Электроника. Лабораторный практикум. Учебно-методическое пособие
.pdf
Динамическая характеристика строится путём переноса точек пересечения нагрузочной прямой и семейства выходных характеристик в систему координат передаточных характеристик (рис. 6.3).
|
Статическая |
Iс |
Iс |
|
|
|
Uзи= 0 |
|
характеристика |
|
Eк |
|
|
|
|
|
Uси= Еср |
6 |
|
|
|
|
|
|
|
R |
|
|
|
|
|
|
Динамическая |
|
н |
|
|
|
Uзи= – 0,5 |
|
|
|
|
|
|
||
|
характеристика |
4 |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Uзи= –1,0 |
|
|
2 |
2 |
|
|
|
Uзи= –1,25 |
|
|
|
|
|
|
|
Uзи= –1,5 |
Uзи |
–2,0 –1,5 –1 |
–0,5 |
2 |
4 |
6 |
Еср |
Uси |
Рис. 6.3. Пример построения динамической сток-затворной характеристики
На динамической характеристике выделите участок, близкий к линейному.
6. Результаты выполнения предварительного задания сведите в
табл. 6.4, где г, р |
– статический коэффициент усиления по напряже- |
|||||
нию, определённый графически и по формуле (6.4). |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
Таблица 6.4 |
S , мА/В |
R , кОм |
г |
р |
R , кОм |
г |
р |
|
i |
|
|
н |
Ku |
Ku |
71
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Экспериментальные исследования полевого транзистора VT1 проводятся в блоке «3А», схема которого показана на рис. 6.4.
X1 |
X3 |
X5 |
X6 |
R1 |
X7 |
|
|
|
S1 |
|
– |
|
VT1 |
A |
+ |
|
|
|||
V1 |
V |
V |
V |
V2 |
+ |
|
|
|
– |
|
X2 |
X4 |
X8 |
|
Рис. 6.4. Принципиальная схема блока «3А»
Лабораторное задание
1. Ознакомьтесь с основными параметрами полевого транзистора с каналом n-типа КП303А по табл. 6.5. Перепишите в отчет номинальные и предельно допустимые параметры.
|
Таблица 6.5 |
|
|
Значение |
|
Параметры транзистор КП303А |
|
|
Максимальный ток стока Ic max, мА |
20 |
|
Максимальное напряжение сток–исток Ucи max, В |
25 |
|
Максимальное напряжение затвор–исток Uзи max, В |
30 |
|
Напряжение отсечки Uотс, В |
0,5...3 |
|
Крутизна сток-затворной характеристики S, мА/В |
1...4 |
|
2. Снимите данные для построения семейства статических стокзатворных (передаточных) характеристик Iс f (Uзи)Uси const .
Проводниками, как показано на рис. 6.3, подключите к клеммам Х5, Х6 миллиамперметр с пределом измерения 20 мА. Вольтметр используется попеременно. Сначала установите фиксированное напряжение на сток–истоке (Х3, Х4) и затем меняйте входное напряжение на затворе (Х1, Х2). Переключателем S1 отключите сопротивление нагрузки (R1) (положение «Замкнут»).
72
Выведите все ручки регулировки источников питания V1 и V2 в крайнее левое положение. Включите питание стенда, кнопкой «3А» подключите исследуемую схему.
Данные для построения семейства сток-затворных характеристик снимайте путем установления поочерёдно на сток–истоке напряжения
Uси= 2, 4, 6, 8, 10 В. Напряжение на затворе в каждом случае меняйте
от 0 до Uотс , т. е. до значения, когда Iс 0. Запишите в отчёт найденное экспериментальное значение Uотс .
3. Снимите данные для построения семейства статических стоковых (выходных) характеристик
Iс f (Uси)Uзи const .
Данные снимите для пяти значений напряжения на затвор-истоке
(Uзи 0, Uзи, 2 Uзи, 3 Uзи, 4 Uзи) с равномерным шагом Uзи
Uотс
5, где Uотс – экспериментальное значение напряжения отсечки,
полученное в п. 2.
Указание: Uзи округлить до десятых долей вольта.
Для получения Uзи 0 В отсоедините от схемы миллиамперметр и
вольтметр и замкните проводником клеммы Х3, Х4. Напряжение на стоке в каждом случае меняйте от 0 до 12 В.
4. Исследуйте работу полевого транзистора в режиме усиления. Для этого подключите в цепь стока транзистора сопротивление нагрузки R1 (ключ S1 разомкнут).
Задайте по графику выходных характеристик рабочую точку так, чтобы она оказалась в центре экспериментального семейства. Реко-
мендуется выбрать (Uзир 2U зи; Uсир 5 или 6 В).
Источниками питания V1 и V2 поочерёдно установите выбранные значения Uзир, Uсир сначала на затворе, а затем на стоке. Измерьте
полученное при этом рабочее напряжения питания усилителя Eср (клеммы Х7, Х8) и ток стока Iс р (клеммы Х5, Х6).
На выходных и передаточных характеристиках отметьте положение рабочей точки. Увеличьте и уменьшите напряжение на затворе на вели-
73
чину Uзир Uзи . По вольтметру, подключенному к клеммам Х3, Х4,
отсчитайте соответствующие изменения напряжения на стоке. Вычислите инструментальное значение коэффициента усиления по напряжению
Kuи Uсип |
Uзип , |
(6.9) |
где Uсип и Uзип – полные приращения напряжений на стоке и затво-
ре относительно рабочей точки.
5. Исследуйте работу полевого транзистора в качестве электрически управляемого резистора. Для этого снимите зависимость и по-
стройте график.Uси f (Uзи). Напряжение Uзи меняйте от 0 до Uотс.
Указание. Переключатель S1 оставьте в положении, при котором нагрузка включена. Источником питания V2 установите напряжение
питания Eс 2 В. При этом транзистор перейдет в область омического режима работы.
4. ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ
1. Постройте экспериментальную зависимость крутизны полевого
транзистора от напряжения на затворе S f (Uзи)Uси 10 В .
Крутизну вычисляйте по статической передаточной характеристике, для которой Uси 10 В, по формуле
S(Uзи) Iс |
Uзи |
|
Uзи 0, Uзи, ...Uотс , |
(6.10) |
|
||||
|
|
где Iс и Uзи – малые приращения тока стока и напряжения на за-
творе с центром в точках Uзи 0, Uзи, 2 Uзи, 3 Uзи...,Uотс.
На одном графике постройте экспериментальную (6.10) и теоретическую (6.11) зависимость крутизны от напряжения на затворе:
S(Uзи) |
|
2Iс max Uотс |
|
(1 Uзи Uотс), |
(6.11) |
|
|
где Iс max – значение тока стока при Uзи 0. Сравните теорию и эксперимент.
74
2. Выделите на семействе выходных характеристик область омического режима и режима насыщения.
Рассчитайте внутреннее сопротивление транзистора (Ri ) в омической области (точка Uси 1В; Uзи Uзи р ) и в области насыщения
(Uси Uси р; Uзи Uзи р ) по формуле Ri ( Uси
Iс)Uзи=сonst .
В рабочей точке рассчитайте статический коэффициент усиления полевого транзистора по напряжению ( Uси
Uзи) Ic Ic р двумя
способами:
по семейству сток-затворных характеристик ( г );
по формуле р SRi , используя значения S и Ri в рабочей точке.
Сравните г и р.
3. Рассчитайте коэффициент усиления по напряжению (Ku ) при
работе полевого транзистора в режиме усиления:
по графикам семейства выходных характеристик, используя нагрузочную прямую, проведенную через рабочую точку и точку
(I |
c |
0, U |
си |
E |
) по формуле K г U |
си |
U |
зи |
, где приращения |
|
|
с р |
u |
|
|
даются относительно рабочей точки;
по формуле Kuр (SR1)/(1 R1 / Ri ), где S и Ri – значения кру-
тизны и внутреннего сопротивления в рабочей точке. Сравните Kuг , Kuр и Kuи .
4.Постройте динамическую сток-затворную характеристику, используя семейство статических выходных характеристик и нагрузочную прямую.
5.Рассчитайте и постройте для области омического режима зависимость сопротивления канала как функцию напряжения на затворе по выражению
Rси(Uзи) Ef (Ufзи(U)R1 ) ,
с зи
где f (Uзи) – это экспериментальные значения напряжения Uси, взятые из графика зависимости Uси f (Uзи) Eс 2 В из п.5 раздела 3.
75
5.СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
1.Предварительное задание.
2.Цель работы.
3.Основные справочные данные исследуемого транзистора.
4.Принципиальная схема блока экспериментальных измерений.
5.Семейства экспериментальных статических передаточных и выходных характеристик с нагрузочной прямой, а также график динамической сток-затворной характеристики.
6.Графики расчетных зависимостей S(Uзи) и Rси(Uзи).
7.Значения статического коэффициента усиления по напряжению
г, р и коэффициента усиления усилительного каскада Kuг, Kuр и
Kuи , полученные различными способами
8.По результатам работы заполните табл. 6.6.
Таблица 6.6
S , мА/В |
R , кОм |
г |
р |
и |
г |
р |
|
i |
|
|
Ku |
Ku |
Ku |
|
|
|
|
|
|
|
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1.Поясните принцип действия полевого транзистора с управляющим p–n-переходом.
2.Объясните поведение статических выходных характеристик в омической области и в области насыщения.
3.Объясните поведение статических сток-затворных характери-
стик.
4.Изобразите входную характеристику полевого транзистора с управляющим p–n-переходом.
5.Дайте определение основных параметров полевых транзисторов.
6.Как по различным семействам статических характеристик рас-
считать S, Ri и ?
7.Как влияет изменение температуры на параметры полевых транзисторов?
8.Поясните графически, как вычислить коэффициент усиления
усилителя Ku и как влияет сопротивление нагрузки на его величину?
76
9.Что такое динамическая сток-затворная характеристика, как ее построить и что по ней можно определить?
10.Поясните работу полевого транзистора в режиме электрически управляемого сопротивления.
11.Проведите сравнительную характеристику полевых и биполярных транзисторов.
12.Назовите основные области применения полевых транзисторов и схемы их подключения.
Литература: [2, с. 284–293; 4, с. 116–124; 6, с. 235–244].
77
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1.Разинкин В.П. Электроника: учеб. пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2008. – Ч.2 – 108 с.
2.Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учеб. пособие. – СПб.: Питер, 2006. – 522 с.
3.Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высш. шк., 2004. – 622 с.
4.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488 с.
5.Расадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высш.
шк., 1991. – 351 с.
6.Электронные приборы / под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиз-
дат, 1989. – 496 с.
7.Батушев В.А. Электронные приборы: учебник. – М.: Высш. шк., 1980. –
383 с.
8.Морозова И.Г. Физика электронных приборов. – М.: Атомиздат, 1980. –
392 с.
78
|
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
Введение................................................................................................................... |
3 |
|
Лабораторная работа № 1. Полупроводниковые диоды ................................ |
6 |
|
1. |
Краткие теоретические сведения..................................................................... |
6 |
2. |
Предварительное задание............................................................................... |
10 |
3. |
Экспериментальная часть............................................................................... |
11 |
4. |
Обработка результатов эксперимента.......................................................... |
13 |
5. |
Содержание отчета......................................................................................... |
14 |
Лабораторная работа № 2. Полупроводниковый стабилитрон.................. |
16 |
|
1. |
Краткие теоретические сведения................................................................... |
16 |
2. |
Предварительное задание............................................................................... |
17 |
3. |
Экспериментальная часть............................................................................... |
21 |
4. |
Анализ работы стабилизатора напряжения.................................................. |
25 |
5. |
Содержание отчета......................................................................................... |
26 |
Лабораторная работа № 3. Транзистор в схеме с общей базой.................... |
28 |
|
1. |
Краткие теоретические сведения................................................................... |
28 |
2. |
Предварительное задание............................................................................... |
33 |
3. |
Экспериментальная часть............................................................................... |
37 |
4. |
Обработка результатов эксперимента........................................................... |
41 |
5. |
Содержание отчета......................................................................................... |
42 |
Лабораторная работа № 4. Транзистор в схеме с общем эмиттером......... |
44 |
|
1. |
Предварительное задание............................................................................... |
44 |
2. |
Экспериментальная часть............................................................................... |
47 |
3. |
Обработка экспериментальных данных........................................................ |
50 |
4. |
Содержание отчета......................................................................................... |
51 |
|
79 |
|
Лабораторная работа № 5. Моделирование биполярного транзистора |
|
|
в режиме большого сигнала............................................................................... |
54 |
|
1. |
Краткие теоретические сведения................................................................... |
54 |
2. |
Экспериментальная часть............................................................................... |
57 |
3. |
Обработка результатов эксперимента........................................................... |
59 |
4. |
Содержание отчета......................................................................................... |
62 |
Лабораторная работа № 6. Полевой транзистор............................................ |
64 |
|
1. |
Краткие теоретические сведения................................................................... |
64 |
2. |
Предварительное задание............................................................................... |
69 |
3. |
Экспериментальная часть............................................................................... |
72 |
4. |
Обработка экспериментальных данных........................................................ |
74 |
5. |
Содержание отчета......................................................................................... |
76 |
Библиографический список.................................................................................. |
78 |
|
Меренков Владимир Майевич Разинкин Владимир Павлович Зотов Леонид Григорьевич
ЭЛЕКТРОНИКА
ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ
Учебно-методическое пособие
Редактор Л.Н. Ветчакова
Выпускающий редактор И.П. Брованова Дизайн обложки А.В. Ладыжская Компьютерная верстка Л.А. Веселовская
Налоговая льгота – Общероссийский классификатор продукции Издание соответствует коду 95 3000 ОК 005-93 (ОКП)
___________________________________________________________________________________
Подписано в печать 09.06.2017. Формат 60 × 84 1/16. Бумага офсетная. Тираж 150 экз. Уч.-изд. л. 4,65. Печ. л. 5,0. Изд. № 338/16. Заказ № 821. Цена договорная
___________________________________________________________________________________
Отпечатано в типографии Новосибирского государственного технического университета
630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20
80
