Обработка результатов эксперимента.
Исследование вольт-амперной характеристики
Таблица 1 – ВАХ туннельного диода
Uпр, В |
Iпр, мА |
Uпр, В |
Iпр, мА |
Uпр, В |
Iпр, мА |
Uобр, В |
Iобр, мА |
|
0 |
0 |
0,35 |
0,3 |
0,7 |
0,1 |
0 |
0 |
|
0,05 |
0,8 |
0,4 |
0,2 |
0,75 |
0,2 |
-0,05 |
-0,8 |
|
0,1 |
1 |
0,45 |
0,2 |
0,8 |
0,4 |
-0,1 |
-1,6 |
|
0,15 |
1,4 |
0,5 |
0,1 |
0,85 |
0,5 |
-0,15 |
-2,3 |
|
0,2 |
1,3 |
0,55 |
0,1 |
0,9 |
0,8 |
|
|
|
0,25 |
0,8 |
0,6 |
0,1 |
0,95 |
1,1 |
|
|
|
0,3 |
0,4 |
0,65 |
0,1 |
1 |
1,5 |
|
|
|
|
|
|||||||
Таблица 2 – Параметры туннельного диода
Iп, мА |
Iв, мА |
Uрр, В |
Uп, В |
Uв, В |
|
|
1,4 |
0,1 |
0,985 |
0,15 |
0,6 |
14 |
350 |
Рис.8. ВАХ туннельного диода
Исследование функции дискретно-аналоговой памяти
Таблица 3 – Зависимость дискретно-аналоговой памяти
Ux, В |
Uост, В |
Ux, В |
Uост, В |
Ux, В |
Uост, В |
0 |
0 |
2,8 |
2,4 |
5,6 |
5,2 |
0,4 |
0 |
3,2 |
3,6 |
6 |
6 |
0,8 |
0,8 |
3,6 |
3,6 |
6,4 |
6 |
1,2 |
0,8 |
4 |
3,6 |
6,8 |
6 |
1,6 |
1,6 |
4,4 |
4,4 |
7,2 |
6,8 |
2 |
1,6 |
4,8 |
4,4 |
7,6 |
6,8 |
2,4 |
2,4 |
5,2 |
5,2 |
8 |
7,6 |
Эффект дискретно-аналоговой памяти наблюдается на диапазоне напряжения Ux от 0 до 8В
Используя I0 , были получены значения напряжения U1 = 0,04В, U2 = 0,875В
Дискрет приращения:
Дискрет изменения:
Таблица 4 – Сравнение дискрета приращения
|
U1, В |
U2, В |
|
|
|
0,65 |
0,04 |
0,875 |
0,835 |
0,38 |
0,286 |
,
мА
,
В
,
В
,
В
Рис.9. Зависимость остаточного напряжения от сигнального напряжения