Добавил:
kiopkiopkiop18@yandex.ru Вовсе не секретарь, но почту проверяю Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

3 курс / Гигиена / Физико_химические_характеристики_промышленных_альфа_излучающих_аэрозолей

.pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
23.03.2024
Размер:
51.24 Mб
Скачать

где me − масса электрона, с – скорость света, v – скорость частицы, β=v/c, Z – заряд частицы, n – плотность электронов в веществе, I – средний ионизационный потенциал атомов среды, с которой взаимодействует частица.

Потери энергии при ядерных соударениях можно вычислить по формуле [22]:

dE

= 4paNZ Z

e2

 

M1

 

S

 

(e),

(5.91)

 

 

 

+ M

 

n

dx

1 2

 

M

1

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где а – радиус экранирования, N – число атомов в единице объема вещества, Z1 и Z2 – заряды ядра, M1 и M2 – массовые числа, Sn – сечение ядерного торможения.

При постоянной скорости роль ядерных соударений растет с увеличением массы заряженной частицы и атомного номера вещества. Отношение (dE/dx)ядер/(dE/dx)ион уменьшается с ростом скорости (энергии) частиц. Основным трекообразующим процессом являются именно ионизационные потери, обусловленные взаимодействием движущегося осколка деления с электронами атомов вещества детектора. При более малых энергиях преобладающим процессом становятся потери при ядерных соударениях.

В качестве грубой оценки можно привести распределение по глубинам проникновения осколков деления в материал детектора с учетом проективного пробега, характерного для каждого осколка, в зависимости от его энергии и угла вылета из биологического материала. Пробег в веществе детектора, с учетом указанных выше параметров, рассчитывается по формуле:

R=Rпр∙cos(x),

(5.92)

где R – пробег в материале детектора, мкм, Rпр – проективный пробег, мкм. Данное распределение представлено на рисунках 5.50–5.52.

Рисунок 5.50 – Распределение по глубине проникновения осколков в детектор, толщина образца биологического материала 1 мкм

280

Рисунок 5.51 – Распределение по глубине проникновения осколков в детектор, толщина образца биологического материала 4 мкм

Рисунок 5.52 – Распределение по глубине проникновения осколков в детектор, толщина образца биологического материала 10 мкм

Ранее было отмечено, что в случае, если пробег частицы меньше, чем υGt (стравливаемая поверхность), трек не будет зарегистрирован. Для данного эксперимента υGt принят 0,7 мкм. Таким образом, грубая оценка показывает, что около 6% осколков не будет зарегистрировано детектором. Эффективность регистрации η определяется как отношение количества треков, выявленных травлением, к общему числу актов деления, произошедших в слое облучаемого нейтронами биологического материала. Часть телесного угла, в пределах которого треки не наблюдаются после травления, определяется выражением [19]:

281

Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/

h = 1- sin q.

1q

ò2pcosq'dq' = sin q.

2p 0

(5.93)

Поэтому в случае облучения поверхности тонким источником осколков деления, а значит случайной ориентации треков от внешнего тонкого источника, эффективность травления определяется уравнением:

(5.94)

Приведенная формула справедлива только для бесконечно тонкого источника с изотропным выходом осколков деления. Как было показано выше, выход осколков деления из рассматриваемых источников биологических тканей не является изотропным. В связи с этим, необходим иной подход к оценке эффективности регистрации осколков деления при их выходе из образцов биологической ткани конечной толщины. Для оценки эффективности регистрации можно воспользоваться формулой:

h =

NT - NR<1мкм

,

(5.95)

 

 

N0

 

где NT – количество осколков деления, вылетевших в прямом направлении, NR<1мкм – количество осколков деления, пробег которых, с учетом угла вылета, меньше стравливаемого слоя, N0 – общее число осколков деления.

Результаты вычислений по формуле (5.95) приведены в таблице 5.8:

Таблица 5.8 – Эффективность регистрации осколков деления в зависимости от толщины биологического материала

Толщина пробы, мкм

эффективности регистрации η

 

 

10

0,80

 

 

7

0,84

 

 

4

0,89

 

 

2

0,93

 

 

1

0,94

 

 

Значения эффективности регистрации, приведенные в таблице 5.5, хорошо согласуются со значением 82,49(3,26), полученным экспериментально для наночастиц, нанесенных непосредственно на мишень (глава «Уточнение величины критического угла» таблица 5.6).

5.5.3. Вычисление координаты наночастицы в толстом слое

Принимая во внимание, что линейные размеры наночастицы на три порядка меньше разрешения оптического микроскопа, коим пользуются для анализа и подсчета

282

треков, то с практической точки зрения случай Z = 0 (рис. 5.53) является тривиальным: наночастица, ее проекция на плоскость мишени и все точки входа осколков деления в мишень совпадают. Глубина залегания Z p q0, rt наночастицы в толстом слое в общем случае равновероятна:

Ph (h) =

1

 

,

(5.96)

 

H

 

где 0 – начало декартовых координат, совпадает с точкой проекции наночастицы на плоскость мишени, ось z направлена по нормали от плоскости мишени к центру масс наночастицы.

Рисунок 5.53 – Круглый прямой конус, вершина конуса в точкеu центра масс наночастицы 239PuO2. Основание конуса на плоскости мишени. Угол при вершине конуса равен критическому углу. Высота H – толщина толстого слоя. Высота h – глубина залегания наночастицы в толстом слое. T!1, T!2, T!3, T!4 – точки входа осколков деления в мишень

Проанализируем модельные данные, полученные в главе Моделирование поведения осколков деления 239Pu в биологическом материале. По результатам моделирования

построим зависимость

f h

(формула 5.97) глубины залегания

h

наночастицы в толстом

 

H

 

 

 

слое от

Ravg

. Где

Ravg

– есть среднее удаление от проекции наночастицы на мишень тре-

ков, отнесенных данной наночастице. Очевидно, что

fH

зависит от толщины толстого

 

h

 

слоя H . Для примера, построим для толстого слоя толщиной H = 5мкми H =10мкм :

h = fHh (Ravg ),

 

(5.97)

где – глубина залегания наночастицы в толстом слое;

Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных дан-

ной наночастице;

H – толщина толстого слоя.

283

Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/

Из результатов моделирования для

звезде построим зависимость h от

Ravg

H = 5 мкм

приведены на рисунке

64.

H = 10мкм Аппроксимируем полученные

каждого количества треков (2, 3, 4, 5, 6, 7) в

. Результаты построения для толстого слоя Результаты построения для толстого слоя результаты функцией:

 

h = a(1- e-bRavg ),

(5.98)

где h – глубина залегания наночастицы в толстом слое;

 

Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных

данной наночастице;

 

a

– первый параметр аппроксимации (фиттирования);

 

b

– второй параметр аппроксимации (фиттирования).

 

Функция аппроксимации выбрана в виде формулы 100, чтобы выполнялись граничные условия:

ì ï ï í ï ï î

R

Î[0,

 

avg

 

 

 

h

®

 

 

R

®0

 

 

avg

 

h

®

a

 

R

®+¥

 

avg

 

 

[ 0

£ H

(5.99)

Результаты аппроксимации

f

5.9. Результаты аппроксимации

fH =10

 

h

 

h

функцией h = a(1- e

-bRavg

) приведены в таблице

H =5

 

функцией h = a(1- e-bRavg ) приведены в таблице 5.10.

Таблица 5.9 – Результаты аппроксимации

f

h

 

H

=5

 

функцией

h

=

a

(1

- e

-bR

avg

 

)

Количество

a , формула (5.15)

 

b , формула (5.15)

R2

треков в звезде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

3,7567

 

0,4225

0,8845

 

 

 

 

 

3

3,9506

 

0,3787

0,9315

 

 

 

 

 

4

3,7666

 

0,4346

0,9990

 

 

 

 

 

5

3,8369

 

0,4413

0,9901

 

 

 

 

 

6

4,3514

 

0,2958

0,9937

 

 

 

 

 

7

3,9356

 

0,295

0,9671

 

 

 

 

 

Среднее ± СКО

3,93±0,15

 

0,378±0,055

 

 

 

 

 

 

По полученным данным функция fHh=5

не зависит от количества треков в звезде, по

крайней мере, для полученных значений (таблица 5.7). Аппроксимация функции fHh=5 для толстого слоя толщиной H = 5 мкм имеет вид:

284

h

=

3.93

(1

- e

-0.378R

avg

 

),

(5.100)

где

h – глубина залегания наночастицы в толстом слое;

Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных данной наночастице.

Таблица 5.10 – Результаты аппроксимации fHh=10 функцией h = a(1- e-bRavg )

Количество

 

a , формула (5.98)

b , формула (5.98)

R2

 

 

треков в звезде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

6,4914

0,4155

0,9900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

7,0019

0,2934

0,9933

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

8,0368

0,2107

0,9912

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

8,1937

0,1889

0,9916

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

8,9464

0,1595

0,9798

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

6,9319

0,2063

0,9310

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Среднее ± СКО

 

 

7,60±0,79

0,246±0,072

 

 

 

В отличие от функции fH =5 , которая предположительно не зависит от количества

 

 

 

h

 

 

 

 

треков в звезде, в функции

fH =10 (таблица 5.8) виден возможный линейный тренд на воз-

 

 

 

h

 

 

 

 

растание для параметра

a

и возможный степенной тренд на убывание для параметра

b

в

зависимости от количества треков в звезде.

 

 

Аппроксимация функции fH =10 для толстого слоя толщиной H = 10 мкм имеет вид:

 

 

h

 

 

 

h = 7.60(1- e-0.246Ravg ),

(5.101)

где

h

– глубина залегания наночастицы в толстом слое;

 

 

Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных

данной наночастице.

Таким образом, измерив среднее удаление треков, отнесенных данной наночастице, от проекции наночастицы на мишень, мы получаем глубину залегания частицы в толстом слое. Эта функция зависит от толщины толстого слоя, поэтому необходимо рассчитать несколько функций для толщин, используемых в практике (конкретную функцию для конкретной толщины). Но так как мы вольны выбирать толщину толстого слоя, и в практике используется ограниченное количество толщин, то это вполне реализуемая задача.

По результатам моделирования построим плотность вероятности pHN числа актов деления наночастицы Nf при облучении тепловыми нейтронами в толстом слое,

285

Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/

от количества треков, отнесенных данной наночастице N . Плотность вероятности дискретная и, очевидно, что она зависит от толщины толстого слоя H . Плотность вероятности можно построить для любой толщины, для примера, построим плотность вероятности для толстого слоя толщиной H = 5мкм (рис. 5.54) и H = 10мкм (рис. 5.55).

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

6

5

4

3

2

1

0

-1

Толщина тканевого среза H=5 мкм (2 трека в звезде)

 

 

Толщина тканевого среза H=5 мкм (3 трека в звезде)

h(мкм)

6

5

наночастицы

4

залегания

3

1

 

2

Глубина

0

 

-1

0

5

10

15

20

25

0

5

10

 

15

20

 

Средний диаметр звезды R

avg

(мкм)

 

 

Средний диаметр звезды R

avg

(мкм)

 

Толщина тканевого среза H=5 мкм (4 трека в звезде)

Толщина тканевого среза H=5 мкм (5 треков в звезде)

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

6

5

4

3

2

1

0

-1

h(мкм)

6

5

наночастицы

4

залегания

3

1

 

2

Глубина

0

0

2

4

6

8

10

12

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

02

Средний диаметр

4 звезды

68

R

avg

(мкм)

Толщина тканевого среза H=5 мкм (6 треков в звезде)

Толщина тканевого среза H=5 мкм (7 треков в звезде)

 

5

h(мкм)

4

наночастицы

3

залегания

2

1

Глубина

0

0

2

4

6

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

6

5

4

3

2

1

0

-1

0

2

4

 

6

8

 

Средний диаметр звезды R

avg

(мкм)

 

Рисунок 5.54 – Зависимость h от Ravg для толстого слоя толщиной H = 5мкм

и аппроксимация зависимости функцией h = a(1- e-bRavg )

286

Толщина тканевого среза H=10 мкм (4 трека в звезде)

Толщина тканевого среза H=10 мкм (2 трека в звезде)

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

10

8

6

4

2

0

-2

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

0

2

4

6

8

10

12

14

16

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

10

8

6

4

2

0

-2

0

5

10

15

20

25

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

Толщина тканевого среза H=10 мкм (6 треков в звезде)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Толщина тканевого среза H=10 мкм (3 трека в звезде)

10

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

h(мкм)

8

 

 

 

6

 

 

 

 

наночастицы

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

залегания

4

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

2

 

 

 

 

Глубина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

5

10

15

0

2

4

6

8

10

 

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

 

 

 

 

 

 

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

 

 

 

 

 

 

Толщина тканевого среза H=10 мкм (5 треков в звезде)

Толщина тканевого среза H=10 мкм (7 треков в звезде)

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

12

10

8

6

4

2

0

Глубина залегания наночастицы h(мкм)

0

2

4

6

8

10

12

14

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

10

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

Средний диаметр звезды Ravg(мкм)

Рисунок 5.55 – Зависимость

h

от Ravg для толстого слоя толщиной H = 10мкм

и аппроксимация зависимости функцией h = a(1- e-bRavg )

287

Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/

Область определения по координате абсцисс не заканчивается на каком-то конкретном значении, как приведено на рисунках 5.56 и 5.57, но для получения «хвостов» необходимо много модельного времени, и мы получим очень маленькие вероятности, которыми, возможно, стоит пренебречь.

вероятность данного количества актов деления

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Плотность вероятности количества актов деления (2 трека в звезде, толщина слоя H=5мкм)

вероятность данного количества актов деления

2

3

4

5

6

 

количество актов деления в наночастице (шт)

 

Плотность вероятности количества актов деления (3 трека в звезде, толщина слоя H=5мкм)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

3

4

5

6

 

количество актов деления в наночастице (шт)

 

вероятность данного количества актов деления

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Плотность вероятности количества актов деления (4 трека в звезде, толщина слоя H=5мкм)

вероятность данного количества актов деления

4

5

6

7

 

количество актов деления в наночастице (шт)

 

Плотность вероятности количества актов деления (5 треков в звезде, толщина слоя H=5мкм)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

5

6

7

количество актов деления в наночастице (шт)

Плотность вероятности количества актов деления (6 треков в звезде, толщина слоя H=5мкм)

вероятность данного количества актов деления

1.0

 

 

 

0.8

 

 

 

0.6

 

 

 

0.4

 

 

 

0.2

 

 

 

0.0

 

 

 

5

6

7

8

 

количество актов деления в наночастице (шт)

 

Рисунок 5.56 – Дискретная плотность вероятности pHN=5 числа актов деления наночастицы Nf при облучении тепловыми нейтронами в толстом слое в зависимости от количества треков, отнесенных данной наночастице N

288

Плотность вероятности количества актов деления (2 трека в звезде, толщина слоя H=10мкм)

деления

1.0

актов

0.8

 

количества

0.4

 

0.6

данного

0.2

вероятность

0.0

2

3

4

5

количество актов деления в наночастице (шт)

Плотность вероятности количества актов деления (4 трека в звезде, толщина слоя H=10мкм)

деления

1.0

актов

0.8

 

количества

0.6

данного

0.4

0.2

вероятность

0.0

4

5

6

7

количество актов деления в наночастице (шт)

вероятность данного количества актов деления

Плотность вероятности количества актов деления (3 трека в звезде, толщина слоя H=10мкм)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

2

3

4

5

6

7

8

 

количество актов деления в наночастице (шт)

 

 

Плотность вероятности количества актов деления

деления

(5 треков в звезде, толщина слоя H=10мкм)

1.0

 

 

актов

0.8

 

 

количества

0.6

 

 

данного

0.4

 

 

вероятность

0.2

 

 

 

0.0

 

 

 

5

6

7

количество актов деления в наночастице (шт)

Плотность вероятности количества актов деления (6 треков в звезде, толщина слоя H=10мкм)

вероятность данного количества актов деления

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

5

6

7

8

количество актов деления в наночастице (шт)

Рисунок 5.57 – Дискретная плотность вероятности pHN=10 числа актов деления наночастицы N f при облучении тепловыми нейтронами в толстом слое

в зависимости от количества треков, отнесенных данной наночастице N

289

Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/