Тест Сканирующая электронная микроскопия и микроанализ

1.При съемке методом EBSD необходимо знать ориентацию ...

осей образца

2.Наиболее высокую разрешающую способность по энергии имеет волнодисперсионный спектрометр

3.Вид дифракционной картины Кикучи-линий зависит от межплоскостного расстояния; угла дифракции; длины волны электрона

4.Энергодисперсионный спектрометр позволяет анализировать весь спектр

5.С помощью сканирующего электронного микроскопа можно получать следующую информацию изучать распределение элементного состава; исследовать топографию поверхности; изучать кристаллохимические особенности соединений

6.Всегда ли увеличение тока пучка приводит к улучшению разрешения прибора? разрешающая способность определяется не только диаметром зонда, а размерами области, в которой происходит генерация вторичных эффектов

7.Область генерации рентгеновского излучения  по сравнению с областями для отраженных или рассеянных электронов имеет  размеры значительно больше

8.Изображение во вторичных электронах несет информацию о морфологии поверхности минерала

9.Что используется для формирования изображения в сканирующем электронном микроскопе? развертка электронного луча в растр

10.EBSD метод позволяет определить фазовый состав; определить кристаллографическую ориентацию

11.Какие катоды используют в сканирующих электронных микроскопах? автоэмиссионный катод; автоэмиссионный катод

12.Наиболее высокую производительность имеет энергодисперсионный спектрометр

13.С ростом атомного номера элементов мишени растет доля электронов, рассеянных преимущественно по упругому механизму

14. В волнодисперсионных спектрометрах используют детекторы в виде кристалл- анализатора

15. Границы между зернами характеризуются осями соседних зерен; ориентациями соседних зерен; ориентациями соседних зерен; углом разориентации

16.Волнодисперсионный спектрометр имеет разрешение по энергии по сравнению с энергодисперсионным спектрометром более высокое

17.Вторичные электронов образуются в процессе взаимодействия электронов зонда с электронами зоны проводимости

18.Информация об ориентации кристаллов может быть представлена Прямыми полюсными фигурами; с помощью преобразований Хоуга; Обратными полюсными фигурами

19.Метод дифракции отраженных электронов позволяет идентифицировать фазу из предлагаемого набора фаз

20.Метод дифракции отраженных электронов работает совместно с энергодисперсионным анализатором

21.Метод дифракции отраженных электронов позволяет определить параметр решетки; ориентацию зерен; размер зерен

22.Какая глубина фокуса сканирующего электронного микроскопа? Большая

23.На определение точности ориентации поверхности методом EBSD влияют степень дефектности решетки; качество исследуемой поверхности

24.Качественно можно оценить состав образца благодаря зависимости между током отраженных электронов и атомным номером элемента

25.С какой целью в методе EBSD пучок электронов падает под малым углом к поверхности? Для того чтобы увеличить число отраженных электронов

26.Размер образца для EBSD метода должен быть 0,5х1,0х1,5 см

27. Область взаимодействия электронов с веществом зависит от от атомного номера элемента; от эмиссии электронов; энергии электрона

28.Поверхность образца при съемке EBSD методом должна располагаться к падающему пучку под углом 70 градусов

29.Эмиссия вторичных электронов выше, когда пучок электронов падает под углом к поверхности