лабы / ЛР1 электроника

тчет по Электронике, Лабораторная работа 1, Вариант 6

Выполнили:

Тема: Исследование идеализированного p-n перехода.

Цель работы: Определение основных характеристик идеализированного р-n перехода:

– контактной разности потенциалов; – толщины; – теплового тока (ток насыщения); – напряжения и типа пробоя;

– барьерной ёмкости.

Ход работы:

Рисунок p-n перехода (6 Вариант)

Таблица. Результаты проведенных исследований

Характеристик и p-n перехода	Исходный вариант	Вариант с увеличенным Uпроб.	Вариант с уменьшенной Сб0	Вариант с уменьшенным I0
Исходные данные
Тип п/п	GaAs	GaAs	GaAs	GaAs
, см–3	3E+16	2E+16	2E+16	3E+16
Nд, см–3	3E+18	3E+18	3E+18	3E+18
S, см2	0,00003	0,00003	0,00002	0,00001
Результаты при Т = 300 К
jk0, В	1,34	1,33	1,33	1,34
w, мкм	0,25	0,31	0,31	0,25
I0, А	5,84*10^(-27)	7,2*10^(-27)	4,8*10^(-27)	1,95*10^(-27)
Uпроб.л., В	12,01	16,29	16,28	12,01
Uпроб.т., В	19,18	28,76	28,76	19,18
Сб0, Ф	1,36*10^(-12)	1,12^(-12)	7,45*10^(-13)	4,54*10^(-13)

Вывод 1: Вариант конструкции p-n перехода с увеличенным напряжением пробоя U_проб.

Так как U_проб.  ^φ_k0, тогда в соответствии с формулой (1)

уменьшим концентрацию примесей c 3E+16 до 2E+16 и как следствие, напряжение пробоя U_проб. увеличится.

Вывод 2: Вариант конструкции p-n перехода с уменьшенной барьерной емкостью C_б0.

В соответствии с формулой (8)

уменьшим S с 0,00003 до 0,00002 и с 3E+16 до 2E+16 и как следствие получим уменьшение барьерной емкости Cб0

Вывод 3: Вариант конструкции p-n перехода с уменьшенным тепловым током I₀

В соответствии с формулой (7)

уменьшим S с 0,00003 до 0,00001 в следствие чего I₀ уменьшился

Все результаты записаны в Таблице 1.