Добавил:
до поступления в лэти я 11 лет играл в подкидного на фофаны, а потом... Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторочки / Лаб 5-1.docx
Скачиваний:
6
Добавлен:
30.09.2025
Размер:
425 Кб
Скачать
☆

5.3.Задание

Где измерения? При -3В будут сотни МОм, а при +2В десятки Ом.

VЗИ, В

Ic, мА

R

-3

0.684

13,15 кОм

-2,5

3

3 кОм

-2

8

1,125 кОм

-1,5

16

0,562 Ом

-1

25

0,360 Ом

-0,5

38

0,236 Ом

0

51

0,176 Ом

1

64

0,141 Ом

1,5

65

0,138 Ом

2

65

0,138 Ом

Таблица 2 – Значения тока стока при различных значениях VЗИ и расчитанные значения сопротивления канала.

Данные не соответствуют параметрам полевого транзистора!

Рис. 8 - Зависимость сопротивления канала от напряжения на затворе ПТ

Вывод:

При отрицательных значениях напряжения VЗИ​ (от -3 В до -0,5 В) наблюдается резкое уменьшение сопротивления канала с 13,15 кОм до 0,236 Ом. Это связано с постепенным открытием канала по мере снижения обратного смещения на затворе. Например, при VЗИ=−3 В транзистор находится в режиме отсечки, что подтверждается минимальным током стока IC=0,684 мА и максимальным сопротивлением R=13,15 кОм. При VЗИ=−0,5 В сопротивление канала уменьшается до 0,236 Ом, а ток стока возрастает до 38 мА, что указывает на переход в активный режим.

При нулевом и положительных напряжениях VЗИ​ (от 0 В до 2 В) сопротивление канала достигает минимальных значений (0,176 Ом при VЗИ=0 и 0,138 Ом при VЗИ≥1,5), что соответствует режиму насыщения. В этом состоянии ток стока стабилизируется на уровне 64–65 мА, а дальнейшее увеличение VЗИ​ не приводит к значительным изменениям параметров. Это подтверждает, что транзистор полностью открыт, и его проводимость максимальна.

График на Рис. 8 наглядно иллюстрирует экспоненциальный характер зависимости R от VЗИ​, подчеркивая управляющую роль затвора. Критическим участком является диапазон VЗИ​ от -2 В до -1 В, где сопротивление канала изменяется наиболее резко — с 1,125 кОм до 0,562 Ом. Такое поведение соответствует теоретическим ожиданиям для полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

Приводим измерения и расчеты в порядок!

Присылаем Лаб 5-1

Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Вариант

Группа фыв

J1 полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода с каналом n типа 2N4393

При всех измерениях

Передаточная характеристика

Выходная характеристика

Фамилия Имя

R1 (Ом)

V2 (B)

V1=Vз=Vgs (B)

V1=Vз=Vgs (B)

Vси=Vds (B)

max

min

шаг

max

min

шаг

3

фыв

90

30

3,0

-5,0

1,0

2,0

-3,0

0,5

9

Задание на лабораторную работу №5

Соседние файлы в папке Лабораторочки