Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Методические материалы (8) (4) (1) / Multisim Руководство пользователя и лабораторный практикум

.pdf
Скачиваний:
30
Добавлен:
23.06.2025
Размер:
4.3 Mб
Скачать

Таблица 2.2 – Задание для самостоятельного изучения

Вариант

Um, В

f, Ом

 

φ, мГн

R, Ом

L, мГн

C, мкФ

1

120

10

 

0

100

 

10

10

2

120

15

 

0

96

 

12

9

3

120

20

 

0

85

 

25

8

4

120

25

 

0

121

 

8

5

5

120

35

 

0

114

 

33

35

6

120

14

 

0

76

 

5

50

7

120

18

 

0

69

 

14

45

8

120

26

 

0

99

 

18

2

9

120

44

 

0

105

 

27

1

10

120

58

 

0

84

 

39

4

11

120

60

 

0

80

 

45

1

12

120

43

 

0

91

 

38

3

13

120

33

 

0

180

 

30

24

14

120

74

 

0

129

 

20

22

15

120

10

 

0

160

 

11

32

16

120

64

 

0

144

 

29

51

17

120

53

 

0

110

 

31

36

18

120

41

 

0

134

 

4

24

2.3.2

Исследование

переходных

процессов

в

линейных

электрических цепях

Исследование переходного процесса в последовательной L, R цепи с источником постоянного напряжения.

Рисунок 2.9 – Последовательная L, R цепь

В схеме, представленной на рисунке 2.9, при замыкании ключа происходит переходный процесс, который в соответствии со вторым законом Кирхгофа описывается уравнением

L

diL

i R E

(2.7)

 

 

dt

 

Решение этого уравнения записывается в виде

71

i(t) I0 I0e

Rt

I0 I0e

t

 

L

 

(2.8)

где τ= RL .

График кривой UR(t)=i (t)R приведен на рисунке 2.10.

Рисунок 2.10 – График кривой UR(t)=i(t)R

Последовательность выполнения работы.

1.Собрать схему, представленную на рисунке 2.9.

2.Подключить к схеме осциллограф, который будет снимать напряжение на резисторе, пропорциональное току в цепи.

3.Включить схему (ключ предварительно разомкнут).

4.Замкнуть ключ клавишей Space.

5.С помощью осциллографа снять зависимость UR(t)=i(t)R.

Задание для самостоятельного изучения приведено в таблице 2.3.

Таблица 2.3 – Задание для самостоятельного изучения

Вариант

Е, В

R, Ом

L, мГн

1

10

1

100

2

20

2

82

3

30

3

50

4

40

4

76

5

50

3

90

6

60

2

45

7

70

1

36

8

80

6

47

72

Продолжение таблицы 2.3

Вариант

Е, В

R, Ом

L, мГн

9

90

4

11

10

100

5

65

11

110

3

33

12

120

4

25

13

130

3

34

14

140

2

87

15

150

1

64

16

160

5

14

17

170

3

23

18

180

1

5

19

190

2

7

20

200

6

6

21

210

2

9

22

220

4

10

23

230

1

1

24

240

3

8

25

250

5

5

2.3.3 Исследование переходных процессов в линейных электрических цепях с неидеальным источником синусоидального напряжения

Исследование переходного процесса в последовательной R, C цепи с неидеальным источником синусоидального напряжения.

В схеме, представленной на рисунке 2.11, при замыкании ключа происходит переходный процесс, который в соответствии со вторым законом Кирхгофа описывается уравнением (2.9).

RC dUC UC Um sin(2 ft )

(2.9)

Рисунок 2.11 – Последовательная R, C цепь

dt

Решение этого уравнения записывается в виде

73

 

 

Um

 

 

 

 

 

Um

 

 

 

 

 

t

(2.10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RC

 

UC (t)

 

 

 

 

sin(2 ft

2 )

 

 

 

 

sin(

2 )e

1 (2 fRC)

2

 

1 (2 fRC)

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где φ=arctg(-1/2πfRC).

График кривой UC(t) приведен на рисунке 2.12.

Рисунок 2.12 – График кривой UC(t)

Последовательность выполнения работы.

1Собрать схему, представленную на рисунке 2.11.

2Подключить к схеме осциллограф, который будет снимать напряжение на конденсаторе.

3Включить схему (ключ предварительно разомкнут).

4Замкнуть ключ клавишей Space.

5С помощью осциллографа снять зависимость UС(t).

6Используя данный график, достроить Riпр(t) и Riсв(t).

Задание для самостоятельного изучения приведено в таблице 2.4.

Таблица 2.4 – Задание для самостоятельного изучения

Вариант

Um, В

f, Ом

φ, мГн

R, Ом

C, мкФ

1

120

10

0

100

10

2

120

15

0

110

9

3

120

20

0

120

8

4

120

25

0

130

5

5

120

35

0

140

35

6

120

14

0

150

50

74

Продолжение таблицы 2.4

Вариант

Um, В

f, Ом

φ, мГн

R, Ом

C, мкФ

7

120

18

0

160

45

8

120

26

0

170

2

9

120

44

0

180

1

10

120

58

0

190

4

11

120

60

0

200

1

12

120

43

0

190

3

13

120

33

0

180

24

14

120

74

0

170

22

15

120

10

0

160

32

16

120

64

0

150

51

17

120

53

0

140

36

18

120

41

0

130

24

19

120

29

0

120

18

20

120

68

0

110

16

21

120

27

0

100

14

22

120

46

0

155

35

23

120

15

0

165

26

24

120

33

0

175

49

25

120

54

0

185

35

2.3.4 Исследование переходных процессов в колебательных контурах

Разряд конденсатора на катушку индуктивности при высокой добротности контура (колебательный разряд, 2R CL ).

Рисунок 2.13 – Колебательная R, L, C цепь

Переходный процесс при подключении заряженного конденсатора к последовательной RL-цепочке отображается уравнением

75

 

 

LC

d2i

RC

di

i 0 ,

(2.11)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dt2

 

 

dt

 

 

где i – ток в RLC контуре.

 

 

Корни его характеристического уравнения:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j ,

(2.12)

 

 

p

j

 

2 2

 

 

1,2

 

 

 

 

0

св

 

где

 

 

 

 

 

 

 

– частота свободных колебаний,

 

 

 

 

2

2

 

 

св

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

Тсв 2 – период свободных колебаний,

св

 

R

 

, 0

 

 

 

1

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2L

 

LC

 

Решение уравнения:

 

i(t)

UC0

e t sin свt

(2.13)

свL

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение на конденсаторе

 

uC

(t)

ω0

 

UC0e δtsin(ωсвt )

(2.14)

ω

 

 

 

 

 

 

св

 

 

 

 

 

где tg

св

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UC0 – начальное напряжение на конденсаторе. График кривой UC(t) приведен на рисунке 2.14.

Рисунок 2.14 – График кривой UC(t)

Последовательность выполнения работы.

1.Собрать схему, представленную на рисунке 2.13.

2.Подключить к схеме осциллограф, который будет снимать

76

3.напряжение на конденсаторе.

4.Включить схему, предварительно замкнув ключ.

5.Разомкнуть ключ клавишей Space.

6.С помощью осциллографа снять зависимость UС(t).

7.Задание для самостоятельного изучения приведено в таблице 2.5.

Таблица 2.5 – Задание для самостоятельного изучения

Вариант

U, В

R, Ом

L, мГн

C, мкФ

1

10

1

1

10

2

20

2

20

5

3

30

3

50

6

4

40

4

70

3

5

50

3

90

2

6

60

2

15

4

7

70

1

36

8

8

80

6

47

9

9

90

4

11

1

10

100

5

5

1

11

110

3

3

1

12

120

4

25

3

13

130

3

34

2

14

140

2

87

2

15

150

1

64

2

16

160

5

14

1

17

170

3

23

3

18

180

1

5

2

19

190

2

7

1

20

200

6

6

6

21

210

2

9

4

22

220

4

10

3

23

230

1

1

2

24

240

3

8

9

25

250

5

5

5

2.4 Лабораторные работы по электронике

2.4.1 Исследование работы емкостного фильтра на выходе выпрямителя

Если на выход выпрямителя включить конденсатор, то переменная составляющая выходного напряжения будет ослаблена.

Среднее значение выходного напряжения Ud выпрямителя с емкостным

фильтром может приближенно оценено из соотношения

 

Ud=(U2max+U2min)/2=U2max – U2/2

(2.15)

где U2max и U2min – максимум и минимум выходного напряжения,

 

ΔU2=U2max–U2min

(2.16)

77

 

Для оценки качества фильтра обычно используют коэффициент

пульсаций q выходного

напряжения, который вычисляется из соотношения

q=(ΔU2/Ud)*100%

(2.17)

Рисунок 2.15 – Емкостной фильтр на выходе выпрямителя

Последовательность выполнения работы

1.Собрать схему (рисунок 2.15). На вход А осциллографа подается входное напряжение, а на вход В – выходное. Начальная емкость на конденсаторе С1, начальное сопротивление – R1.

2.В окне редактирования модели трансформатора задать следующие

данные:

Рисунок 2.16 – Окно редактирования модели трансформатора

78

3.Выбрать модель диода 1N4009.

4.Включить схему.

5.Зафиксировать данные с осциллографа.

6.Записать постоянную составляющую выходного напряжения по показаниям мультиметра.

7.Вычислить коэффициент пульсаций выходного сигнала.

8.Отключить мультиметр в схеме (рисунок 2.15). Установить емкость

конденсатора равной С2. Включить схему. Измерить максимум выходного напряжения и разность между максимумом и минимумом напряжений на выходе выпрямителя по показаниям осциллографа. Записать результаты.

9.Вычислить среднее значение напряжения.

10.Вычислить коэффициент пульсаций выходного сигнала.

11.Установить емкость конденсатора в схеме (см. рисунок 2.15)

равной С1. Изменить сопротивление резистора нагрузки до R2. Включить схему. Измерить максимум выходного напряжения и разность между максимумом и минимумом напряжений на выходе выпрямителя по показаниям осциллографа. Записать результаты.

12.Вычислить среднее значение напряжения.

13.Вычислить коэффициент пульсаций выходного сигнала.

Задание для самостоятельного изучения приведено в таблице 2.6.

Таблица 2.6 – Задание для самостоятельного изучения

Вариант

Um, В

f, Ом

φ, мГн

R1, Ом

R2, Ом

C1, мкФ

C1, мкФ

1

120

60

0

100

200

470

100

2

120

60

0

96

150

350

90

3

120

60

0

85

210

380

110

4

120

60

0

121

216

390

120

5

120

60

0

114

190

360

115

6

120

60

0

76

142

420

85

7

120

60

0

69

135

410

200

8

120

60

0

99

160

430

155

9

120

60

0

105

201

440

135

10

120

60

0

84

220

450

130

11

120

60

0

80

180

460

125

12

120

60

0

91

179

480

120

13

120

60

0

180

230

380

145

14

120

60

0

129

245

310

140

15

120

10

0

160

260

320

205

16

120

60

0

144

270

455

195

2.4.2 Исследование биполярного транзистора

Исследуемая схема показана на рисунке 2.11. Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора IK к току базы IБ:

79

βDC

IK

(2.18)

IБ

 

 

Коэффициент передачи тока βАС определяется отношением приращения ΔIK коллекторного тока к вызывающему его приращению ΔIБ базового тока:

βАC

ΔIK

(2.19)

ΔIБ

Дифференциальное входное сопротивление rВХ транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению ΔIБ тока базы:

rВХ

ΔUБЭ

 

UБЭ2 UБЭ1

 

(2.20)

 

IБ2 IБ1

 

ΔIБ

 

Дифференциальное входное сопротивление rвх

транзистора в схеме с

ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

rВХ=rБАС·rЭ

(2.21)

где rБ – распределенное сопротивление базовой области полупроводника,

rЭ – дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения rЭ=25/IЭ,

IЭ – постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое rБ в выражении много меньше второго, поэтому им

можно пренебречь:

 

rВХ βАС·rЭ

(2.22)

Дифференциальное сопротивление rЭ

перехода база-эмиттер для

биполярного транзистора сравнимо с входным сопротивлением rВХОБ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращения ΔUБЭ к вызванному им приращению ΔIЭ тока эмиттера:

rВХОБ

ΔUБЭ

 

UБЭ2

UБЭ1

(2.23)

 

IЭ2

IЭ1

 

ΔIЭ

 

Через параметры транзистора это сопротивление определяется

выражением

 

 

 

rВХОБ=rБАС+rЭ

 

(2.24)

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно

считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизительно равно

rВХОБ rЭ

(2.25)

80