Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Материалы электронной техники. Диэлектрики. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
12.08.2026
Размер:
773 Кб
Скачать

 

 

Варианты для задачи 22

 

 

 

 

 

 

Номер

Площадь

Емкость

Диэлектрическая

Электрическая

варианта

обкладок

C, пФ

проницаемость ε

прочность

S, м2

Eпр, МВ/м

1

6 · 10–4

1000

7

100

2

5 · 10–4

2000

6,5

110

3

3 · 10–4

3000

7

100

4

4 · 10–4

1500

7,5

90

5

6 · 10–4

2500

7

120

6

5 · 10–4

900

6,5

80

7

3 · 10–4

1300

7

100

8

4 · 10–4

800

6,5

110

9

6 · 10–4

500

7

100

10

5 · 10–4

450

7,5

90

11

3 · 10–4

600

7

120

12

4 · 10–4

1800

6,5

80

13

6 · 10–4

1850

7

100

14

5 · 10–4

1600

6,5

110

15

3 · 10–4

1300

7

100

16

4 · 10–4

450

7,5

90

17

4 · 10–4

600

7

120

18

6 · 10–4

1800

6,5

80

 

 

Варианты для задачи 23

 

 

 

 

 

 

 

Электрическая

Номер

Емкость

Площадь

Напряжение

Диэлектриче-

варианта

C, пФ

обкладок

U, кВ

ская проницае-

прочность

S, см2

мость ε

Eпр, В/м

1

68

10

10

6,5

5

· 107

2

55

20

2

6,8

6

· 107

3

60

5

5

6,7

7

· 107

4

70

30

7

6,1

6,5

· 107

5

60

10

20

6,5

4

· 107

6

50

15

30

6,8

2

· 107

7

50

11

7

6,7

5

· 106

8

55

9

5

6,1

6

· 107

 

 

 

31

 

 

 

 

 

 

 

Окончание таблицы

 

 

 

 

 

Электрическая

Номер

Емкость

Площадь

Напряжение

Диэлектриче-

обкладок

ская проницае-

прочность

варианта

C, пФ

S, см2

U, кВ

мость ε

Eпр, В/м

9

60

13

11

6,5

7

· 107

10

70

5

10

6,8

6,5

· 107

11

60

10

2

6,7

4

· 107

12

50

20

5

6,1

2

· 107

13

50

5

7

6,5

5

· 108

14

55

30

20

6,8

6

· 107

15

60

10

30

6,7

7

· 107

16

70

20

7

6,1

6,5

· 107

17

60

5

5

6,1

4

· 107

18

50

30

11

6,5

2

· 107

24. В плоском конденсаторе емкостью C используется неорганическое стекло, имеющее диэлектрическую проницаемость ε и пробивную напряженность Eпр . Каким следует выбрать толщину диэлектрика h и

площадь обкладок S, если конденсатор должен работать при напряжении U при четырехкратном запасе по электрической прочности? Возможность поверхностного пробоя при расчете не учитывать.

 

 

Варианты для задачи 24

 

 

 

 

 

 

Номер

Емкость

Диэлектрическая

Пробивная

Напряжение

напряженность

варианта

C, пФ

проницаемость ε

U, кВ

 

39

 

Eпр, МВ/м

 

1

6

100

16

2

41

6,8

120

15

3

48

6,7

150

14

4

56

6,1

140

13

5

68

6,5

200

30

6

30

6,8

180

25

7

35

6

90

32

8

30

6,8

170

40

9

51

6,7

80

42

10

48

7

160

40

 

 

32

 

 

 

 

 

Окончание таблицы

 

 

 

 

 

Номер

Емкость

Диэлектрическая

Пробивная

Напряжение

напряженность

варианта

C, пФ

проницаемость ε

U, кВ

 

35

 

Eпр, МВ/м

 

11

6

70

30

12

25

6,5

140

20

13

22

6,8

130

10

14

51

6,7

105

8

15

48

7

110

15

16

35

6

100

18

17

25

6,5

200

16

18

22

6,1

95

18

25. Известно, что при тепловом пробое в равномерном поле диэлектрик однородной структуры толщиной h, расположенный между электродами площадью S, пробивается при напряжении U. При каком напряжении пробьется этот же диэлектрик, если его расположить меж-

ду электродами площадью S1?

 

 

Варианты для задачи 25

 

 

 

 

 

 

 

Номер

Площадь элек2

-

Пробивное

Толщина

Измененная

напряжение

диэлектрика

площадь элек-

варианта

тродов S, см

 

U, кВ

h, мм

тродов S1, см2

1

2

 

15

2

3

2

1,5

 

16

5

2

3

1,6

 

18

7

2,5

4

3

 

20

1

4

5

3,5

 

21

4

4

6

4

 

14

3

5

7

3,8

 

15

2

6

8

5

 

16

5

7

9

1,5

 

18

7

3

10

2

 

20

1

5

11

2,5

 

21

4

8

12

6

 

14

3

10

13

2

 

15

2

4,5

 

 

 

33

 

 

 

 

 

 

Окончание таблицы

 

 

 

 

 

 

Номер

Площадь

 

Пробивное

Толщина

Измененная

2

напряжение

диэлектрика

площадь элек-

варианта

электродов S, см

 

U, кВ

h, мм

тродов S1, см2

14

1,5

 

16

5

5,5

15

1,6

 

18

7

3,5

16

3,8

 

20

1

5

17

5

 

21

4

9

18

1,5

 

14

3

4

26. Известно, что при тепловом пробое диэлектрик толщиной h0

пробивается при напряжении U на частоте f. При каком напряжении промышленной частоты пробьется такой же диэлектрик толщиной h?

 

Варианты для задачи 26

 

 

 

 

 

 

Номер

Начальная

Пробивное

Частота

Толщина

толщина диэлек-

напряжение

диэлектрика

варианта

f, Гц

 

трика h0, мм

U, кВ

100

h, мм

1

4

15

2

2

4,2

20

150

2,2

3

4,4

25

200

2,4

4

4,6

30

250

1,6

5

4,8

35

300

1,8

6

5

40

350

2

7

6

10

150

1,5

8

7

15

250

1,2

9

6,5

10

100

1

10

7

20

80

0,8

11

4,4

10

300

2,4

12

4,6

35

100

1,6

13

4,8

30

150

1,8

14

5

25

150

2

15

6

21

200

1,5

16

7

18

250

2

17

6,5

20

250

1,8

18

7

10

100

2

 

 

34

 

 

27. На обкладки конденсатора подали напряжение U1. Между обкладками находится однородный материал с диэлектрической проницаемостью 1 . Затем его заменили материалом с другой диэлектриче-

ской проницаемостью, а к конденсатору приложили напряжение U2 . Напряженность электрического поля в диэлектрике в обоих случаях одинакова, а расстояние между обкладками во втором случае h2 .

Определить расстояние между обкладками и емкость конденсатора в первом случае, если площадь обкладок S.

 

 

Варианты для задачи 27

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напря-

Площадь

Диэлектриче-

 

Расстояние

 

Номер

жение

обкладок

ская проницае-

 

между

Напряжение

варианта

U1, кВ

S, см2

мость ε1

 

обкладками

U2, кВ

 

 

 

 

 

h2, мм

 

1

5

2 × 4

6

 

4

10

2

6

3× 4

6,8

 

3

12

3

7

4 × 4

6,7

 

4

13

4

8

2 × 4

6,1

 

3

14

5

9

3 × 5

6,5

 

4

16

6

4

4 × 6

6,8

 

3

18

7

5

3 × 4

6,7

 

4

17

8

6

4 × 3

6,1

 

3

20

9

7

2 × 2

6,5

 

4

25

10

1

3 × 1

6,8

 

3

28

11

2

2 × 4

6,7

 

4

24

12

3

3 × 5

6,1

 

3

22

13

5

4 × 6

6,5

 

4

20

14

4

3 × 4

6,8

 

3

19

15

2

4 × 3

6,7

 

4

11

16

3

4 × 6

6,1

 

3

22

17

6

3 × 4

6,1

 

4

21

18

2

4 × 3

6,5

 

3

17

28. Определить минимальную скорость электрона, чтобы он мог ионизировать атом неона, если потенциал ионизации последнего U = 21,5 В. Какое расстояние должен пройти электрон в поле напряженностью 3 МВ/м, чтобы приобрести эту скорость?

35

29. Средняя длина свободного пробега электрона в неоне составля-

ет 7,9 10 4 м при T = 300 К и давлении p = 133 Па. Определить мини-

мальную напряженность электрического поля, при которой электрон на длине свободного пробега достигнет энергии ионизации неона. Начальную скорость электрона принять равной нулю. Потенциал ионизации неона U = 21,5 В.

30.При нормальных условиях (p = 105 Па, T = 20 ºC) электриче-

ская прочность воздуха составляет 3,2 МВ/м. Как изменится электрическая прочность, если температура повысится до 100 ºC, а давление – до 0,2 МПа?

31.Поляризованность насыщения Ps монокристаллического образца титаната бария при воздействии электрического поля вдоль кри-

сталлографического направления [100] составляет 0,26 Кл/м2 . Определить значение Ps при воздействии электрического поля вдоль направления [111].

32. Вывести выражение, позволяющее рассчитать тангенс угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрика по известной площади петли гистерезиса, полученной, например, на экране осцилографа.

33. В результате электризации плоского диэлектрика на нем получена поверхностная плотность связанных электрических зарядов

10 4 Кл/м2 . Как изменится σ, если электрет на некоторое время

закоротить с помощью металлических электродов? Электрическая плотность воздуха Eпр.в 3,2 МВ/м.

34. К пластине пьезоэлектрического кварца, вырезанной перпендикулярно оси Х, приложена разность потенциалов U = 2000 В. Найти деформацию образца h в направлении действия электрического поля, если толщина пластины h = 1,5 мм, а пьезомодуль для продольного

пьезоэффекта d11 2,3 10 12 Кл/Н. Как изменится абсолютная деформация образца, если его толщину увеличить вдвое?

35. Определить:

а) изменение поляризованности P для ниобата лития, пироэлектрический коэффициент которого p 2 10 3 Кл/(м3 К) , при изменении температуры на T = 10 К;

36

б) чувствительность по напряжению RU , если его диэлектрическая проницаемость ε = 30, а удельная объемная теплоемкость c =

=3 МДж/( м3 К ).

36.Диэлектрическая проницаемость кристаллов граната иттрия Y3Al5O12 на частоте f = 1 МГц 1 = 11,7. Во сколько раз изменится

диэлектрическая проницаемость 2 на частоте 5 1014 Гц, если на этой частоте показатель преломления n = 1,83?

37. Дана эквивалентная схема конденсатора (см. рисунок), на которой C – емкость конденсатора, R – сопротивление изоляции, r – сопротивление выводов и обкладок. Вывести выражение для расчета танген-

са угла электрических потерь tg к конденсатора, учитывая потери в диэлектрике и в металле.

Схема для задачи № 37

38. Два дисковых конденсатора, изготовленных из одного и того же керамического материала, имеют различные номинальные емкости и

напряжения: Cном1, Uном1, Cном2, Uном2 . Чему равно отношение постоянных времени этих конденсаторов?

 

Варианты для задачи 38

 

 

 

 

 

 

 

Емкость

Номинальное

Емкость

Номинальное

Номер

напряжение

напряжение

первого

второго кон-

варианта

конденсатора

первого

денсатора

второго

конденсатора

конденсатора

 

Cном1, пФ

Uном1, В

Cном2, пФ

Uном2, В

 

 

 

1

75

500

510

100

2

80

600

470

200

3

85

650

430

300

 

 

37

 

 

 

 

 

Окончание таблицы

 

 

 

 

 

 

Емкость

Номинальное

Емкость

Номинальное

Номер

напряжение

напряжение

первого

второго кон-

варианта

конденсатора

первого

денсатора

второго

конденсатора

конденсатора

 

Cном1, пФ

Uном1, В

Cном2, пФ

Uном2, В

 

 

 

4

90

550

390

90

5

95

510

330

85

6

100

480

470

65

7

105

495

680

130

8

110

475

560

100

9

115

500

750

200

10

120

600

550

300

11

80

650

470

90

12

100

550

430

85

13

95

510

390

65

14

75

480

330

130

15

68

495

470

100

16

111

650

510

200

17

70

550

470

300

18

78

510

430

90

39. Керамический диэлектрик пробивается при

напряженности

переменного электрического поля 30 МВ/м. Два плоских конденсатора емкостью C1 = 150 и C2 = 470 пФ с изолирующим слоем из этого

диэлектрика толщиной h = 0,5 мм соединены последовательно. При каком наименьшем переменном напряжении частотой 50 Гц пробьется

эта система? Постоянная времени конденсаторов C = 100 МОм · мкФ.

Варианты для задачи 39

 

Напряжен-

Емкость

Емкость

 

Толщина

Постоянная

Номер

ность

Часто-

переменно-

первого

второго

диэлек-

времени

вариан-

го электри-

конденса-

конденса-

та f, Гц

трика h,

конденса-

та

ческого по-

тора C1, пФ

тора C2, пФ

 

мм

торов τC,

 

ля E, МВ/м

 

 

 

 

МОм · мкФ

 

 

 

 

 

 

1

30

150

470

50

0,5

100

2

35

170

500

60

1

150

 

 

 

38

 

 

 

Окончание таблицы

 

Напряжен-

Емкость

Емкость

 

Толщина

Постоянная

Номер

ность

Часто-

переменно-

первого

второго

диэлек-

времени

вариан-

го электри-

конденса-

конденса-

та f, Гц

трика

конденса-

та

ческого по-

тора C1, пФ

тора C2, пФ

 

h, мм

торов τC,

 

ля E, МВ/м

 

 

 

 

МОм · мкФ

 

 

 

 

 

 

3

40

180

510

50

1,5

180

4

50

50

680

60

2

200

5

45

68

910

50

2,5

80

6

30

91

780

60

3

50

7

25

100

470

50

3,5

40

8

30

121

500

60

4

30

9

35

110

510

50

1

200

10

40

136

680

60

1,5

100

11

50

180

680

50

2

160

12

35

190

910

60

2,5

300

13

40

145

780

50

0,5

150

14

50

150

470

60

0,2

75

15

45

170

430

50

0,1

200

16

30

180

390

60

0,05

180

17

30

50

340

50

0,04

100

18

20

168

510

60

0,1

80

39

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Сорокин В.С., Антипов Б.Л., Лазарева Н.П. Материалы и элементы электронной техники: учебник для вузов. – М.: Издательский Центр «Акаде-

мия», 2006. – 208 с.

2.Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы: учебник для вузов. – Л.: Энергоатомиздат, 1985. – 304 с.

3.Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков: учеб. пособие для вузов. – Киев: Высшая школа, 1980. – 400 с.

4.Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: учеб-

ник. – СПб.: Лань, 2004. –368 с.

5.Агеева Н.Д., Винаковская Н.Г., Лифанов В.Н. Электротехническое мате-

риаловедение: учеб. пособие. – Владивосток: Изд-во ДВГТУ, 2006. – 76 с.

6.Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной тех-

ники: вопросы и задачи. – М.: Высшая школа, 1990. – 208 с.

40

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]