8.4. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в случае моно·
|
|
|
|
|
|
|
|
|
полярной проводимости . . . . . . . . |
. . • • • • . . . • " |
229 |
8.5!. Диффузия и дрейф неосновных избыточных носителеА заряда в |
|
примесном полупроводнике |
.... •• . •••• ....... |
232 |
8.6. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в ПОЛУПРОВОд' |
|
иике с проводимостью, близкой к собственной . . . . . . . .. |
236 |
Г л а в а |
Д е в я т а я. |
Контактные |
явления |
в |
полупроводниках. |
240 |
9.1. |
Полупроводник во внешнем электрическом поле . . . . . |
24() |
9.2. |
Термоэлектронная работа выхода . . . . . . . . . . . . . |
244 |
9.3. |
Контакт металл-металл. Контактиая разность потенциалов. |
246 |
9.4. |
Контакт металл-полупроводник. . . . . . . . . . . . |
248 |
9.5. |
Выпрямление тока в контакте металл-полупроводник. |
253 |
9.6. |
Диодliая теория выпрямления тока . . |
• . . . . . . . |
256 |
9.7. |
Диффузионная теория выпрямления тока .... . . . |
258 |
9.8. |
Контакт электронного и дырочиого полупроводников. |
260 |
9.9. |
Выпрямление тока в р.п переходе |
|
|
21)4 |
9.10. Теория тонкого р.п перехода |
|
|
|
266 |
9.11. п+·п и р+.р переходы. . . . . . . |
|
|
27] |
9.12. Гетеропереходы ........ . |
|
|
275 |
9.13. Коитакт вырождениых |
электронного |
и |
дырочного полупровод. |
|
|
ников. Туннельный диод ..... . |
|
|
277 |
9.14. Омический переход . ". . . . . .. . |
|
|
281 |
Г л а в а |
Д ее !I т а я. |
Поверхностные |
явления |
в |
полупроводниках. |
282 |
10.1. Природа поверхностных |
уровней |
|
|
282 |
10.2. Теория слоя пространственного заряда |
|
285 |
10.3. Эффект поля . . . . . . . . . . . . . |
|
290 |
10.4. Скорость поверхностной рекомбинации. |
|
297 |
10.5. Влияние поверхностной |
|
рекомбинации |
на время жизни носи· |
300 |
|
телей заряда в образцах конечных размеров |
Г л а в а |
о Д и н н а Д Ц а т а я. Поглощение света полупроводниками. |
302 |
11.1. Спектр отражения и спектр |
поглощения ......... |
302 |
11.2. |
Собственное поглощение при |
прямых |
переходах . . . . . . |
304 |
11.3. |
Собственное поглощенне при |
непрямых |
переходах . . . . . .. |
309 |
11.4. |
Поглощение сильно легированного и аморфного полупроводников |
3]3 |
11.5Влияние внешних воздействий на собственное поглощение полу·
проводииков . . • . . . . . . . . . . . . |
316 |
11.6. Экситонное поглощение . . . . . . . . . . |
323 |
11.7. Поглощение свободными носителями заряда |
327 |
11.8. Примесное поглощение |
333 |
11.9. Решеточное поглощение ......... |
334 |
Г л а в а Д в е н а Д ц а т а я. |
Люмииесценция полупроводников |
336 |
12.1. Типы люминесценции ............ |
33!' |
12.2. Мономолекулярное свечение твердых тел |
337 |
12.3. Рекомбинационное излучение полупроводников при фундамен. |
|
тальных переходах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. |
337 |
12.4. Рекомбинационное нзлучение при переходах между зоной и при· |
|
месными уровнями |
. . . . . . . . • . . . . . . . . . . |
341 |
12.5. Релаксация люминесценции полупроводииков ...... |
345 |
12.6. Температуриое тушение люминесценции полупроводников |
346 |
12.7. Спонтанное и вынужденное излучение атома |
347 |
12.8. Стимулированное излучеиие твердых теn ........ |
352 |
Клавдия Васильевна ШАЛИМОВА
ФИЗИКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
У ч е б н и к
Издание четвертое, стереотипное
ЛР ¹ 065466 от 21.10.97 Гигиенический сертификат 78.01.07.953.П.007216.04.10
от 21.04.2010 г., выдан ЦГСЭН в СПб
Издательство «ЛАНЬ» lan@lanbook.ru; www.lanbook.com
192029, Санкт-Петербург, Общественный пер., 5.
Тел./факс: (812)412-29-35, 412-05-97, 412-92-72. Бесплатный звонок по России: 8-800-700-40-71
Подписано в печать 30.07.10.
Бумага офсетная. Гарнитура Литературная. Формат 60×90 1/16. Печать офсетная. Усл. п. л. 25,00. Тираж 1500 экз.
Отпечатано в полном соответствии с качеством предоставленных материалов в ОАО «Дом печати — ВЯТКА» 610033, г. Киров, ул. Московская, 122
