Презентации / ФХОТ Все Презентации

механизмы роста пленок

Зародышевый механизм роста

механизм реализуется на атомно-гладких плотноупакованных гранях совершенного кристалла, каковыми являются грани с малыми индексами Миллера.

Индексы Миллера обозначают пространственную ориентацию кристаллографических плоскостей и направлений в решетке.

Рост пленок происходит через начальное образование 2-мерных или 3- мерных зародышей, в дальнейшем разрастающихся в сплошную пленку на поверхности подложки.

Зародышевый механизм роста

Образование, разрастание и слияние зародышей определяются следующими процессами:

в) поверхностная диффузия адсорбированных атомов - доставка частиц к критическим зародышам с превращением их в центры кристаллизации.

Адатомы, размещенные на поверхности, взаимодействуют между собой, за счет процессов диффузии, и образуют кластеры (скопления атомов). Метастабильные кластеры, находящиеся в равновесии с адсорбционным слоем, образуют критические зародыши

Критические зародыши разрастаются за счет соседних с ними адатомов, присоединяющихся в результате диффузии.

По мере разрастания критические зародыши переходят в островки, форма которых зависит от свойств подложки, зародышевой фазы и условий роста.

При соприкосновении островков происходит их коалесценция (слияние), в результате чего малые островки, вливающиеся в большие, принимают преимущественно эпитаксиальную ориентацию.

На этапе слияния образуется сетка зародышевой фазы с пустотами, ограниченными кристаллографическими гранями

Заполнение пустот островковой сетки и образование сплошной пленки.