- •Эта станица намеренно оставлена пустой! Сюда вставляется технического задание, полученное от преподавателя! Реферат
- •Сокращения, обозначения, термины и определения
- •Оглавление
- •Введение
- •Расчет усилителя мощности
- •Расчет оконечного каскада
- •Выбор транзисторов
- •Снятие вах транзисторов
- •Расчет предоконечного каскада
- •Выбор транзисторов
- •Снятие вах транзисторов
- •Расчет элементов оконечного каскада
- •Расчет элементов предоконечного каскада
- •Расчет усилителей напряжения
- •Заключение
- •Список использованных источников
- •Приложение а (обязательное) / (справочное) Заголовок приложения
- •Приложение б (обязательное) / (справочное) Заголовок приложения
Расчет усилителя мощности
Расчет оконечного каскада
Выбор транзисторов
Для расчёта был выбран оконечный каскад на паре комплементарных транзисторов, изображённый на рисунке 1.
Рисунок 1.1 – Оконечный каскад
Затем был произведен выбор транзисторов по допустимой мощности рассеяния на коллекторе, и максимальной амплитуде коллекторного тока.
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе, рассчитывается по формуле:
Максимальный требуемый эмиттерный ток (амплитудное значение), рассчитывается по формуле:
Максимальное требуемое напряжение (амплитудное значение), падающее на нагрузке, рассчитывается по формуле:
По этим параметрам выбираются транзисторы T1 и T2 для оконечного каскада из доступных в симуляторе. Наиболее подходящими оказываются транзисторы BD139 и BD140 соответственно, параметры которых приведены ниже:
1. Максимальный
коллекторный ток
= 1,5 А;
2. Максимальная
рассеиваемая мощность на коллекторе
= 12,5 Вт;
3. Статический
коэффициент усиления по току
=
40 100;
4. Максимальное
напряжение коллектор-эмиттер
= 80 В;
5.
Емкость база-коллектор
= 20 пФ;
6.
Объемное сопротивление базы
= 1 Ом;
7.
Граничная частота транзистора
= 100 МГц.
Что тут писать?
Содержание основной части работы должно отвечать заданию (ТЗ) и требованиям.
В основной части приводятся данные, отражающие сущность, методику и основные результаты выполненной работы.
Основная часть должна содержать: выбор направления исследования, включающий обоснование направления исследования, методы решения задач и их сравнительную оценку, описание выбранной общей методики проведения работы; процесс теоретических и (или) экспериментальных исследований, включая определение характера и содержания теоретических исследований, методы исследований, методы расчета, обоснование необходимости проведения экспериментальных работ, принципы действия разработанных объектов, их характеристики; обобщение и оценку результатов исследований, включающих оценку полноты решения поставленной задачи и предложения по дальнейшим направлениям работ, оценку достоверности полученных результатов и технико-экономической эффективности их внедрения и их сравнение с аналогичными результатами отечественных и зарубежных работ, обоснование необходимости проведения дополнительных исследований, отрицательные результаты, приводящие к необходимости прекращения дальнейших исследований.
Предлагаю для данной курсовой работы разделить основную часть на две: теоретическая и практическая часть.
Снятие вах транзисторов
После были сняты входные и выходные ВАХ транзисторов BD139 и BD140. Входная характеристика BD139 представлена на рисунке 1.2.
Выберем рабочую точку, соответствующую классу усиления AB:
Рисунок 1.2 – Входная ВАХ транзистора BD139
Определим входное сопротивление по линейному участку ВАХ:
Далее была снята проходная характеристика транзистора BD139, изображенная на рисунке 1.3.
Рисунок 1.3 – Проходная ВАХ транзистора BD139
Рассчитаем
крутизну транзистора
и коэффициент усиления по току
в рабочей точке:
Затем, рассчитаем выходное сопротивление эмиттерного повторителя:
Теперь, имея коэффициент усиления по току, можно рассчитать входное сопротивление транзистора по переменному току с учетом обратной связи, создаваемой сопротивлением нагрузки:
Далее
рассчитаем постоянную времени транзистора
:
Тогда входная динамическая емкость транзистора:
где
– коэффициент усиления по напряжению.
Подытожив, можно сказать, что выбранной рабочей точке соответствуют следующие параметры:
=
5 мА,
= 0,45 А,
= 850 мВ,
= 4700 мА/В,
= 56,
= 468 Ом,
= 7,5 нс,
=
7,54 нФ.
Комплементарный транзистор BD140 имеет аналогичную входную характеристику, изображенную на рисунке 1.3, поэтому в дальнейшем для расчетов будут использоваться характеристики, полученные для транзистора BD139.
Рисунок
1.3 – Входная ВАХ транзистора BD140
Затем были сняты выходные характеристики транзистора BD139, показанные на рисунке 1.3.
Рисунок 1.4 – Выходные ВАХ транзистора BD139
Нагрузочная
прямая в данном случае строится через
две точки с координатами (E:0)
и (
;
).
выбирается исходя из требуемой выходной
амплитуды (8 В). Взяв небольшой запас,
примем
= 9,5 В.
= 450 мА – это рабочая точка, выбранная
ранее.
Питание
необходимо выбирать исходя из требуемой
амплитуды выходного сигнала, т. к.
= 8 В возьмем источник питания E
= 24 В. Как видно из рисунка 1.4, рабочая
точка выбрана правильно, т.к коллекторный
ток в отсечку не уходит.
