КурсБипТранз

2. Расчёт толщины базы:

Из соотношения: [1]

Тогда

Из толщины базы можно рассчитать время переноса носителей заряда через базу:

[1]

D_б – коэффициент диффузии неосновных носителей зарядов в базе. База в рассматриваемом случае – p-проводимости, тогда D_б = D_e.

2. Площадь эмиттерного и коллекторного перехода:

Площадь коллекторного перехода находится по формуле:

где, Jэ – плотность тока эмиттера. Возьмем типовое значение Jэ ~ 10² А/см², тогда:

Площадь коллекторного перехода в биполярном транзисторе больше, чем эмиттерного. Для дискретного транзистора отношение их площадей лежит в диапазоне 2…10. Тогда пусть площадь коллекторного перехода:

Геометрические размеры проектируемого транзистора:

Рисунок 10 – Геометрические размеры транзистора

Остальные расчёты давай сам думай)

12