Добавил:
Адепт твердотельной электроники, последователь учений Михайлова Н.И. Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Презентации / ФХОТ Все Презентации

.pdf
Скачиваний:
76
Добавлен:
21.06.2024
Размер:
18.7 Mб
Скачать

Нарушение симметрии силовых взаимодействий отражается в появлении избыточной поверхностной энергии ∆Gs, вводимой аналогично избыточной свободной энергии

G

A

S

 

σ – поверхностное натяжение (удельная поверхностная энергия), выражает работу, которую необходимо совершить для увеличения границы раздела фаз на единицу площади

F

поверхностное натяжение - сила, которую нужно приложить к единице длины линии, ограничивающей поверхность раздела фаз, для увеличения площади этой поверхности на единицу (сила направлена по касательной к соответствующей границе раздела)

Образование зародыша новой фазы на поверхности подложки, с одной стороны, способствует понижению энергии системы в силу уменьшения объемной свободной энергии (Gv < 0), а с другой стороны, требует затраты энергии на создание границ раздела, поскольку поверхностная свободная энергия всегда положительна (Gs > 0).

 

 

G G

G 0

v

s

знак зависит от размера зародыша – r (характерный линейный размер зародыша)

G

V r3

 

G

A r2

v

зар

 

s

зар

Разная степенная зависимость этих величин обеспечивает различную скорость их изменения с ростом r, а именно: при малых r быстрее нарастает квадратичная зависимость Gs , а при больших r — кубическая зависимость | Gv |.

G

Gs

 

 

 

G*

Gv +

Gs

 

 

0

r*

r

 

 

Gv

 

r* - критический размер зародыша

G* - высота барьера – работа образования критического зародыша

Возникновение критических зародышей связано с преодолением барьера зародышеобразования ∆G*, т. е. относится к классу термоактивационных процессов.

Высота активационного барьера ∆G* трактуется как работа образования критического зародыша. Появление критических зародышей, являющихся центрами кристаллизации, носит флуктуационный характер. Поэтому вероятность их образования определяется обычной больцмановской экспонентой:

w w

 

 

G

exp

 

 

0

 

 

κT

 

 

 

 

 

 

 

 

где величина ∆G* отнесена к одной частице.

Теория гетерогенного зародышеобразования

 

 

кинетическая теория

термодинамическая теория

 

 

 

 

атомно-статистическая теория

Термодинамические условия гетерогенного зародышеобразования

Модель трехмерного зародыша

Модель применима к кристаллам с изотропной или слабо анизотропной поверхностной энергией, зародыш которых имеет куполообразную форму с радиусом кривизны r и контактным (краевым) углом θ

 

 

 

фаза 1

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

1п

2п 12 cos

1п

 

 

фаза 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2п

2

r

 

 

 

 

 

подложка

 

 

 

 

σ

 

 

 

 

 

σ

 

 

 

 

 

 

 

 

п

2п

 

 

 

 

cos θ

1

 

 

 

 

 

 

σ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

уравнение Юнга для контактного угла

зар

 

r

3

 

 

3

 

 

 

 

4 r

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

2 3cosθ cos

θ

 

 

 

 

(θ)

3

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(θ) (2 3cosθ cos

3

θ) / 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Объемная составляющая изобарного потенциала образования трехмерного

зародыша:

 

 

 

 

 

r

3

 

3

 

 

G

V

g

 

 

 

 

 

v

 

 

2 3cosθ cos θ g

v

v

зар

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

gv удельное объемное пересыщение, равное изобарному потенциалу,

отнесенному к единице объема вторичной фазы

 

 

g

v

 

|

Gv|

 

 

|ΔGv| / i

 

| μ|

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Vзар

 

 

 

Vзар / i Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Vзар

 

Mк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

объем конденсатана одну частицу

 

к N A

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,0

0,75 ( )

0,5

0,25

0

45

o

90

o

135

o

180

o

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Функция ( )), учитывающая зависимость работы образования

трехмерного зародыша от величины контактного угла.

G

r2 (1 cos θ) σ

π r2 sin 2 θ (σ

2п

σ

)

s

12

 

1п

 

Вклад от образования новой границы раздела в форме

купола между первичной

фазой и зародышем

Вклад от замены старой границы раздела подложка–

первичная фаза на новую

границу подложка-зародыш

G Gv Gs

 

 

 

r

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G3

 

 

 

gv r

2

σ12

(θ)

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ΔG

 

 

 

 

 

 

3

 

 

0

 

Из условия

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

находим радиус кривизны критического зародыша

 

r*

12

3

g

 

 

v

*

 

16π σ123

(θ)

1

*

 

V3

4 r 3

( )

G3

 

 

2

 

gvV3

 

3

 

 

3 gv

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

гомогенное

куполообразное

монослойный рост

зародыше-

зародыше-

через двухмерные

образование

образование

зародыши

 

 

 

θ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

180

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

область полного

 

 

 

 

область полного

несмачивания

90

о

 

смачивания

(θ = 180

о

)

 

(θ = 0

о

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

σ12

 

 

0

 

σ12

 

1п σ2п)

*

 

 

*

 

 

*

*

 

 

 

 

 

 

G

 

 

0

G3 max

G3

 

G3max

 

 

 

3