- •Аннотация
- •Введение
- •1 Краткое описание структуры, свойств и применения соединения
- •Описание структуры
- •Свойства селенида германия
- •Применение селенида германия
- •Данные для термодинамического анализа
- •Aнализ основного процесса
- •Расчет параметров реакции при стандартных условиях
- •Расчет параметров реакции при произвольно выбранных температурах
- •2.3 Выбор рабочей точки и анализ условий протекания процесса
- •Анализ процессов сублимации
- •3.1 Анализ сублимации олова Ge
- •Анализ сублимации
- •Построение Pi – t диаграмм и оценка диапазона изменения соотношения давлений реагирующих веществ
- •4.1 Определение границ области гомогенности для двух компонентов
- •4.2 Определение линии стехиометрии и построение pi – t-диаграмм
- •Нахождение парциальных давлений паров и температур компонентов
- •5.1 Расчет давлений двух компонентов
- •Расчет рабочих температур двух компонентов
- •Оценка возможности окисления компонента а
- •Заключение
- •Список литературы
Построение Pi – t диаграмм и оценка диапазона изменения соотношения давлений реагирующих веществ
4.1 Определение границ области гомогенности для двух компонентов
Для построения p-T диаграмм определим границу области гомогенности (ГОГ) со стороны германия и селена.
Определим границы области гомогенности со стороны компонента Ge.
(9)
Полученное решения в логарифмическом виде:
Аналогичным образом найдем границы области гомогенности со стороны компонента . Найдем решение системы (10).
Представим полученные решения в логарифмическом виде:
4.2 Определение линии стехиометрии и построение pi – t-диаграмм
Для определения линий стехиометрии диаграмм обоих компонентов необходимо аналитически решить систему (11):
При решении системы получили решение в логарифмическом виде:
Вычислим, как изменяются давления компонентов на границах области гомогенности и на линии стехиометрии от температуры, используя значения логарифмов давлений паров, полученные ранее в других пунктах. Приведем пример расчета для температуры 298 К. Результаты расчетов представлены в таблице 6.
Таблица 6 – Расчетные значения давлений паров при различных температурах
|
|
|
|
|
|
|
298 |
-58,33 |
-53,96 |
-73,26 |
-45,10 |
-54,26 |
-15,66 |
493 |
-32,54 |
-29,82 |
-41,39 |
-24,69 |
-30,12 |
-6,98 |
600 |
-25,44 |
-23,13 |
-32,87 |
-18,80 |
-23,43 |
-3,94 |
750 |
-18,91 |
-17,08 |
-26,0 |
-13,74 |
-17,39 |
-2,06 |
900 |
-14,54 |
-13,08 |
-19,37 |
-10,46 |
-13,38 |
-0,82 |
Рисунок
6 – p
– T-диаграмма
селенида олова в координатах lg(
)
– T
Рисунок
7 – p
– T-диаграмма
селенида олова в координатах lg(
)
– T
Таким образом, были получены температурные зависимости давлений паров, по которым определены области p – и n – типов электропроводности.
Нахождение парциальных давлений паров и температур компонентов
5.1 Расчет давлений двух компонентов
Искать необходимое для протекания основного процесса соотношение давлений компонентов Ge и Se будем при ранее выбранной рабочей температуре синтеза соединения GeSe – Т = 750 К. Так как в области гомогенности мы имеем только p-тип электропроводности, то получить мы можем только его.
Должно выполняться условие
|
(12) |
Из условий (13) найдем значения логарифмов соотношения давлений на границах области гомогенности:
|
(13) |
Пример расчетов при Т=750 К:
Диапазон парциальных давлений в пределах области гомогенности
В общем случае имеем систему уравнений:
|
(14) |
где
q – значение рабочей точки при
,
обеспечивающее протекание процесса в
прямом направлении; m – число, принадлежащее
диапазону изменения
.
В нашем случае имеем
После логарифмирования получаем систему линейных уравнений:
