ЭБНЭ_КР_Цуканова_0363
.pdf
Рисунок 3 – Стоковая характеристика p-канальных транзисторов
Из стоковой характеристики видно при выбранном напряжении питания транзисторы будут функционировать в ключевом режиме.
●Сток-затворная характеристика транзисторов:
а) n-канальные транзисторы
На рисунке 4 представлена сток-затворная характеристика двух n-
канальных транзисторов.
Рисунок 4 – Сток-затворная характеристика n-канальных транзисторов б) p-канальные транзисторы
На рисунке 5 представлены сток-затворные характеристики транзистора p-канальных транзисторов.
Рисунок 5 – Сток-затворная характеристика p-канальных транзисторов
3.Восстановление электрической схемы и ее моделирование
После восстановления топологии логического элемента мы получили схему, как показано на рисунке 6.
Рисунок 6 – Восстановленная электрическая схема На рисунке 7 представлена временная зависимость входного и
выходного сигнала схемы.
Рисунок 7 – временная зависимость входного и выходного сигнала схемы
Получим таблицу истинность и логическое выражение схемы, для этого воспользуемся логическим преобразователем (рисунок 8).
Рисунок 8 – Подключение логического преобразователя С помощью логического преобразователя мы получили таблицу
истинности исследуемой схемы, показанная на рисунке 9.
Рисунок 9 – Таблица истинности исследуемой схемы По таблице истинности было получено логическое выражение
исследуемой схемы: ̅ ̅(2И-НЕ).
+
Из результатов работы конвертера определили условное графическое обозначение для схемы, показано на рисунке 10.
Рисунок 10 - Условное графическое обозначение для схемы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В результате написания курсовой работы было проанализировано изображение топологии логического элемента; рассчитаны конструктивные параметры МДП-транзисторов; рассчитаны электрические параметры МДП-
транзисторов; построена стоковая и сток-затворная характеристики транзисторов; восстановлена электрическая схема; смоделирована работа электрической схемы и определена ее таблица истинности ( вых = пит при условии, что вх1 = вх2 = пит, иначе вых = 0), получено логическое
выражение ( ̅ ̅(2И-НЕ)) и определено условное логическое выражение
+
схемы.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
1.А. В. Мартинович, А. А. Казека, И. Г. Давыдов. — Моделирование импульсных и цифровых устройств в среде Multisim: БГУИР, 2008. — 38 с.
2.Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники:
Учебное пособие. — М.: МИФИ, 2008. — 288 с.