МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МНЭ
отчет
по лабораторной работе №4
по дисциплине «Конструкторско-технологические основы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем»
Тема: Масштабируемая SPICE-модель
Студенты гр. 1205 |
|
Атуев И.З. Дюкарев Д.А, Новицкий А.Н. |
Преподаватель |
|
Садовая И.М. |
Санкт-Петербург
2024
Создание масштабируемой SPICE-модели.
Цель: Построить масштабируемую SPICE-модель в диапазоне изменения параметра Length от 0.55 мкм до 0.07 мкм (вариация параметра LDRAW в табл.3).
Построить ВАХ транзисторов n- и p- типа при вариации технологических параметров ТП от 550 нм до 70 нм.
Определить изменение времени задержки инвертора при изменениях LDRAW, используя директиву «вариация параметров».
* Масштабируемые параметры
+ TOX={(Значение параметра «базовой» технологии) /S_TOX}
* толщина окисла
+ NSUB={(Значение параметра «базовой» технологии)*S_NSUB}
* уровень легирования подложки
+ VTO={(Значение параметра «базовой» технологии) /S_VTO}
* пороговое напряжение при нулевом смещении подложки VBS=0
+ XJ=(Значение параметра «базовой» технологии)/S_LENGTH}* металлургическая глубина перехода
* Параметры, являющиеся функциями от масштабруемых параметров
+ CJ={6.033E-4*SQRT(S_NSUB)}
* удельная емкость p-n-перехода при нулевом смещении (на площадь перехода)
+ CJSW={3.816E-10*SQRT(S_NSUB)/S_LENGTH}
* удельная емкость боковой поверхности p-n-перехода при нулевом смещении (на
*длину периметра)
+ ETA={0.01*S_ETA}
* коэффициент статической обратной связи, влияющей на пороговое напряжение
+ THETA={0.12*S_TOX}
*коэффициент модуляции подвижности носителей
+ RSH = {1.66* S_LENGTH }
* удельное сопротивление диффузных областей истока и стока
*Записать формулу расчета параметра:
+ KP=
*коэффициент пропорциональности
+ GAMMA=
*коэффициент влияния подложки на пороговое напряжение
+ LD=
* длина области боковой диффузии
* Параметры, независящие от масштабирования
+ UO=260
*поверхностная подвижность носителей
+ PB=0.8
*напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки
+ DELTA = 0.1
*коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение
+ KAPPA= 0.2
*параметр модуляции длины канала напряжением сток-исток
+ VMAX=2E5
*максимальная скорость дрейфа носителей
+ FC=0.5
*коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода *подложки
+ MJ=0.389
*коэффициент, учитывающий плавность перехода подложка – сток (исток)
+ MJSW=0.26)
*коэффициент наклона боковой поверхности перехода подложка-сток (исток)
.model P1X PMOS ( level=3 L={Length} W={4*Length}
* Масштабируемые параметры
+ TOX={(Значение параметра для «базовой» технологии)/S_TOX}
* толщина окисла
+ NSUB={ (Значение параметра для «базовой» технологии)*S_NSUB}
* уровень легирования подложки
+ VTO={ (Значение параметра для «базовой» технологии)/S_VTO}
* пороговое напряжение при нулевом смещении подложки VBS=0
+ XJ={(Значение параметра для «базовой» технологии)/S_LENGTH}
* металлургическая глубина перехода
* Параметры, являющиеся функциями от масштабруемых параметров
+ CJ={6.033E-4*SQRT(S_NSUB)}
* удельная емкость p-n-перехода при нулевом смещении (на площадь перехода)
+ CJSW={3.816E-10*SQRT(S_NSUB)/S_LENGTH}
* удельная емкость боковой поверхности p-n-перехода при нулевом смещении (на
*длину периметра)
+ ETA={0.01*S_ETA}
* коэффициент статической обратной связи, влияющей на пороговое напряжение
+ THETA={0.12*S_TOX}
*коэффициент модуляции подвижности носителей
+ RSH = {1.66* S_LENGTH }
* удельное сопротивление диффузных областей истока и стока
+ KP=
*коэффициент пропорциональности
+ GAMMA=
*коэффициент влияния подложки на пороговое напряжение
+ LD=
* длина области боковой диффузии