Получение оксида кремния

(фосфоросиликатного стекла)

SiH4 + O2 + PH3 → SiO2тв + P2O5тв + H2↑

723 ÷ 873 К

PH3, B2H6, BBr3 и т.д.

Получение нитрида кремния

SiH4 + NH3 → Si3N4 + H2↑

923 ÷ 1173 K;

осаждение с подслоем SiO2.

SiH2Cl2 + NH3 → Si3N4тв + HCl↑

•1023 К;

•осаждение непосредственно на кремний;

•0,01 ÷ 0,25 мкм/мин.

Эпитаксия из металлорганических соединений

Механизм “Пар-жидкость-кристалл”

Wг-тв > Wж-тв

рост из пересыщенных капель

Материалы, применения, методы диагностики ННК

Материалы:

-однокомпонентные полупроводники: Si, Ge -AIII-BV полупроводники: GaAs, InAs, InP, AlAs и др -AII-BVI полупроводники: ZnSe и др.

Применения: -сенсоры

-приборные структуры (диод, полевой транзистор, логические элементы)

-эмиссионные катоды

Методы диагностики:

-сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) -просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) -сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ)

Оборудование для эпитаксии. Цилиндрический реактор с радиационным нагревом

Оборудование для эпитаксии. Вертикальный реактор

Оборудование для эпитаксии. Горизонтальный реактор

Диаграмма состояния «жидкость-твёрдое»