
лабы / Отчет по Лабораторной работе 7
.docxОтчет по Лабораторной работе №7
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧА НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МДП ТРАНЗИСТОРАХ
Цель работы: Изучение принципа работы КМДП - ключа (ключа на комплементарных МДП транзисторах), определение средней работы переключения КМДП - ключа и её связи с топологическим размером транзистора.
Ход работы:
Рисунок 1- Передаточная характеристика
Значение потребляемого тока статического состояния: 20.8 пА
Ток, потребляемый одним ключом: Iстат=20.8/3=6.93 пА
Мощность, потребляемая ключом: Рстат = Епит * Iстат
Рстат=5*6.93=34,65 пВт
Рисунок 2 – Временная диаграмма среднего ключа
t10 = 0.46
t01 = 0.56
t = (t01 + t10)/2 = 0.51
Cредний ток исследуемого ключа в режиме переключений: Iдин = 2.46/3=0.82
Р = Епит * Iдин = 5*0.82 = 4.1
P*t=0.51*4.1 = 2.091
Ppacc = mf P t = 108*200*106*2.091 = 4.182*1016 Вт
n=9
CGSO – ёмкость затвор-исток (200→22.22)
CGDO – ёмкость затвор-сток (100→11.11)
CGBO – ёмкость затвор-подложка (200→22.22)
w = L=1*10-6
Рисунок 3 - Временная диаграмма среднего ключа после изменений
Результаты после изменений
t10изм = 0.15
t01изм = 0.22
tизм= (t01 + t10)/2 = 0.185
Cредний ток исследуемого ключа в режиме переключений: Iдин = 425/3=141.67
Р = Епит * Iдин = 5*141.67= 708.3
Pизм*tизм=0.185*708.3 = 131.04
Ppacc = m f Pизм tизм = 108*200*106*131.04= 2.6208*1018 Вт
Топологический размер видоизмененной схемы
wизм = w(Pизмtизм/Pt)1/2 =10-6(131.04/2.091)0.5=7.92*10-6
Вывод: В результате выполненной лабораторной работы были изучены основные принципы функционирования КМДП-ключа. Были определены параметры, характеризующие работу ключа, такие как статический ток, динамический ток, потребляемая мощность и временные показатели переключений.
Проведена оценка влияния изменения топологического размера транзистора на параметры работы ключа, включая сокращение времени переключения и увеличение мощности. Полученные результаты подтверждают теоретические зависимости между топологическим размером, временными характеристиками и мощностью переключений, что имеет значение для оптимизации работы микросхем и повышения их производительности.