Презентации / ФХОТ Все Презентации
.pdf
Нарушение симметрии силовых взаимодействий отражается в появлении избыточной поверхностной энергии ∆Gs, вводимой аналогично избыточной свободной энергии
G |
A |
S |
|
σ – поверхностное натяжение (удельная поверхностная энергия), выражает работу, которую необходимо совершить для увеличения границы раздела фаз на единицу площади
F
поверхностное натяжение - сила, которую нужно приложить к единице длины линии, ограничивающей поверхность раздела фаз, для увеличения площади этой поверхности на единицу (сила направлена по касательной к соответствующей границе раздела)
Образование зародыша новой фазы на поверхности подложки, с одной стороны, способствует понижению энергии системы в силу уменьшения объемной свободной энергии (Gv < 0), а с другой стороны, требует затраты энергии на создание границ раздела, поскольку поверхностная свободная энергия всегда положительна (Gs > 0).
|
|
G G |
G 0 |
v |
s |
знак зависит от размера зародыша – r (характерный линейный размер зародыша)
G |
V r3 |
|
G |
A r2 |
v |
зар |
|
s |
зар |
Разная степенная зависимость этих величин обеспечивает различную скорость их изменения с ростом r, а именно: при малых r быстрее нарастает квадратичная зависимость Gs , а при больших r — кубическая зависимость | Gv |.
Возникновение критических зародышей связано с преодолением барьера зародышеобразования ∆G*, т. е. относится к классу термоактивационных процессов.
Высота активационного барьера ∆G* трактуется как работа образования критического зародыша. Появление критических зародышей, являющихся центрами кристаллизации, носит флуктуационный характер. Поэтому вероятность их образования определяется обычной больцмановской экспонентой:
w w |
|
|
G |
|
exp |
|
|
||
0 |
|
|
κT |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
где величина ∆G* отнесена к одной частице.
Теория гетерогенного зародышеобразования
|
|
кинетическая теория |
термодинамическая теория |
|
|
|
|
|
атомно-статистическая теория
зар |
|
r |
3 |
|
|
3 |
|
|
|
|
4 r |
3 |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
V |
|
|
|
2 3cosθ cos |
θ |
|
|
|
|
(θ) |
|||||
3 |
|
|
|
|
3 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(θ) (2 3cosθ cos |
3 |
θ) / 4 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Объемная составляющая изобарного потенциала образования трехмерного
зародыша:
|
|
|
|
|
r |
3 |
|
3 |
|
|
G |
V |
g |
|
|
|
|
|
|||
v |
|
|
2 3cosθ cos θ g |
v |
||||||
v |
зар |
|
|
3 |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∆gv удельное объемное пересыщение, равное изобарному потенциалу,
отнесенному к единице объема вторичной фазы
|
|
g |
v |
|
| |
Gv| |
|
|
|ΔGv| / i |
|
| μ| |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
Vзар |
|
|
|
Vзар / i Ω |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
Vзар |
|
Mк |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
объем конденсатана одну частицу |
|||||||||||||
|
к N A |
|
|||||||||||||||
|
|
i |
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
1,0
0,75 ( )
0,5
0,25
0 |
45 |
o |
90 |
o |
135 |
o |
180 |
o |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Функция ( )), учитывающая зависимость работы образования
трехмерного зародыша от величины контактного угла.
гомогенное |
куполообразное |
монослойный рост |
||||||||
зародыше- |
зародыше- |
через двухмерные |
||||||||
образование |
образование |
зародыши |
||||||||
|
|
|
θ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
180 |
о |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
область полного |
|
|
|
|
область полного |
|||||
несмачивания |
90 |
о |
|
смачивания |
||||||
(θ = 180 |
о |
) |
|
(θ = 0 |
о |
) |
||||
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
σ12 |
|
|
0 |
|
σ12 |
|
(σ1п σ2п) |
|
* |
|
|
* |
|
|
* |
* |
|
|
|
|
|
|
|
G |
|
|
0 |
|||
G3 max |
G3 |
|
G3max |
|
|
|||||
|
3 |
|
|
|||||||
