Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
physics_bookshelf_electrostatics_andreev_chernykh.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
02.12.2025
Размер:
496.2 Кб
Скачать

Так как у проводника ϕ = const , то E перпендикулярен поверхно-

сти проводника (силовые линии ортогональны эквипотенциальной поверхности проводника).

Применим теорему Гаусса для любого объема внутри проводника:

SEn dS = ε 1ε0 Vρ dV = 0 .

Отсюда следует, что ρ = 0 внутри проводника в равновесии. Таким

образом, индуцированный или избыточный заряд в равновесии может находиться только на поверхности проводника. На рис. 43 показаны силовые линии электростатического поля при помещении в него проводника.

+

 

 

Можно показать, что между зарядом

 

+

 

проводника Q и его потенциалом ϕ сущест-

 

 

вует прямо пропорциональная зависимость:

 

+

 

 

 

 

+

 

Q = Cϕ, где C– коэффициент

пропорцио-

 

+

 

 

 

 

+

 

 

 

 

+ +

 

нальности, который называется

электроем-

 

 

 

 

 

костью уединенного проводника. Таким об-

 

 

 

 

 

 

 

 

разом, величина C численно равна заряду,

 

 

 

 

 

Рис. 43

который необходимо сообщить проводнику,

 

чтобы его потенциал стал равен 1 В.

 

 

 

 

7.2. Электроемкость плоского конденсатора

Конденсатор – система двух разноименно заряженных равными по абсолютной величине зарядами проводников, таких, что поле, создаваемое ими, сосредоточено между ними. Эти проводники называют обкладками конденсатора.

Рассмотрим систему, состоящую из двух параллельных разноименно заряженных пластин, расстояние между которыми d много меньше линейных размеров пластин (рис. 44). Такой конденсатор называется плоским конденсатором. Заряды на пластинах удовлетворяют условию

Q1 = −Q2 , Q1 = Q2 = Q.

Разность потенциалов между двумя произвольными точками на одной и другой пластинах выражается формулой

 

2'

σ

2

σ

 

Qd

 

ϕ1 −ϕ2 = El dl =

 

dl + 0dl =

 

d =

 

.

εε0

εε0

Sεε0

l

1

2'

 

 

Следовательно, заряд конденсатора пропорционален разности потенциалов между обкладками конденсатора: Q = Ck (ϕ1 − ϕ2 ).

30