344

¾Радиационную стойкость БА космических аппаратов определяют ИС, изготовленные по КМОМ – технологии (серий 1526, 564В, 537, 588, 1127, 521 и т.д.).

¾Для обеспечения радиационной стойкости критичных ЭРИ необходимо развитие методов классификации ЭРИ по уровню радиационной стойкости на готовых образцах, поскольку в нашей реальной жизни воздействовать на технологию изготовления или рассчитывать на контроль каких-то параметров в процессе производства невозможно.

¾Высокие требования к качеству и надежности ЭРИ требуют применения дополнительных мер по исключению попадания в аппаратуру ненадежных и радиационно-нестойких ЭРИ. В ИТЦ-НПО ПМ с этой целью разработана и успешно реализована программно-аппаратурная система контроля и испытаний ЭРИ, позволяющая выявить потенциально ненадежные и с аномально низкой стойкостью ЭРИ до установки их в аппаратуру. Процент забракования в партиях ЭРИ при проведении ОИ и ДНК для различ-

ных классов составляет 10% от общего числа проверенных, при этом входной контроль проходят без замечаний практически все ЭРИ.

11.3РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В УСЛОВИЯХ КОМПЛЕКСНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ФКП

11.3.1Разработка подхода к оценке работоспособности ЭРИ в условиях комплексного воздействия ФКП

Комплексный подход к обеспечению работоспособности БА на всех стадиях производства, внедрение ОИ, ДНК и РФА ЭРИ, анализ физических причин отказов ЭРИ и БА привели к значительному повышению показателей надежности современной БА.

Когда надежность БА по внезапным отказам близка к единице, а уровень облучения достаточен, чтобы вызвать изменения параметров ЭРИ, основной причиной отказов будут постепенные параметрические и функциональные отказы ЭРИ. Статистическое распределение моментов отказов будет определяться разбросом в скоростях радиационного изменения параметров полупроводниковых ЭРИ [113].

345

Можно ожидать и отказов БА, связанных с побочным воздействием ИИ на материалы и ЭРИ. Такое воздействие проявляется в ускорении процессов так называемого "старения". В основе этого явления лежат процессы ионизации газа или паров окружающей полупроводник атмосферы, процессы ионизации поверхности материалов и т.д.

Образующиеся при такой ионизации ионы или радикалы обладают высокой химической активностью, что и обуславливает ускорение различных химических реакций, например, окисления. К сожалению, рассмотренные выше явления в настоящее время не поддаются прогнозированию, и ответ о степени влияния ИИ совместно с другими ФКП на характеристики надежности может дать лишь эксперимент. Эксперименты же эти сложны и трудоемки [114, 115].

Задача прогнозирования работоспособности БА, при воздействии ФКП, заключается в определении по результатам расчетных оценок и испытаний величины среднего и разброса РС ЭРИ на фоне других ФКП. Кроме того, величины изменения параметров, а значит, и вероятность отказа, зависят не только от уровней поглощенной дозы ИИ, а также от его вида (электроны, протоны), интенсивности, электрических и температурных режимов работы ЭРИ [114,853H 1116]5F .

Для такой постановки задачи подходит использование расчетноэкспериментального метода оценки: метода физического моделирования [118],854H который использует электрический расчет схем БА методами теории цепей (контурных токов, узловых потенциалов) и физические модели ЭРИ в зависимости от электрических режимов и ВВФ. Положительным и наиболее привлекательным свойством этой группы методов является возможность прогнозирования работоспособности БА [1117,6F 1118,7F 1119]8F .

11.3.2Выбор61B типа математических моделей для прогнозирования

комплексного влияния ФКП на ЭРИ

Под математической моделью обычно понимается любое математическое описание работоспособности ЭРИ. Для активного элемента математической моделью будет описание связей между токами и напряжениями в статическом и динамическом режиме. В частности, математическими моделями могут быть уравнения вольтамперных характеристик или дифференциальные уравнения переходных процессов в ЭРИ [1120]9F . В законченном виде математическая модель

346

должна представлять зависимость между токами и приложенными напряжениями в виде аналитического выражения или в виде эквивалентной схемы. Для построения моделей ЭРИ обычно используются два подхода:

•упрощение схемной модели на компонентном уровне;

•построение формальной модели на основе внешних характеристик и па-

раметров ЭРИ.

Могут применяться и различные комбинации этих методов. Следует подчеркнуть, что в любом случае построение модели является процессом упрощения и, чем больше степень такого упрощения, тем уже область использования модели. Упрощение проводится путем исключения или замены некоторых компонентов модели простыми моделями или эквивалентными источниками. При этом необходима полная информация об электрических параметрах компонентов модели. Упрощение может состоять и в оценке влияния отдельных элементов схемы на ее выходные параметры. Если это влияние незначительно, то соответствующие элементы исключаются из эквивалентной схемы.

В настоящее время наибольшее распространение получили формальные макромодели, поскольку для их построения не требуется физикотехнологическая информация, которая обычно не доступна разработчику БА. Для построения формальных моделей используется информация только о характеристиках ЭРИ относительно внешних выводов.

Структура модели выбирается произвольно, и при этом нет необходимости детально изучать физические явления, происходящие в ЭРИ, что позволяет с одинаковым подходом моделировать элементы, изготовленные по различным технологиям. Такой подход облегчает автоматизацию моделирования и не подвергается моральному старению в связи с быстрым прогрессом технологии изготовления ЭРИ.

Моделирование ЭРИ обычно осуществляется на основе обобщенных макромоделей, ориентированных на определенный класс ЭРИ, что позволяет, создав один раз структуру модели, пополнять ее конкретным содержанием для каждого конкретного типа ЭРИ.

Причем структура макромодели строится обычно на основе стандартных зависимых источников тока (напряжения), предусмотренных входным языком

348

С учетом того, что ВВФ (вектор X) воздействуют на ЭРИ во времени t случайным образом, величины выходных параметров ЭРИ будут представлять собой векторный случайный процесс.

Пространство n называется пространством зависимых переменных, которое так же является действительным. Тогда математическая модель ЭРИ может быть представлена в виде функциональной зависимости:

Υ (t ) = F ( Х , Z , t ) , где

t – время, с.

В общем случае степень воздействия ФКП на параметры ЭРИ при заданных электрических режимах зависит от вида и соотношения воздействующих факторов (температуры, давления, радиации т.д.), их абсолютных величин, природы ЭРИ (тип материала, вид технологии и т.д.).

Применительно к макромоделям ЭРИ учет влияния ФКП может быть проведен введением зависимых источников тока [12122,F 122F123], например, J1, J2, J5 в модели двухвходового вентиля И - НЕ на рис. 110857H .

Структура макромодели простого логического элемента включает нелинейные двухполюсники, воспроизводящие входные и выходные характеристики и RC – цепочку, моделирующую задержку распространения сигнала. Работа вентиля описывается таблицей истинности представленной в табл. 72858H . В макромодели входные сопротивления представлены R1, R2, C1, C2, включенными во входной каскад. Длительность задержек переключения обеспечивается R3, R4, C3. R5 – выходное сопротивление вентиля. Зависимый источник тока J4 представляет выходную цепь вентиля И –НЕ. Зависимый источник тока J3 управля-

349

ется в соответствии с таблицей истинности. В общем виде зависимый источник тока можно описать выражением:

J k , a − b = F n ( Pt , Pk , PL , P1 ... Pi , P j ... Pm # A1 ,... A n , A p ... A g ) , где

Pt - параметр технологии;

Pk - параметр обобщенной макромодели;

PL - параметр реализации логики обобщенной макромодели;

P1,... Pi - параметры типономинала ЭРИ;

Pj,..., Pm - параметры, характеризующие ФКП;

A1,..., An - аргументы встроенной функции, т.е. токи или напряжения источников тока или напряжения, линейных или нелинейных пассивных компонентов (R,G,L,C);

Ap,...Ag - аргументы (токи, напряжения), учитывающие ФКП; k – номер источника тока;

а, b - узлы подключения источника тока Jk.

Параметры P1,...Pi описывают аппроксимирующие вольтамперные характеристики ЭРИ согласно выбранному методу их аналитического описания и динамику функционирования ИС. Чувствительность аппроксимирующих зависимостей от ИИ учитывается параметрами Pj,..., Pm, которые могут быть постоянными, либо изменяться в зависимости от управляющих воздействий.

Таблица 72 Таблица истинности двухвходового вентиля И-НЕ

Обычно вид функции Jk. при комплексном воздействии ФКП неизвестен. Поэтому будем рассматривать не саму функцию, а ее разложение в степенной ряд:

J k = Y = Β 0 + ∑ Β i Χ i + ∑ Β ij Χ i Χ j + ∑ Β i Χ i2 + ...

Точность, с которой степенной ряд описывает процесс, зависит от степени ряда, то есть от того, с каким показателем степени представлены последние чле-

350

ны ряда. На практике всегда ограничиваются конечным числом членов разложения. Но подобная аппроксимация имеет смысл, если функция Jk отвечает ряду требований. Она должна быть непрерывной и гладкой. Для случая анализа влияния ФКП на ЭРИ можно утверждать определенно, что это условие выполняется, достаточно проанализировать соответствующие справочники [98,85 H 123F124].

Теперь необходимо задать несколько сочетаний независимых переменных X1,..., Xi, определить соответствующие значения Y и использовать полученную информацию для нахождения коэффициентов Bo, Bi и т.д. и если проверка покажет, что результаты хорошо согласуется с данными опытов, то цель достигнута. Необходимо отметить, что, пользуясь результатами эксперимента, мы сможем определить лишь выборочные коэффициенты bo, bi, bij и т.д., которые являются оценками для теоретических коэффициентов Bo, Bi, Bij и т.д.

Таким образом, уравнение, получаемое по результатам экспериментов, в отличие от приведенного выше теоретического, имеет вид:

F n = Υ^ = b 0 + ∑ b i Χ i + ∑ b ij Χ i Χ j + ∑ b i Χ 2 i + ... ,где (1)

^

Υ - выборочная оценка для Y;

bo, bi, bij - выборочные оценки для Bo, Bi, Bij .

Определив коэффициенты этого уравнения, получим представление о влиянии ФКП на работоспособность ЭРИ.

Когда речь идет о выборочных оценках, необходимо выбрать способ получения этих оценок. Прежде всего, необходимо, чтобы выборочные оценки были как можно ближе к теоретическим значениям. При обработке информации широко применяется метод наименьших квадратов. В нем в качестве указанного критерия близости используется следующий показатель: сумма квадратов отклонений между значениями исследуемой функции и соответствующими значениями аппроксимирующей функции должна быть минимальной:

n - число экспериментальных точек, по которым проводится аппроксимация;

i - номер точки.

351

Таким образом, постановка эксперимента для определения коэффициентов регрессии является очень важным этапом. Эксперимент необходимо построить так, чтобы с максимальной степенью достоверности определить коэффициенты регрессии, но с минимально необходимым объемом экспериментов. Эта задача полностью соответствует предмету теории планирования эксперимента

[124F125, 125F126].

Для нахождения коэффициентов полинома (1) и выполнения условия (2) необходимо поставить эксперимент, причем нужно решить, полиномом какой степени аппроксимируем неизвестную функцию, так как чем больше коэффициентов у полинома, тем больше опытов окажется необходимым.

Значит, необходимо найти полином, содержащий как можно меньше коэффициентов, но удовлетворяющий требованиям к модели (1).

Для определения степени аппроксимирующего полинома необходимо последовательно увеличивать его степень до тех пор, пока модель окажется адекватной.

Таким образом, полином (уравнение регрессии) последовательно ищется в

виде:

• линейного полинома:

^

Υ = b0 + ∑ bi Χ i ,

• неполного квадратичного полинома:

^

Υ = b0 + ∑ bi Χi + bi Χi Χ j ,

• полного квадратичного полинома

^

Υ = b0 + ∑ bi Χi + bi Χi Χ j + ∑bi Χ2i +...

i, j - текущие номера первичных факторов, причем i ≠j.

Процедура определения коэффициентов полинома сводится к последовательному выполнению следующих операций:

•подготовке исходных данных и выделении первичных критичных параметров;

•выбор плана эксперимента и составление матрицы планирования;

352

•проведение эксперимента;

•обработку результатов эксперимента и построению математической моде-

ли генератора тока , учитывающего влияние ФКП на параметры ЭРИ.

При подготовке исходных данных необходимо иметь:

•электрическую схему ЭРИ;

•перечень выходных (входных) параметров, которые могут существенно меняться от воздействия ФКП и которые присутствуют в формальной модели ЭРИ;

•полный перечень первичных параметров (напряжение питания, параметры входных (внешних) сигналов и диапазоны допустимых с точки зрения работы ЭРИ их значений, внешние возмущающие факторы (ФКП) и диапа-

зоны их значений).

После предварительного анализа необходимо определить, какие первичные параметры целесообразно и технически возможно варьировать в ходе эксперимента, а также фиксировать на определенном уровне. Совокупность фиксированных уровней первичных параметров определяет условия эксперимента и полученная модель справедлива только для этих условий. Важно сформулировать требования к изменяемым в процессе эксперимента величинам (факторам). Они должны быть управляемы, совместны, независимы. Точность фиксации факторов должна быть высокая.

Как было показано выше, ФКП, наиболее влияющими на работоспособность ЭРИ, являются температура ЭРИ и уровни ионизирующих излучений.

Диапазон температур и динамика его изменения в течение суток для внешней поверхности геостационарных КА, полученный по результатам прямых измерений на внешней поверхности КА "Горизонт", показывает, что диапазон температур составляет от минус 75 С до +100°C. Качественная и количественная их характеристика ВВФ применительно к геостационарным КА приведена в табл. 73860H .

Эксперимент по определению коэффициентов полинома (1) в идеальном случае должен проводиться на борту КА, значения характеристик ЭРИ должны сниматься при фиксированных значениях температур и доз облучения. Понятно, что такой эксперимент очень дорог. С какими-то допущениями и с учетом того, что определен комплекс наиболее влияющих на работоспособность ЭРИ ФКП и их величины, такой эксперимент можно поставить в наземных условиях с учетом влияния на работоспособность эффекта низкой интенсивности [114]866H .

354

Заключение

Общей научной основой учебной дисциплины «Надежность систем автоматического управления» является теория надежности, которая изучает общие методы, приемы, которых следует придерживаться при проектировании, изготовлении, приемке, транспортировке и эксплуатации изделий для обеспечения максимальной их эффективности в процессе использования, а также разрабатывающая общие методы расчета количественных характеристик качества радиоэлектронной аппаратуры.

Учитывая, что по-крупному космический аппарат состоит из конструктивных элементов и ЭРИ, в пособии большое внимание уделено вопросам обеспечения длительной работоспособности ЭРИ. Методология обеспечения работоспособности ЭРИ в КА ДФ по длительности функционирования и радиационной стойкости должна включать:

•обеспечение при конструировании БА и КА допустимых электрических и тепловых режимов работы ЭРИ с учетом требований по ДФ;

•применение специальных методов по обеспечению РС ЭРИ, не соответствующих модели ВВФ;

•проведение дополнительных отбраковочных испытаний ЭРИ до установки

вБА, для обеспечения запасов по ДФ и РС, в состав которых входят:

9испытания на соответствие ужесточенным по сравнению с ТУ нормам на электрические;

9испытания на соответствие нормам по величине дрейфа электрических параметров при проведении электротермотренировки (ЭТТ), (термотренировки);

9испытания по величине теплового сопротивления кристалл – корпус ЭРИ;

9проведение разрушающего физического анализа на выборке ЭРИ для оценки качества изготовления конкретной партии.

355

Литература

1 ГОСТ 27.002-89. Надежность в технике. Основные понятия. Термины и определения

2Андреев А.И., Демочко Ю.А., Русаков Ю.М., Торопов Ю.А. Надежность радиоэлектронных средств.- С-Петербург.: На страже Родины, 2001.-193с.

3СТП 154-34-2006. Система менеджмента качества. Комплексная программа экспериментальной отработки космического комплекса и его изделий. Состав, содержание и порядок разработки.

4Надежность космических аппаратов: Учебное пособие/ В.Е.Патраев, В.И.Халиманович, В.В Ильиных.– Сиб. ГАУ.Красноярск, 2007.– 151с.

5Уилкс С. Математическая статистика. М.: Наука,1967. 632с.

6Беккер П., Йенсен Ф. Проектирование надежных электронных схем. – М.: Сов. радио, 1977.-256с

7Райкин А.Л. Элементы теории надежности технических систем/ Под ред.И.А.Ушакова.2-ое изд., перераб. и доп.-М.: Радио и связь, 1978. 280с.

8Патраев В.Е. Модель надежности космического аппарата: САКС-2004: Тез.докл. Междунар.науч. – практ.конф./ СибГАУ. Красноярск, 2004.–С62– 64.

9Владимирович Г.И., Седякин Н.М. Теория надежности радиоэлектронной аппаратуры.- Л.:ЛВИКА им. Можайского, 1968. 475с.

10Владимирович Г.И., Седякин Н.М. Теория надежности радиоэлектронной аппаратуры.- Л.:ЛВИКА им. Можайского, 1968. 475с.

11Патраев В.Е., Максимов Ю.В. Оптимизация объемов отработки космических аппаратов со сроком активного существования 10-15 лет.- М.: НИИЦПТ МИА, «Двойные технологии», №3,2004.–C66-80.

12СТП 154-34-2006. Система менеджмента качества. Комплексная программа экспериментальной отработки космического комплекса и его изделий. Состав, содержание и порядок разработки

13CТП 154-66-2007. Система менеджмента качества. Этапность наземной экспериментальной отработки изделий предприятия. Виды отработочных и контрольных испытаний. Общие требования

14Горлов М.И., Емельянов В.А., Строгонов А.В. Геронтология кремниевых интегральных схем. –М.:

Наука, 2004. – 240 с.

15Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкция и методы моделирования кремниевых интегральных схем.Ч.1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование.-М.:Бином Лаборатория знаний, 2009.-397с.

16Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы надежности интегральных схем: Учебное пособие.- Воронеж: Издательство Воронежского университета, 1995.-200с.

17Урличич Ю.М., Данилин Н.С. Управление качеством космической радиоэлектронной аппаратуры в условиях глобальной открытой экономики. -М.: МАКС Пресс, 2003. -202с.

18ОСТ В11.073.012-87. Микросхемы интегральные. Специальные технические условия

19ГОСТ В11.0398-87. Микросхемы интегральные. Общие технические условия

20ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия

21ГОСТ 073.013-80. Микросхемы интегральные. Методы испытаний.

22MIL-STD-883. Test method and procedures for microelectronics

23Карташов Г.Д. Модели расходования ресурса изделий электронной техники. -М.; ЦНИИ "Электрони-

ка". 1977.- 76 с.

24МОП 44 001.XX - 2008. Перечень электрорадиоизделий, разрешенных к применению при разработке

(модернизации), производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов, устройств и оборудования военного назначения. 22ЦНИИИ МО. г. Мытищи. 2008.

25 Перечень ЦК-1/96. Изделия электронной техники, допускаемые для применения в аппаратуре космического аппарата "Ямал" с 10-летним сроком активного существования. АО ИТЦ "Циклон", 1997 – 90 с. 26 Решение № SST-TP-97006 о квалификации электрорадиоизделий на соответствие требованиям космического аппарата с 10-летним сроком активного существования (Редакция 1-97). АО ИТЦ "Циклон", 1997

– 108 с.

27В.В. Федосов, В.И. Куклин, Орлов В.И., Ш.Н. Исляев и др. Технический отчет. Космический аппарат «SESAT» со сроком активного функционирования 10 лет. Принципы, методы и результаты комплектации аппаратуры электрорадиоизделиями. ФГУП «НПО ПМ им. академика Решетнева». 1999.- 408с.

28Модель околоземного космического пространства: В 3-х т. / Под ред. академика Вернова С.Н. Издание седьмое. - М.: МГУ, 1983 г.

29Стойкость изделий электронной техники к воздействию факторов космического пространства и электрических импульсных перегрузок: Справочник. Т. ХII. 4-е изд. Книга 2. Термовакуумные и электрические воздействия. - ВНИИ "Электронстандарт". 1990 – 162 с.

30Радиационная стойкость изделий и материалов электронной техники 1993-1997 г. Справочник, РНИИ "Электронстандарт". 1999 г.

356

31 Перечень ЦК-1/96. Изделия электронной техники, допускаемые для применения в аппаратуре космического аппарата "Ямал" с 10-летним сроком активного существования. АО ИТЦ "Циклон", 1997 – 90 с. 32 Решение № SST-TP-97006 о квалификации электрорадиоизделий на соответствие требованиям космического аппарата с 10-летним сроком активного существования (Редакция 1-97). АО ИТЦ "Циклон", 1997

– 108 с.

33 Модель околоземного космического пространства: В 3-х т. / Под ред. академика Вернова С.Н. Издание седьмое. - М.: МГУ, 1983 г 34 Стойкость изделий электронной техники к воздействию факторов космического пространства и элек-

трических импульсных перегрузок: Справочник. Т. ХII. 4-е изд. Книга 2. Термовакуумные и электрические воздействия. - ВНИИ "Электронстандарт". 1990 – 162 с.

35Пиз Р.Л, Джонстон А.Х., Лазаревич Дж.Д. Радиационные испытания полупроводниковых приборов для космической электроники. ТИИЭР, М.: Мир, Том 76, №11, 1988. - с. 126-145

36Радиационная стойкость материалов радиотехнических конструкций: Справочник./ Под ред. Н.А Сидорова, В.К. Князева. -М.: Советское радио, 1976. – 567 с.

37Радиационная стойкость бортовой аппаратуры и элементов космических аппаратов. 1Всесоюзная на- учно-техническая конференция. Материалы конференции. Томск, 1991г.- 257с.

38Результаты исследований состава внутренней газовой атмосферы изделий 11Ф625 и 11Ф626: Технический отчет ТО-434-3732-90 / НПО прикладной механики, Красноярск 26, 1990.-94 с.

39ГОСТ 2.124-85. Порядок применения покупных изделий. Введ. с 01.04.85.- Группа Т52. -5 с.

40ГОСТ В 20.39.304-76. Требования по стойкости, прочности и устойчивости к воздействию механических, климатических и биологических факторов, специальных сред и ионизирующих излучений космического пространства. Введ. с 01.01.78.-Группа О02. – 83с

41Дополнение к эскизному проекту развития ЕССС. Космический аппарат 14Ф34. Часть десятая. Конструкция: Пояснительная записка / НПО прикладной механики, Красноярск 26, 1992.- 154с.

42SST-SP-4000-NPPM-00002. Космический аппарат Sesat. Спецификация на внешние воздействия.

Ред.03/А./ НПО прикладной механики. - Красноярск 26, 1998.-52 с.

43 Анализ условий эксплуатации БА КИС в составе КА негерметичного исполнения: Технический отчет. НИР шифр "Основа" / НПО КП, М.: 1992.- 100 с.

44РДВ 22.36.147-91. Методические указания. Порядок совместного применения комплексов военных стандартов "Мороз-5" и "Климат-6".- 16 с.

45Программа отработочных испытаний 768.2750-0 ПМ1:/ НПО прикладной механики, Красноярск 26, 1991.-252 с.

46Программа отработочных испытаний 14Ф30.2606-0 ПМ1:/ НПО прикладной механики, Красноярск

26, 1986.- 149с.

47Программа отработочных испытаний 14Ф30.2216-0 ПМ1:/ НПО прикладной механики, Красноярск

26, 1986.- 137с.

48ГОСТ В 20.39.404-81. Классификация по условиям применения и требованиям по стойкости к внешним воздействующим факторам. Введ. с 01.01.82.- Группа О02. .- 55 с

49Integrated circuits, monolithic. ESA/SCC. Generic Specification No 9000. 199836 p.

50Integrated circuits, silicon monolithic, HCMOS octal bus buffers with 3-state outputs based on type 54HCT244. ESA/SCC Detail Specification No 9402/009. 1988.- 42 p.

51Transistors, Low Power, pnp, based on type 2N3962. ESA/SCC Detail specification. No 5202/015.1988.-18

p.

52Разработка конструктивно-компоновочных решений общей схемы КА и бортового приборного состава КА в негерметичном исполнении (предварительный вариант): Отчет о НИР "Оазис" / НПО прикладной механики, Красноярск-26, 1990. - 269 с.

53ОСТ В 11.0398-2000. Микросхемы интегральные. Общие технические условия Введ. с 01.07.2000.-84

c.

54Отчет по результатам термовакуумных и механических испытаний макета силового блока шунтового стабилизатора. / ПНО прикладной механики. 1999.-72 с.

55SST-AN-4343-NPPM-00286. Тепловой анализ блока электронного регулирования. / НПО прикладной механики, Красноярск 26, 1996.- 25с.

56Космический комплекс 14Ф34. Дополнение к эскизно-техническому проекту развития ЕССС. Книга вторая. Космический аппарат. Часть четырнадцатая. Проектная оценка параметров собственной внешней атмосферы, в том числе внутри негерметичного приборного отсека: Пояснительная записка. ФЕИТ 371111.003 ПЗ.16 / НПО прикладной механики – Московский авиационный институт, Красноярск 26, 1992.- 203 с.

57Результаты исследований состава внутренней газовой атмосферы изделий 11Ф625 и 11Ф626: Технический отчет ТО-434-3732-90 / НПО прикладной механики, Красноярск 26, 1990.-94 с.

357

58 РД В 319.03.24-97. Микросхемы интегральные. Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетических тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства. - М. 1997. Введ. с 04.08.97.-58 с. 59 Радиационная стойкость бортовой аппаратуры и элементов космических аппаратов. 1Всесоюзная на- учно-техническая конференция. Материалы конференции. Томск, 1991г.- 257с.

60Мырова Л.О., Попов В.Д., Верхотуров В.И. Анализ стойкости систем связи к воздействию излучений. М.: Радио и связь,1993.-268 с.

61Пиз Р.Л, Джонстон А.Х., Лазаревич Дж.Д. Радиационные испытания полупроводниковых приборов для космической электроники. ТИИЭР, М.: Мир, Том 76, №11, 1988. - с. 126-145

62Стассинопулос Э.Г., Реймонд Дж.П.. Радиационные условия работы электроники в космическом про-

странстве. ТИИЭР, М., Мир, Том 76, №11, 1988. - с. 23-43.

63Обоснование модели физических условий воздействия на геостационарной орбите: Итоговый отчет по теме (договор 114-91) / НИИЯФ МГУ, Москва, 1991.-57 с.

64Кузнецов Н.В., Ныммик Р.А., Соловьев Г.Г., Хаустов В.В., Щербаков В.А., Эмишян М.С. Методика оценки интенсивности одиночных сбоев интегральных схем при воздействии тяжелых ионов космического пространства. Препринт НИИЯФ МГУ № 96-12/419. М. 1996. -23 с.

65Справочники «Надежность ЭРИ».–М.:Изд.22 ЦНИИИ МО,1992, 2000, 2002

66М. Горлов, Л. Ануфриев, А. Строгонов Отбраковочные технологические испытания как средство повышения надежности партий ИС. Chip News. №5. 2001 г.

67РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических па-

раметров. Введ. с 01.01.90.-77 с.

68Руководящий документ Методическое пособие по выбору и использованию методов и средств электрофизического диагностирования электрорадиоизделий. РД В 22.32.119-89. В/ч 67947.-1989.-210 с.

69Чернышев А.А Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1988.- 256 с.

70Андреев А.И., Катеринич И.И.,. Попов В.Д. Надежность и контроль качества интегральных микросхем (конспект лекций) Часть 2 Контроль качества. М.: МИФИ, 2004.-120 с.

71Анализ технического состояния и оценка уровня фактической надежности и готовности к целевому использованию космических аппаратов народнохозяйственного назначения по результатам изготовления и эксплуатации в 2005 году. Анализ динамики изменения показателей надежности за период с 1994 по

2005 год., ОТ №510-5608-05, НПО ПМ, Железногорск, 2005 –176с., ил

72Данилин Н.С. Информационные технологии и сертификация элементной базы новых российских телекоммуникаций: Уч.-метод. пособие.–М.:2000.–47с.

73Федосов В.В, Патраев В.Е. Повышение надежности радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов при применении электрорадиоизделий, прошедших дополнительные отбраковочные испытания в специализированных испытательных технических центрах. Авиакосмическое приборостроение, 2006 г.

№10, с.50-55.

74Методические рекомендации по разработке справочника «Надежность электрорадиоизделий» МО России, 1988 - . 25 с.

75Гнеденко Б.В., Беляев Ю.К., Соловьев А.Д. Математические методы в теории надежности - М.: Наука, 1965.- 524с.

76ОСТ 11 14.1012-99. Микросхемы интегральные. Технические требования к технологическому процессу. Система и методы операционного контроля.1999.-71 с.

77ОСТ 11 073.013-83. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Часть 2. Испытания на воздействие климатических факторов и сред заполнения. Введ. с 01.07.84. Группа Э29

78АКЕФ.55.0004ПЛ-2001. Положение по проведению разрушающего физического анализа электрорадиоизделий.

79Военный руководящий документ "Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые военного назначения. Порядок и методы проведения разрушающего физического анализа качества партий изделий, поставляемых для высоконадежных радиоэлектронных средств вооружения" РД В 319.04.472006. / Борисов А.А., Крутов Л.Н., Федосов В.В. и др. ФГУП 22 ЦНИИИ Минобороны России, 2006.- 49

с

80Федосов В.В., Патраев В.Е. Оценка влияния разрушающего физического анализа на характеристики безотказности изделий микроэлектроники, устанавливаемых в бортовую аппаратуру космических аппаратов. Авиакосмическое приборостроение, 2008 г. №1, с.37-40.

81Справочник «Надежность ЭРИ».–М.:Изд.22 ЦНИИИ МО, 2002.

82Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем: Учебное пособие. – Воронеж: Издательство Воронежского университета, 1995. – 200 с.

83ОСТ В 11 0998-99. Микросхемы интегральные. Общие технические условия., -139 с.

84Vaccaro J. Требования к надежности полупроводниковых приборов, предъявляемые Министерством обороны США.- ТИИЭР (русск. пер.). 1974. №2. с.38-64.

358

85 Закс Л. Статистическое оценивание. М., «Статистика», 1976.-598 с

86Ю.М. Урличич, Н.С. Данилин Управление качеством космической радиоэлектронной аппаратуры в условиях глобальной открытой экономики. ФГУП «РНИИКП» М. Макс Пресс, 2003.- 204с.

87И.Е. Литвинский, В.А. Прохоренко, А.Н. Смирнов Обеспечение безотказности микроэлектронной радиоаппаратуры на этапе производства. Минск. Беларусь, 1989.

88Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1987. – 464 с

89ОСТ В 11 1009-2001. Стандарт отрасли. Многокристальные модули, микросборки. Общие технические условия. - 134 с.

90ГОСТ РВ 20.39.411-97. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Общие положения.

91Решение об утверждении объема и последовательности дополнительных испытаний ЭРИ, комплектующих КА по заказам Генерального Заказчика (Редакция 3-20056). ФГУП НПО ПМ, ФГУ 22ЦНИИИ МО РФ.

92Rosenfeld, A. and Kak, A. C., Digital Picture Processing, Academic Press, Inc., San Diego, 1982.

93]. Joseph I. Goldstein, Dale E. Newbury, Patrick Echlin, David C. Joy, A. D. Romig, Jr., Charles E. Lyman, Charles Fiori, and Eric Lifshin, Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis, A Textbook for Biologists, Materials

Scientists, and Geologists, 2nd Edition, Plenum, New York, 1992, p. 22.

94 T.W. Lee, “A review of wet etch formulas for silicon semiconductor failure analysis”, Microelectronics Failure Analysis Desk Reference, 4th Edition, ASM International, Materials Park, OH, p. 589-601 (1999). 95 ГОСТ 20.57.406-81. "Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний". Введ. с 01.01.82.-217 с.- Группа Э29.

96ОСТ В 11.073.012-87.Микросхемы интегральные. Специальные общие технические условия. Введ. с

01.07.87.– 107 с.- Группа О72.

97ГОСТ В 28146-89. Приборы полупроводниковые. Общие технические условия. Введ. с 01.07.90.-61 с.- Группа О72.

98Стойкость изделий электронной техники к воздействию термовакуумных факторов космического пространства: Справочник. ВНИИЭС. 1981.-308 с.

99Радиационная стойкость материалов радиотехнических конструкций: Справочник./ Под ред. Н.А Сидорова, В.К. Князева. -М..: Советское радио, 1976. – 567 с.

100Blanks H.S. The temperature dependance of component failure rate. "Microelectronics and Reliability", 1980, N3.

101ESA PSS-01-301. Derating requirements applicable to electronic, electrical and electro-mechanical components for ESA spase systems. 1992.- 32 p.

102Mil-STD-975. Militari standard. NASA standart electrical, electronic, and electromechanical (EEE) parts list. 1994.

103Parts derating requirements for Russian components of the Sesat spacecraft. J. Garces de Marcilla, V. Fedo-

sov, V. Orlov. 1997. c-7.

104 Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем: Учебное пособие.- Воронеж: Издательство Воронежского университета, 1995.-200 с.

105Андреев А.И., Катеринич И.И., Попов В.Д. Надежность и контроль качества интегральных микросхем (конспект лекций). Часть 2 Контроль качества. МИФИ. Москва 2004.

106Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы неразрушающего контроля радиационной стойкости. РД В 319.03.45-2002. 2002.-26 с.

107Оценка радиационной стойкости приборов 17Ф13.2312-0, 14Ф132.2313-0 в составе КА 14Ф132: Технический отчет/ИТЦ-НПО ПМ, 22 ЦНИИИ МО РФ. 1999.-45 с.

108Справочник. Радиационная стойкость ЭРИ. РНИИ «Электронстандарт» 1999 г.

109Васильева З.Ф., Ванин В.И., Исляев Ш.Н., Малинин В.Г., Малышев М.М., Федосов В.В. Влияние РТО на показатели надежности и радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники. В сб.. Радиационная стойкость электронных систем. "Стойкость – 99", Научно –технический сборник. Вы-

пуск 2 . М., 1999, с. 41-42.

110Губарь А.С., Жидков В.В., Исляев Ш.Н., Кибо В.Н., Малый В.П., Устинов А.А., Федосов В.В. Создание промышленной технологии радиационной обработки ИЭТ. Известия высших учебных заведений.

Физика. №4. Томск, 2000, с 35-37.

111Перечень ЭРИ, разрешенных к применению при разработке (модернизации), производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов, устройств и оборудования военного назначения. МОП 44 00199. 22ЦНИИИ МО г. Мытищи.2004 г.

112Данилин Н.С. Информационные технологии и сертификация элементной базы новых российских телекоммуникаций: Уч.-метод. пособие.–М.:2000.–47с

113Обеспечение и оценка надежности работы аппаратуры, подвергающейся облучению. Отчет по НИР:/ Ухин Н.А. ИАЭ им. И.В. Курчатова, Москва, 1987.- 65 с.

359

114Малышев М.М., Малинин В.Г., Куликов И.В., Торгашов Ю.Н, Ужегов М.В. Методология оценки радиационной надежности ИЭТ в условиях низкоинтенсивных ионизирующих излучений // В сб. Радиа- ционно-надежностные характеристики изделий электронной техники в экстремальных условиях эксплуатации. Под редакцией Ю.Н. Торгашова. СПб. Издательство РНИИ "Электронстандарт", 1994. - 96с.

115Поливанов А., Попов В. О возможности применения microPC в бортовых устройствах космических аппаратов // "CHIP NEWS" – М., № 4 2000 –с 70-72.

116Schwank J.R., Sexton F.W., Fleetwood D.M., Temperature effekts on the radiation respronse of MOS devices. IEEE Trans, v NS-35, № 6, 1988. p 1432-1437.

117Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1988.-296 с.

118Чахмахсазян Е.А., Бармаков Ю.Н.,Гольденберг Ф.Э. Машинный анализ интегральных схем. - М.:

Сов.радио, 1974.- 272 с.

119Разработка математических моделей активных элементов интегральных микросхем: Отчет по НИР. Воронежский политехнический институт, Воронеж, 1976.-144 с.

120Ильин В.Н. Машинное проектирование электронных схем. - М.: Энергия, 1972.-280 с.

121Верхотуров В.И. и др. Сравнительный анализ пакетов прикладных программ автоматизации схемотехнического проектирования, используемых для оценки радиационной стойкости БА КА. Обзор по материалам отечественной и зарубежной печати за 1972 - 1988гг. ЦНИИ "Поиск" серия XII № 45 (148).

ГОНТИ - 16. 1989. - 27с.

122Верхотуров В.И., Исляев Ш.Н., Захоронко А.И., Федосов В.В. Применение макромоделей электрорадиоизделий для прогнозирования работоспособности ИС в условиях открытого космического пространства // Специальные вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных воздействий на радиоэлектронную аппаратуру. №3, 1987. - с.102-104.

123Верхотуров В.И., Захоронко А.И., Исляев Ш.Н., Федосов В.В. Оценка радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры с использованием макромоделей интегральных схем. // Специальные вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных воздействий на радиоэлектронную аппарату-

ру. Вып. 2. 1986. с71-73.

124Радиационная стойкость изделий и материалов электронной техники 1993-1997 г. Справочник, РНИИ "Электронстандарт". 1999 г.

125Налимов В.В. Теория экспериментов. - М.: Наука, 1971.- 207 с.

126Адлер Ю.П., Маркова Е.В., Грановский Ю.В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Наука, 1976. - 279 с.