2. Расчёт изменения удельного и поверхностного сопротивлений после легирования пластин.

Т.к. измерения параметров пластин КДФ1-5 не проводились, рассмотрим изменение удельной проводимости на пластинах КДФ6 и КДФ8. Рассматривать будем измерения в левой точке пластины, т.к. именно там была проведена ионная имплантация. Без термической активации имплантированные ионы бора остаются в междоузлиях кристаллической решётки, оставаясь электронейтральными дефектами в структуре. Повышение дозы ведет за собой рост количества дефектов, ухудшающих подвижность носителей, что способствует росту сопротивления.

Если взглянуть на таблицу 7, можно заметить небольшое увеличение значений параметров с ростом дозы, которое, однако, остается в пределах погрешности.

3. Используя данные измерений пластин 6-9 проанализировать влияние температурной активации.

Температурная обработка, в свою очередь, активирует примесь – ионы бора встраиваются в узлы решётки, увеличивая концентрацию дырок. Чем выше доза, тем больше активных носителей, что снижает сопротивление.

Сравним удельные сопротивления левых частей пластин КДФ7,9 с правой частью пластины КДФ6, т.к. она не была подвержена ни ионной имплантации, ни термической активации. Значения возьмем из таблицы 7. Как можно увидеть, значение удельного сопротивления у КДФ7 уменьшилось на 8,4% относительно КДФ6 ( . С увеличением дозы растет и концентрация дырок, что должно снижать сопротивление еще больше. Значение удельного сопротивления у КДФ9 уменьшилось уже на 31,3% относительно КДФ6 ( .

Вывод:

В работе был успешно применён четырёхзондовый метод, позволивший точно измерить удельное и поверхностное сопротивления без влияния контактных помех.

В ходе анализа эксперимента с пластинами КДБ6-9 было установлено, что температурная активация при 900°C является ключевым фактором снижения сопротивления. Без неё (КДБ6, КДБ8) даже высокая доза имплантации не приводит к улучшению проводимости из-за неактивности примеси. Напротив, после активации (КДБ7, КДБ9) наблюдается значительное снижение сопротивления, что объясняется увеличением концентрации дырок.