лабы / Отчет по Лабораторной работе 6

Отчет по Лабораторной работе №6

ИЗУЧЕНИЕ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

Цель работы

Изучение основных технологических операций и в целом технологии изготовления интегральных схем (ИС) на примере полупроводниковых ИС на биполярных транзисторах.

Рисунок 1 – интегральная схема на биполярных транзисторах.

Все возможные шаги:

-Нанесение фоторезиста

-Наложение фотошаблона

-Проявление

-Удаление фоторезиста

-Диффузия N+ примесей

-Диффузия Р примесей

-Освещение

-Травление

-Окисление

-Эпитаксия

-Металлизация

-Удаление окисла

Выводы: Полупроводниковые ИС на БТ наиболее часто изготавливают по планарной технологии и планарно-эпитаксальной, основанными на следующих технологических процессах создания транзисторных структур. Окисление поверхности полупроводника подложки; литография; эпитаксальное наращивание полупроводниковых слоев; локальном введении примесных атомов.

В производственных условиях после каждого этапа формирования элементов ИС проводят контроль. Так, после очистки, окисления и фотолитографии подложки подвергают 100% визуальному контролю. Диффузионные области контролируют, измеряя их удельное поверхностное сопротивление или снимая ВАХ образцов.

Основным недостатком такого типового технологического процесса изготовления ИС является перераспределение в некоторых случаях примесных атомов в сформированных областях при проведении последующих высокотемпературных операций. Это необходимо учитывать при расчете и проектировании ИС, параметры элементов которых не должны выходить за установленные пределы. Кроме того, получаемые при этом технологическом процессе изолирующие р-п-переходы обладают паразитными емкостями и токами утечки, что отрицательно влияет на характеристики быстродействующих цифровых и высокочастотных аналоговых ИС.