1.2 Схемы включения транзисторов

В зависимости от соединения трех электродов транзистора с элементами электрической цепи различают три схемы вклю­чения: 1 – с общей базой, 2 – с общим коллектором, 3 – с общим эмиттером. Последний вариант включения транзистора является наиболее распространенным. Схема включения транзистора с общим эмиттером изображена на рисунке 4. Если принять, что токи и напряжения в транзисторе не выходят за пределы линейных участков, то транзистор можно считать линейным элементом и описать его следующей системой уравнений (для приращения токов и напряжений):

(1)

Здесь коэффициенты уравнений – дифференциальные параметры:

–входное дифференциальное сопротивление транзистора;

–коэффициент внутренней обратной связи (обычно можно пренебречь внутренней обратной связью ввиду ее малости );

–коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (обычно );

–выходная дифференциальная проводимость транзистора (обычно мала и ею часто пренебрегают, считая ).

Значения дифференциальных параметров транзистора можно определить из вольтамперных характеристик, используя следующие выражения:

, ;

, ;

, .

Рисунок 4 – Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером

1.3 Эквивалентная схема замещения транзистора

В соответствии с уравнениями (2) можно рассмотреть эквивалентную схему замещения транзистора. Если пренебречь малым коэффициентом , то эквивалентная схема замещения будет иметь вид, показанный на рисунке 5.При подключении входной (базовой) цепи транзистора к источнику переменного напряженияс внутренним сопротивлением, а выходной цепи (коллекторной) к нагрузке с сопротивлениемможем с помощью схемы замещениям определить коэффициент усиления простейшего усилителя с общим эмиттером по следующей формуле:

.

Отсюда видим, что коэффициент усиления усилителя зависит не только от параметров транзистора, но и от параметров источника входного сигнала и нагрузки.

Рисунок 5 – Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора

2 Описание лабораторной установки

Лабораторная установка содержит: 1 – исследуемый транзистор типа Кт 315; 2 – источник постоянного напряжения смещения; 3 – источник питания коллекторной цепи; 4 – микроамперметр для измерения силы начального тока базы; 5 – миллиамперметр для измерения силы тока цепи коллектора.

Рисунок 6 – Схема экспериментальной установки

3 Порядок выполнения работы

1. Установить переключатель рода работ П1в положение «вкл». Установить переключатель рода работП2в положение с общим эмиттером.

2. Снять семейство входных характеристик для семи значений силы тока базы и трех значений,

Таблица 1

1
2
3
4
5
6
7

3. Снять семейство выходных характеристик для пяти значенияхпри трех значения, результаты записать в таблицу 2.

Таблица 2

1
2
3
4
5

4. Определить входное сопротивление транзистора

5. Определить выходное сопротивление транзистора