лабы / Отчет по Лабораторной работе 4
.docxОтчет по Лабораторной работе №4 выполнила
ИССЛЕДОВАНИЕ МДП–СТРУКТУРЫ
Цель работы: Изучение особенностей структуры металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) и возможностей её применения в электронике.
Ход работы:
Рисунок 1- МДП-структура
Таблица 1, заполненная для 1 варианта.
Исходные данные
|
Измененный параметр
|
Пороговое напряжение, B
|
Удельная крутизна, А/В2
|
Удельная емкость, Ф/мкм2
|
Емкость затвор- канал, Ф
|
из табл. 1
|
– |
0,7433 |
1,8983Е-5 |
1,7257Е-16 |
3,4515Е-17 |
При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения порогового напряжения
|
Толщина диэлектрика d (умен)
Концентрация акцепторной примеси N (умен) |
0,6413 |
3,7966Е-5 |
3,4515Е-16 |
6,903Е-17 |
При самостоятельно изменённом параметре с целью увеличения удельной крутизны
|
Толщина диэлектрика d (умен)
Ширина канала (увел) |
0,6716 |
0,0001 |
3,4515Е-16 |
3,1063Е-16 |
При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения ёмкости затвор- канал |
Ширина и длина канала МДП – транзистора (умен) |
0,7433 |
1,8983Е-5 |
1,7257Е-16 |
8,6287Е-18 |