4040
n-p-n
,
Â6030
à 100 25
ÊÒ816 p-n-p
ÊÒ817
À2525
3 25 3 ÒÎ-126
Á4025
n-p-n
Â6015
à 100 10
ÊÒ818 p-n-p
ÊÒ819
À(ÀÌ) 25 15
10(15) 60(100) 3
Á(ÁÌ) 40 20
n-p-n
Â(ÂÌ) 60 15
Ã(ÃÌ) 100 15
ÒÎ-220
(ÒÎ-3)
262 Часть 3. Приложение
Òèï
Струк
òóðà
êý ìàêñ
Â
,
h
21Ý, ìèí
U
-
I
ê ìàêñ,
À
Ð
ìàêñ
Âò
,
fãð,
ÌÃö
Корпус
ÊÒ825** p-n-p
ÊÒ827**
À 100
750 20 125 3 ÒÎ-3
n-p-n
Á80
Â60
ÊÒ8101À n-p-n
200 20 16 150 10 ÒÎ-218
ÊÒ8102À p-n-p
ÊÒ940À n-p-n
300 10(50) 0,1 10(6) 90(60) ÒÎ-126(ÊÒ969À) n-p-n
ÊÒ9115À p-n-p
ÊÒ850À(Á) n-p-n
250(300) 40(20) 2 25 20 ÒÎ-220
ÊÒ851À(Á) p-n-p
ÊÒ853À** p-n-p 100 750 8 60 7 ÒÎ-220
ÊÒ854À n-p-n 600 20 10 60 10 ÒÎ-220
ÊÒ858À n-p-n 450 10 7 60 4 ÒÎ-220
ÊÒ859À n-p-n 800 10 3 40 3 ÒÎ-220
ÊÒ872À n-p-n 1500 5 8 100 7 ÒÎ-218
ÊÒ890À** n-p-n 350 200 20 120 8 ÒÎ-218
ÊÒ892À** n-p-n 350 300 15 100 8 ÒÎ-3
ÊÒ896À** p-n-p 90 750 20 150 4 ÒÎ-218
ÊÒ897À** n-p-n
ÒÎ-3
350 400 20 150(100) 10
(ÊÒ898À)** n-p-n ÒÎ-220
ÊÒ8111À** n-p-n 100 750 20 125 10 ÒÎ-3
2SC3280 n-p-n
180 60 12 125 25 ÒÎ-3
2SA1516 p-n-p
2SC2922 n-p-n
180 30 17 200 40 ÌÒ-200
2SA1216 p-n-p
BD437 n-p-n
45 50 4 36 3 ÒÎ-126
BD438 p-n-p
BD911 n-p-n
100 50 15 90 10 ÒÎ-220
BD912 p-n-p
BDW93C** n-p-n
100 750 12 80 20 ÒÎ-220
BDW94C** p-n-p
3.5. Справочный материал 263
Òèï
Струк
òóðà
BDX53C** n-p-n
BDX54C** p-n-p
TIP31C n-p-n
TIP32C p-n-p
TIP33C n-p-n
TIP34C p-n-p
TIP35C n-p-n
TIP36C p-n-p
TIP41C n-p-n
TIP42C p-n-p
TIP102** n-p-n
TIP107** p-n-p
TIP121** n-p-n
TIP126** p-n-p
TIP122** n-p-n
TIP127** p-n-p
TIP142** n-p-n
TIP147** p-n-p
TIP142T** n-p-n
TIP147T** p-n-p
êý ìàêñ
Â
,
h
21Ý, ìèí
U
-
I
ê ìàêñ,
À
Ð
ìàêñ
Âò
,
fãð,
ÌÃö
100 750 8 60 20 ÒÎ-220
100 25 3 40 3 ÒÎ-220
100 25 10 80 3 ÒÎ-218
100 15 25 125 3 ÒÎ-218
110 20 6 65 3 ÒÎ-220
100 2500 8 80 4 ÒÎ-220
80 2500 5 65 4 ÒÎ-220
100 1000 5 75 4 ÒÎ-220
100 500 10 125 4 ÒÎ-218
100 1000 10 80 4 ÒÎ-220
Корпус
Высокочастотные биполярные маломощные транзисторы
Òèï
Структу-раU
êý ìàêñ
Â
,
h
21Ý,ìèíIê ìàêñ
,À Ð
,Âò fãð, ÌÃö
ìàêñ
Корпус
ÊÒ363À p-n-p
15 40 0,03 0,15 1500 ÒÎ-92
ÊÒ399À n-p-n
ÊÒ325ÀÌ
n-p-n 15
30
0,3 0,2
800
ÒÎ-92ÊÒ325ÁÌ 70 800
ÊÒ325ÂÌ 160 1000
ÊÒ368À,Á n-p-n 15 50 0,03 0,2 900 ÒÎ-92
ÊÒ372 n-p-n 15 10 0,01 0,05 2400 RF-15
ÊÒ3109À
p-n-p
25
15 0,05 0,17
800
RF-15
Á, Â 20 600
264 Часть 3. Приложение
Òèï
ÊÒ3117À
(À1)
Структу
ðà
n-p-n
U
-
,
êý ìàêñ
Â
h
21Ý,ìèíIê ìàêñ
60 40
,À Ð
,Âò fãð, ÌÃö
ìàêñ
0,4 0,3 200
Корпус
ÒÎ-18
(ÒÎ-92)
Á(Á1) 45 80
ÊÒ3126Á p-n-p 30 40 0,02 0,15 500 ÒÎ-92
ÊÒ3127À p-n-p 20 20 0,02 0,1 600 ÒÎ-18
ÊÒ3128À p-n-p 20 15 0,02 0,1 800 ÒÎ-18
2SC1923O n-p-n 40 70 0.02 0.1 550 ÒÎ-92
2SC1923Y n-p-n 40 70 0.05 0.1 550 ÒÎ-92
2SC2538 n-p-n 40 80 0,4 0,7 200 ÒÎ-92
2SC2851 n-p-n 35 50 0,3 1,0 1500
2SC2956 n-p-n 30 40 0,05 0,3 1100 ÒÎ-92
2SC3355 n-p-n
2SC3356 n-p-n 0,2 7000 ÒÎ-92
20 50 0,1
0,6 6500 ÒÎ-92
2SC3357 n-p-n 2,0 1000
2SC3585 n-p-n 20 100 0,04 0,2 10000
2SC3811 n-p-n 40 60 0,1 0,4 450 ÒÎ-92
2SC4046 n-p-n 120 250 0,2 0,8 330 ÒÎ-126
2SD2132 n-p-n 25 85 0,5 0,65 350 ÒÎ-92
BFR96S***
0,08 0,5 400 SOT-37
n-p-n 20 25
BFR96TS 0,1 0,7 5000 ÒÎ-50
Высокочастотные биполярные мощные транзисторы
Òèï
Струк-
òóðà
U
êý ìàêñ
,
h
Â
21Ý, ìèí
I
ê ìàêñ
,ÀÐ
ìàêñ
Âò
,
ÊÒ610À
n-p-n 26 50 0,3 1,5
Á 700
ÊÒ904À
n-p-n 60 10 0,8 5
Á 400
ÊÒ907À
n-p-n 60 10 1,0 13
Á 400
ÊÒ913À
0,5 4
n-p-n 55 15
 1,0 12
f
ãð
, ÌÃö
1000
450
450
900 RF28SÁ 1,0 8
Корпус
RF28S
ÒÎ-60
ÒÎ-60
3.5. Справочный материал 265
Òèï
Струк
òóðà
U
-
êý ìàêñ
Â
,
h
21Ý, ìèí
ÊÒ920À
Á 1,0 10
 3,0 25
n-p-n 36 10
I
,ÀÐ
ê ìàêñ
0,5 5
ìàêñ
Âò
,
, ÌÃö
f
ãð
Корпус
400 RF38S
à 3,0 25
ÊÒ922À
10 0,8 8
Á 10 1,5 20
 15 3,0 40
n-p-n 65
300 RF38S
à 15 1,5 20
Ä 15 3,0 40
ÊÒ925À
Á 10 1,0 11 500
 17 3,3 25 450
n-p-n 36
8 0,5 5 500
RF38S
à 10 3,3 25 450
ÊÒ930À
Á 10,0 120 400
n-p-n 50 15
ÊÒ934À
6,0 75 450
0,5 7 500
RF50
Á 1,0 15 500
 1,0 30 500
n-p-n 60 10
RF38S
à 1,0 15 450
Ä 2,0 30 450
ÊÒ393À n-p-n 30 40 0,4 4 2500 RF28S
ÊÒ914À p-n-p 65 20 0,8 7 300 ÒÎ-60
**составные — состоят из 2-х транзисторов
*** изготовлены в корпусе для поверхностного монтажа
ÊÏ103
ç
ñ
è
ÊÏ103
ÊÏ327
È
Ñ
Ç2
Ç1
ÊÏ501
çñè
çñ
è
ÒÎ-220, ÒÎ-247
çñ
è
Ê504ÍÒ1...4
1
2
3
4
8
7
6
5
ÊÏ303, ÊÏ307
Корпус
ç
èñ
IRF7105, 7307,
7309, 7319
1
è
2
ç
3
è
4
ç
c
c
ÊÏ305
Корпус
è
ñç
8
7
6
5
266 Часть 3. Приложение
Маломощные полевые транзисторы
Òèï Канал Затвор* S, ìÀ/ I
ÊÏ103À
0,7...2,1 0,55...1,2 0,5...2,2
,ìÀ U
ñ íà÷
Á 0,8...2,6 1,0...2,1 0,8...3,0
 1,4...3,5 1,7...3,8 1,4...4,0
à 1,8...3,8 3,0...6,6 2,0...6,0
Ä 2,0...4,4 5,4...12 2,8...7,0
Å 0,4...2,4 0,3...2,5 0,4...1,5
ð p-n
Æ 0,5...2,8 0,35...3,8 0,5...2,2
È 0,8...2,6 0,8...1,8 0,8...3,0
Ê 1,0...3,0 1,0...5,5 1,4...4,0
Ë 1,8...3,8 1,8...6,6 2,0...6,0
Ì 1,3...4,4 3,0...12 2,8...7,0
ÊÏ303À
1...4 0,5...2,5 0,5...3
Á 1...4 0,5...2,5 0,5...3
 2...5 1,5...5 1...4
à 3...7 3...12 8
Ä 2,6...4 3...9 8
n p-n
Å 4...6 5...20 8
Æ 1...4 0,3...3 0,3...3
È 2...6 1,5...5 0,5...2
ÊÏ305À
6...10
Á 4...8
 6...10
à 6...10
Ä 5...10
nâ
—
(ìàêñ. 15 ìÀ)
Å 4...8
Æ 5...10
È 4...10
ÊÏ307À
4...9 3...9 0,5...3
Á 5...10 5...15 1...5
 5...10 5...15 1...5
à 6...12 8...24 1,5...6
n p-n
Ä 6...12 8...24 1,5...6
Å 3...8 1,5...5 2,5
Æ 4...9 3...25 7,0
çè îòñ
, U
ñè ìàêñ
,Â
10
25
615
27
3.5. Справочный материал 267
Òèï Канал Затвор* S, ìÀ/ I
,ìÀ U
ñ íà÷
çè îòñ
, U
ñè ìàêñ
ÊÏ327À n â 11 —(ìàêñ. 30 ìÀ) 2...6 18
ÊÏ501À n è 100 (ìàêñ. 0,2 À) 2...4 240
Ê504ÍÒ1
Ê504ÍÒ2
À 0,3 0,1...0,7
p p-n 4,5...5,0 15
Á 0,5 0,4...1,5
 0,7 0,7...2,0
Ê504ÍÒ3
Ê504ÍÒ4
À 1,5 1,5...7,5
p p-n 4,5...5,0 15
Á 3,0 5,0...15
 5,0 7,5...20
*p-n в виде p-n-перехода, и — индуцируемый, в — встроенный
Мощные низкочастотные полевые транзисторы*
Òèï Канал
IRFZ14 n
U
ñè ìàêñ
60
,
Â
I
ñ ìàêñ
,À
1,0
Ð
ñ ìàêñ
Âò
43
,
,Îì
R
ñè
Корпус
0,2
ÒÎ-220
IRF9Z14 p 6,7 0,5
IRFZ24 n
60
17
60
0,1
ÒÎ-220
IRF9Z24 p 11 0,28
IRFZ34 n
60
30
90
0,05
ÒÎ-220IRF9Z34 p 18 0,14
ÊÏ727Á n 30 0,05
IRFZ44 n
60
42
150
0,028
ÒÎ-220
IRF9Z44 p 30 0,05
IRFZ46
n
60 50 120 0,024
ÒÎ-220IRFZ46N 55 50 150 0,02
ÊÏ741Á 55 50 150 0,02
IRFZ48
n
60 50 190 0,018
ÒÎ-220IRFZ48N 55 64 140 0,016
ÊÏ741À 60 50 190 0,018
IRFP048N n 55 50 100 0,02 ÒÎ-247
IRFP054N n 55 81 170 0,012 ÒÎ-247
,Â
268 Часть 3. Приложение
Òèï Канал
U
ñè ìàêñ
,
Â
I
ñ ìàêñ
,À
Ð
ñ ìàêñ
Âò
,
,Îì
R
ñè
Корпус
IRFP064N n 55 110 200 0,008 ÒÎ-247
IRF3205 n 55 110 200 0,008 ÒÎ-220
IRF510 n
100
5,6
43
0,54
ÒÎ-220
IRF9510 p 4,0 1,2
IRF520 n
100
8,0
60
0,27
ÒÎ-220
IRF9520 p 6,8 0,6
IRF530 n
100
14
88
0,16
ÒÎ-220
IRF9530 p 12 0,3
IRF540 n
100
28
150
0,077
ÒÎ-220IRF9540 p 19 0,2
ÊÏ746À n 28 0,077
IRF620 n
200
5,2
50
0,8
ÒÎ-220
IRF9620 p 3,5 1,5
IRF640 n
200
18
125
0,18
ÒÎ-220IRF9640 p 11 0,5
ÊÏ750À n 18 0,18
IRF710
2 36 3,6
IRF720 3,3 50 1,8
IRF730 5,0 75 1,0
n 400
ÒÎ-220
ÊÏ752À 5,0 75 1,0
IRF740 10 125 0,55
IRF820
n 500
2,5 50 3,0
ÒÎ-220IRF830 4,5 75 1,5
IRF840 8,0 125 0,85
IRFÂÑ20
n 600
2,2 50 4,4
ÒÎ-220IRFÂÑ30 3,6 75 2,2
IRFÂÑ40 6,5 125 1,2
IRFÂÅ20
n 800
1,8 55 6,5
ÒÎ-220
IRFÂÅ30 4,4 125 3,0
IRFÂF20
n 900
1,7 55 8,0
ÒÎ-220IRFÂF30 3,6 125 3,7
ÊÏ786À
IRFÂG30 n 1000 2,0 125 5,0 ÒÎ-220
3.5. Справочный материал 269
ñè ìàêñ
Â
25
20
30
30
30
60
60
100
100
200
200
,
±20 В) и индуцируемым каналом
çè
I
ñ ìàêñ
,À
3,5
4,3
4,0
6,5
13
1,7
2,5
1,0
1,3
0,6
0,8
Òèï Канал
n
IRF7105
p 2,5 0,25
n
IRF7307
p 3,6 0,09
n
IRF7309
p 3,5 0,1
n
IRF7319
p 4,0 0,05
IRF7413 n
IRF7416 p 10 0,02
IRF7103 n 50 3,0 2,0 0,13 SOIC-8
IRF7343 n 55 4,7 2,0 0,05 SOIC-8
IRFD014 n
IRFD9014 p 1,1 0,5
IRFD024 n
IRFD9024 p 1,6 0,28
IRFD110 n
IRFD9110 p 0,7 1,2
IRFD120 n
IRFD9120 p 1,1 0,6
IRFD210 n
IRFD9210 p 0,4 3,0
IRFD220 n
IRFD9220 p 0,56 1,5
IRFD420 n 500 0,46 1,3 3,0 DIP-4
* все с изолированным затвором (U
U
Ð
ñ ìàêñ
Âò
2,0
1,4
1,4
2,0
2,5
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
,
R
ñè
0,029
0,011
,Îì
0,1
0,05
0,05
0,2
0,1
0,54
0,27
1,5
0,8
Корпус
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
DIP-4
DIP-4
DIP-4
DIP-4
DIP-4
DIP-4
Диоды, варикапы, стабилитроны, тиристоры
В таблицах сведены только самые главные параметры этих видов полупроводников. Время обратного восстановления — время, за которое восстанавливается потенциальный барьер при изменении полярности напряжения на диоде с
прямой на обратную (при прямом включении потенциального барьера нет, поэтому через диод течет большой ток; при обратном включении возникает потенциальный барьер, мешающий протеканию тока). То есть, если напряжение на
диоде (например, КД103) очень резко изменится с +10 В (прямой ток) на −10 Â,
270 Часть 3. Приложение
то в течение 4 мкс через диод будет течь обратный ток (−10 В) и только через
4 мкс этот ток станет ничтожно малым.
Импульсные диоды идеально подходят для цифровых схем; их особенности — малое время обратного восстановления (т. е. они довольно высокочастотны), ничтожно малые индуктивность и емкость перехода, а также способность
выдерживать импульсы тока значительной амплитуды. Длительность этих импульсов не должна быть очень большой — корпус диода малогабаритный и кристалл легко перегревается. А тепловой пробой «не лечится».
В разделе «Стабилитроны» дана информация только по устаревшим стабилитронам серии «Д81х». Названия всех современных стабилитронов расшифровываются очень легко (см. предыдущую главу); минимальный и максимальный
токи стабилизации стабилитронов серии «КС» зависят от напряжения стабилизации и мощности стабилитрона:
I
cò.min
=
P
20 U
⋅
I
cò
cò.max
P
.
=,
U
cò
Для стабилитронов в корпусе длиной 3 мм мощность Р не превышает
0,1 Вт, для стабилитронов в 8-миллиметровом корпусе — 0,2 Вт, для стабилитронов в корпусе, как у Д814, — 0,5 Вт. Указанное значение I
ñò.min
(1/20 I
ñò.max
немножко завышено — у меня стабилитроны КС175, КС191 в 3-миллиметровом
корпусе начинают стабилизировать напряжение при протекающем через них
токе 50 мкА — этот ток в 300 раз больше максимально допустимого для них.
Основной «временной» параметр тиристоров — время выключения. Включаются все тиристоры практически мгновенно — благодаря «встроенной» очень
сильной положительной обратной связи, и эта же связь «мешает» тиристору так
же быстро отключиться.
Все упомянутые в таблице тринисторы и симисторы по управляющему электроду только включаются; выключить, соединив УЭ с катодом, можно только
тринистор MCR100.
Выпрямительные диоды
Òèï I
ÊÄ102À
Á 300 5
ÊÄ103À 50 4 20
,À U
ìàêñ
0,1
, Â t*, ìêñ f
ìàêñ
250 5
ìàêñ
, êÃö Аналог
)
Á50420
ÊÄ105À
Á 400
 600
à 800
0,3
200
1
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]