где me − масса электрона, с – скорость света, v – скорость частицы, β=v/c, Z – заряд частицы, n – плотность электронов в веществе, I – средний ионизационный потенциал атомов среды, с которой взаимодействует частица.
Потери энергии при ядерных соударениях можно вычислить по формуле [22]:
dE |
= 4paNZ Z |
e2 |
|
M1 |
|
S |
|
(e), |
(5.91) |
|
|
|
+ M |
|
n |
dx |
1 2 |
|
M |
1 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где а – радиус экранирования, N – число атомов в единице объема вещества, Z1 и Z2 – заряды ядра, M1 и M2 – массовые числа, Sn – сечение ядерного торможения.
При постоянной скорости роль ядерных соударений растет с увеличением массы заряженной частицы и атомного номера вещества. Отношение (dE/dx)ядер/(dE/dx)ион уменьшается с ростом скорости (энергии) частиц. Основным трекообразующим процессом являются именно ионизационные потери, обусловленные взаимодействием движущегося осколка деления с электронами атомов вещества детектора. При более малых энергиях преобладающим процессом становятся потери при ядерных соударениях.
В качестве грубой оценки можно привести распределение по глубинам проникновения осколков деления в материал детектора с учетом проективного пробега, характерного для каждого осколка, в зависимости от его энергии и угла вылета из биологического материала. Пробег в веществе детектора, с учетом указанных выше параметров, рассчитывается по формуле:
где R – пробег в материале детектора, мкм, Rпр – проективный пробег, мкм. Данное распределение представлено на рисунках 5.50–5.52.
Рисунок 5.50 – Распределение по глубине проникновения осколков в детектор, толщина образца биологического материала 1 мкм
Рисунок 5.51 – Распределение по глубине проникновения осколков в детектор, толщина образца биологического материала 4 мкм
Рисунок 5.52 – Распределение по глубине проникновения осколков в детектор, толщина образца биологического материала 10 мкм
Ранее было отмечено, что в случае, если пробег частицы меньше, чем υGt (стравливаемая поверхность), трек не будет зарегистрирован. Для данного эксперимента υGt принят 0,7 мкм. Таким образом, грубая оценка показывает, что около 6% осколков не будет зарегистрировано детектором. Эффективность регистрации η определяется как отношение количества треков, выявленных травлением, к общему числу актов деления, произошедших в слое облучаемого нейтронами биологического материала. Часть телесного угла, в пределах которого треки не наблюдаются после травления, определяется выражением [19]:
281
Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/
h = 1- sin q.
1q
ò2pcosq'dq' = sin q.
2p 0
Поэтому в случае облучения поверхности тонким источником осколков деления, а значит случайной ориентации треков от внешнего тонкого источника, эффективность травления определяется уравнением:
(5.94)
Приведенная формула справедлива только для бесконечно тонкого источника с изотропным выходом осколков деления. Как было показано выше, выход осколков деления из рассматриваемых источников биологических тканей не является изотропным. В связи с этим, необходим иной подход к оценке эффективности регистрации осколков деления при их выходе из образцов биологической ткани конечной толщины. Для оценки эффективности регистрации можно воспользоваться формулой:
h = |
NT - NR<1мкм |
, |
(5.95) |
|
|
N0 |
|
где NT – количество осколков деления, вылетевших в прямом направлении, NR<1мкм – количество осколков деления, пробег которых, с учетом угла вылета, меньше стравливаемого слоя, N0 – общее число осколков деления.
Результаты вычислений по формуле (5.95) приведены в таблице 5.8:
Таблица 5.8 – Эффективность регистрации осколков деления в зависимости от толщины биологического материала
Толщина пробы, мкм |
эффективности регистрации η |
|
|
10 |
0,80 |
|
|
7 |
0,84 |
|
|
4 |
0,89 |
|
|
2 |
0,93 |
|
|
1 |
0,94 |
|
|
Значения эффективности регистрации, приведенные в таблице 5.5, хорошо согласуются со значением 82,49(3,26), полученным экспериментально для наночастиц, нанесенных непосредственно на мишень (глава «Уточнение величины критического угла» таблица 5.6).
5.5.3. Вычисление координаты наночастицы в толстом слое
Принимая во внимание, что линейные размеры наночастицы на три порядка меньше разрешения оптического микроскопа, коим пользуются для анализа и подсчета
треков, то с практической точки зрения случай Z = 0 (рис. 5.53) является тривиальным: наночастица, ее проекция на плоскость мишени и все точки входа осколков деления в мишень совпадают. Глубина залегания Z p q0, rt наночастицы в толстом слое в общем случае равновероятна:
где 0 – начало декартовых координат, совпадает с точкой проекции наночастицы на плоскость мишени, ось z направлена по нормали от плоскости мишени к центру масс наночастицы.
Рисунок 5.53 – Круглый прямой конус, вершина конуса в точкеu центра масс наночастицы 239PuO2. Основание конуса на плоскости мишени. Угол при вершине конуса равен критическому углу. Высота H – толщина толстого слоя. Высота h – глубина залегания наночастицы в толстом слое. T!1, T!2, T!3, T!4 – точки входа осколков деления в мишень
Проанализируем модельные данные, полученные в главе Моделирование поведения осколков деления 239Pu в биологическом материале. По результатам моделирования
построим зависимость |
f h |
(формула 5.97) глубины залегания |
h |
наночастицы в толстом |
|
H |
|
|
|
слое от |
Ravg |
. Где |
Ravg |
– есть среднее удаление от проекции наночастицы на мишень тре- |
ков, отнесенных данной наночастице. Очевидно, что |
fH |
зависит от толщины толстого |
|
h |
|
слоя H . Для примера, построим для толстого слоя толщиной H = 5мкми H =10мкм : |
h = fHh (Ravg ), |
|
(5.97) |
где – глубина залегания наночастицы в толстом слое;
Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных дан-
ной наночастице;
H – толщина толстого слоя.
283
Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/
Из результатов моделирования для
звезде построим зависимость h от |
Ravg |
H = 5 мкм |
приведены на рисунке |
64. |
H = 10мкм Аппроксимируем полученные |
каждого количества треков (2, 3, 4, 5, 6, 7) в
. Результаты построения для толстого слоя Результаты построения для толстого слоя результаты функцией:
|
h = a(1- e-bRavg ), |
(5.98) |
где h – глубина залегания наночастицы в толстом слое; |
|
Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных |
данной наночастице; |
|
a |
– первый параметр аппроксимации (фиттирования); |
|
b |
– второй параметр аппроксимации (фиттирования). |
|
Функция аппроксимации выбрана в виде формулы 100, чтобы выполнялись граничные условия:
R |
Î[0, |
|
avg |
|
|
|
h |
® |
|
|
R |
®0 |
|
|
avg |
|
h |
® |
a |
|
R |
®+¥ |
|
avg |
|
|
Результаты аппроксимации |
f |
5.9. Результаты аппроксимации |
fH =10 |
|
h |
|
h |
функцией h = a(1- e |
-bRavg |
) приведены в таблице |
H =5 |
|
функцией h = a(1- e-bRavg ) приведены в таблице 5.10.
Таблица 5.9 – Результаты аппроксимации
Количество |
a , формула (5.15) |
|
b , формула (5.15) |
R2 |
треков в звезде |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
3,7567 |
|
0,4225 |
0,8845 |
|
|
|
|
|
3 |
3,9506 |
|
0,3787 |
0,9315 |
|
|
|
|
|
4 |
3,7666 |
|
0,4346 |
0,9990 |
|
|
|
|
|
5 |
3,8369 |
|
0,4413 |
0,9901 |
|
|
|
|
|
6 |
4,3514 |
|
0,2958 |
0,9937 |
|
|
|
|
|
7 |
3,9356 |
|
0,295 |
0,9671 |
|
|
|
|
|
Среднее ± СКО |
3,93±0,15 |
|
0,378±0,055 |
|
|
|
|
|
|
По полученным данным функция fHh=5 |
не зависит от количества треков в звезде, по |
крайней мере, для полученных значений (таблица 5.7). Аппроксимация функции fHh=5 для толстого слоя толщиной H = 5 мкм имеет вид:
h – глубина залегания наночастицы в толстом слое;
Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных данной наночастице.
Таблица 5.10 – Результаты аппроксимации fHh=10 функцией h = a(1- e-bRavg )
Количество |
|
a , формула (5.98) |
b , формула (5.98) |
R2 |
|
|
треков в звезде |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
6,4914 |
0,4155 |
0,9900 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 |
|
|
7,0019 |
0,2934 |
0,9933 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
8,0368 |
0,2107 |
0,9912 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
|
|
8,1937 |
0,1889 |
0,9916 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
8,9464 |
0,1595 |
0,9798 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7 |
|
|
6,9319 |
0,2063 |
0,9310 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Среднее ± СКО |
|
|
7,60±0,79 |
0,246±0,072 |
|
|
|
В отличие от функции fH =5 , которая предположительно не зависит от количества |
|
|
|
h |
|
|
|
|
треков в звезде, в функции |
fH =10 (таблица 5.8) виден возможный линейный тренд на воз- |
|
|
|
h |
|
|
|
|
растание для параметра |
a |
и возможный степенной тренд на убывание для параметра |
b |
в |
зависимости от количества треков в звезде.
|
|
Аппроксимация функции fH =10 для толстого слоя толщиной H = 10 мкм имеет вид: |
|
|
h |
|
|
|
h = 7.60(1- e-0.246Ravg ), |
(5.101) |
где |
h |
– глубина залегания наночастицы в толстом слое; |
|
|
Ravg – среднее удаление от проекции наночастицы на мишень треков, отнесенных |
данной наночастице.
Таким образом, измерив среднее удаление треков, отнесенных данной наночастице, от проекции наночастицы на мишень, мы получаем глубину залегания частицы в толстом слое. Эта функция зависит от толщины толстого слоя, поэтому необходимо рассчитать несколько функций для толщин, используемых в практике (конкретную функцию для конкретной толщины). Но так как мы вольны выбирать толщину толстого слоя, и в практике используется ограниченное количество толщин, то это вполне реализуемая задача.
По результатам моделирования построим плотность вероятности pHN числа актов деления наночастицы Nf при облучении тепловыми нейтронами в толстом слое,
285
Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/
от количества треков, отнесенных данной наночастице N . Плотность вероятности дискретная и, очевидно, что она зависит от толщины толстого слоя H . Плотность вероятности можно построить для любой толщины, для примера, построим плотность вероятности для толстого слоя толщиной H = 5мкм (рис. 5.54) и H = 10мкм (рис. 5.55).
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
Толщина тканевого среза H=5 мкм (2 трека в звезде) |
|
|
Толщина тканевого среза H=5 мкм (3 трека в звезде) |
h(мкм) |
6 |
5 |
наночастицы |
4 |
залегания |
3 |
1 |
|
2 |
Глубина |
0 |
|
-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
0 |
5 |
10 |
|
15 |
20 |
|
Средний диаметр звезды R |
avg |
(мкм) |
|
|
Средний диаметр звезды R |
avg |
(мкм) |
|
Толщина тканевого среза H=5 мкм (4 трека в звезде)
Толщина тканевого среза H=5 мкм (5 треков в звезде)
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
h(мкм) |
6 |
5 |
наночастицы |
4 |
залегания |
3 |
1 |
|
2 |
Глубина |
0 |
Средний диаметр звезды Ravg(мкм)
Толщина тканевого среза H=5 мкм (6 треков в звезде)
Толщина тканевого среза H=5 мкм (7 треков в звезде)
|
5 |
h(мкм) |
4 |
наночастицы |
3 |
залегания |
2 |
1 |
Глубина |
0 |
Средний диаметр звезды Ravg(мкм)
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
6
5
4
3
2
1
0
-1 




0 |
2 |
4 |
|
6 |
8 |
|
Средний диаметр звезды R |
avg |
(мкм) |
|
Рисунок 5.54 – Зависимость h от Ravg для толстого слоя толщиной H = 5мкм
и аппроксимация зависимости функцией h = a(1- e-bRavg )
Толщина тканевого среза H=10 мкм (4 трека в звезде) |
Толщина тканевого среза H=10 мкм (2 трека в звезде) |
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
Средний диаметр звезды Ravg(мкм)
10
8
6
4
2
0
-2
Средний диаметр звезды Ravg(мкм)
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
Толщина тканевого среза H=10 мкм (6 треков в звезде) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Толщина тканевого среза H=10 мкм (3 трека в звезде) |
10 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
h(мкм) |
8 |
|
|
|
6 |
|
|
|
|
наночастицы |
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
залегания |
4 |
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
2 |
|
|
|
|
Глубина |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
5 |
10 |
15 |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
|
Средний диаметр звезды Ravg(мкм) |
|
|
|
|
|
|
Средний диаметр звезды Ravg(мкм) |
|
|
|
|
|
|
Толщина тканевого среза H=10 мкм (5 треков в звезде) |
Толщина тканевого среза H=10 мкм (7 треков в звезде) |
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
Глубина залегания наночастицы h(мкм)
Средний диаметр звезды Ravg(мкм)
10
8
6
4
2
0
Средний диаметр звезды Ravg(мкм)
Рисунок 5.55 – Зависимость |
h |
от Ravg для толстого слоя толщиной H = 10мкм |
и аппроксимация зависимости функцией h = a(1- e-bRavg )
287
Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/
Область определения по координате абсцисс не заканчивается на каком-то конкретном значении, как приведено на рисунках 5.56 и 5.57, но для получения «хвостов» необходимо много модельного времени, и мы получим очень маленькие вероятности, которыми, возможно, стоит пренебречь.
вероятность данного количества актов деления
Плотность вероятности количества актов деления (2 трека в звезде, толщина слоя H=5мкм)
вероятность данного количества актов деления
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
количество актов деления в наночастице (шт) |
|
Плотность вероятности количества актов деления (3 трека в звезде, толщина слоя H=5мкм)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
3 |
4 |
5 |
6 |
|
количество актов деления в наночастице (шт) |
|
вероятность данного количества актов деления
Плотность вероятности количества актов деления (4 трека в звезде, толщина слоя H=5мкм)
вероятность данного количества актов деления
4 |
5 |
6 |
7 |
|
количество актов деления в наночастице (шт) |
|
Плотность вероятности количества актов деления (5 треков в звезде, толщина слоя H=5мкм)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
5 |
6 |
7 |
количество актов деления в наночастице (шт) |
Плотность вероятности количества актов деления (6 треков в звезде, толщина слоя H=5мкм)
вероятность данного количества актов деления
1.0 |
|
|
|
0.8 |
|
|
|
0.6 |
|
|
|
0.4 |
|
|
|
0.2 |
|
|
|
0.0 |
|
|
|
5 |
6 |
7 |
8 |
|
количество актов деления в наночастице (шт) |
|
Рисунок 5.56 – Дискретная плотность вероятности pHN=5 числа актов деления наночастицы Nf при облучении тепловыми нейтронами в толстом слое в зависимости от количества треков, отнесенных данной наночастице N
Плотность вероятности количества актов деления (2 трека в звезде, толщина слоя H=10мкм)
деления |
1.0 |
актов |
0.8 |
|
количества |
0.4 |
|
0.6 |
данного |
0.2 |
вероятность |
0.0 |
количество актов деления в наночастице (шт)
Плотность вероятности количества актов деления (4 трека в звезде, толщина слоя H=10мкм)
деления |
1.0 |
актов |
0.8 |
|
количества |
0.6 |
данного |
0.4 |
0.2 |
вероятность |
0.0 |
количество актов деления в наночастице (шт)
вероятность данного количества актов деления
Плотность вероятности количества актов деления (3 трека в звезде, толщина слоя H=10мкм)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
|
количество актов деления в наночастице (шт) |
|
|
Плотность вероятности количества актов деления |
деления |
(5 треков в звезде, толщина слоя H=10мкм) |
1.0 |
|
|
актов |
0.8 |
|
|
количества |
0.6 |
|
|
данного |
0.4 |
|
|
вероятность |
0.2 |
|
|
|
0.0 |
|
|
|
5 |
6 |
7 |
количество актов деления в наночастице (шт)
Плотность вероятности количества актов деления (6 треков в звезде, толщина слоя H=10мкм)
вероятность данного количества актов деления
количество актов деления в наночастице (шт)
Рисунок 5.57 – Дискретная плотность вероятности pHN=10 числа актов деления наночастицы N f при облучении тепловыми нейтронами в толстом слое
в зависимости от количества треков, отнесенных данной наночастице N
289
Рекомендовано к покупке и изучению сайтом МедУнивер - https://meduniver.com/