Выводы:
Из
графика видно, что крутизна S МДП-транзистора
в области насыщения является обратно
пропорциональной толщине подзатворного
диэлектрика d. При малых значениях d
ёмкость C велика, что приводит к
значительному росту крутизны.
При
увеличении толщины d ёмкость диэлектрика
падает, сила управления каналом
уменьшается и крутизна существенно
снижается. На графике это выражается в
резком падении S при переходе от
нанометровых толщин к десяткам и сотням
нанометров.
Данная
зависимость подчёркивает ключевую роль
толщины подзатворного слоя в проектировании
транзисторов: слишком толстый диэлектрик
ухудшает их электростатические
характеристики, однако чрезмерное
уменьшение толщины ограничено пробивным
напряжением и ростом туннельных токов.
Одним из путей решения этой проблемы
является применение материалов с высокой
диэлектрической проницаемостью (high-k)
(уже упоминались выше), которые позволяют
увеличить C без уменьшения физической
толщины.
