
- •6. Фотоприемные устройства
- •6.1. Общие сведения
- •В восп в настоящее время используются только квантовые фп – фотодиоды (фд).
- •6.2. Фотодиоды
- •6.2.1. Физические процессы в фотодиодах
- •6.2.2. Вольтамперная характеристика фотодиода
- •6.2.3. Схемы включения фотодиодов
- •6.2.4. Эквивалентная схема фотодиода с входной цепью
- •6.2.5. Особенности лавинных фотодиодов
- •6.2.6. Основные параметры фотодиодов
- •6.2.7. Источники шума фд
- •6.3. Фотоприемные устройства прямого детектирования
- •6.3.1. Обобщенная схема фотоприемного устройства
- •6.3.2. Трансимпедансный оптоэлектронный преобразователь
- •6.3.3. Фотоприемные модули и их параметры.
- •6.3.4. Фотоприемные устройства с оптическим преобразованием
6. Фотоприемные устройства
6.1. Общие сведения
В фотоприемных устройствах (ФПУ) ВОСП происходит преобразование оптических сигналов в электрические и первичная обработка электрических сигналов. К характеристикам ФПУ предъявляют следующие основные требования:
высокая эффективность преобразования оптических сигналов в электрические (высокая чувствительность на рабочей длине волны),
высокое быстродействие,
низкий уровень шумов,
стабильность характеристик при изменении параметров окружающей среды (температуры, влажности, давления и пр.),
высокая надежность, большой срок службы,
низкая стоимость.
Основным элементом ФПУ является фотоприемник (ФП) или фотодетектор, где происходит преобразование оптического излучения в электрический сигнал. ФП можно разделить на 2 основные группы:
фотонные или квантовые ФП, работа которых основана на внешнем или внутреннем фотоэффекте1: поглощенные кванты падающего света непосредственно преобразуются в носители электрических зарядов. К квантовым ФП относятся фотоэлементы и фотоэлектронные умножители - вакуумные приборы, работа которых основана на внешнем фотоэффекте, а также полупроводниковые фотодиоды, работающие на внутреннем фотоэффекте.
тепловые ФП, в которых оптическое излучение сначала преобразуется в тепло, которое изменяет температуру приемника, обладающего каким либо термоэлектрическим эффектом. Различают болометрические (болометрический эффект – изменение сопротивления материала (тонкой металлической или полупроводниковой пленки) при изменении температуры) и термоэлектрические ФП (эффект возникновения термоЭДС на контактах двух металлов).
В восп в настоящее время используются только квантовые фп – фотодиоды (фд).
6.2. Фотодиоды
6.2.1. Физические процессы в фотодиодах
Работа ФД основана на явлении внутреннего фотоэффекта - поглощении оптического излучения материалом полупроводника, сопровождающемся генерацией подвижных носителей заряда.
Рассмотрим физические процессы в ФД. В отсутствие оптического излучения он ведет себя как обычный p-n-переход, подробно рассмотренный в лекции 5. В области перехода возникает зона с малой концентрацией свободных носителей заряда (обедненная область), в которой действует электрическое поле. Ширина приграничного слоя в n‑ и p‑области зависит от степени легирования этих областей и в общем случае неодинакова.
Физические процессы, протекающие в ФД при облучении его светом, носят обратный характер по отношению к процессам, происходящим в полупроводниковых излучателях, которые также представляют собой диодные структуры. Таким образом, появляются пары свободных носителей (электроны и дырки), движение которых создает фототок – ток через переход.
Фототок имеет две составляющие - диффузионную и дрейфовую. Дрейфовый ток обусловлен силами, которые действуют со стороны электрического поля на элементарные заряды. Диффузионный ток обусловлен градиентом концентрации носителей заряда. Диффузионные процессы значительно более инерционны по сравнению с дрейфовыми.Если пара носителей заряда возникает вне обедненной зоны, то она локально изменяет концентрацию свободных носителей заряда, что приводит к диффузии зарядов, направленной на выравнивание их концентрации. Из-за большой инерционности диффузионных процессов желательно, чтобы фотоны поглощались именно в обедненной зоне.Если же пара электрон - дырка возникает на расстоянии от обедненной зоны, превышающем длину диффузии, то вероятность ее рекомбинации будет близка к единице и, следовательно, поглощенный фотон не даст вклада в фототок Iф. Длина диффузии – это расстояние, на которое в среднем перемещается электрон до его рекомбинации (он не может бесконечно долго находиться в возбужденном состоянии, то есть эта величина связана со временем его жизни в зоне проводимости).
Поскольку желательно, чтобы генерация происходила в основном в обедненной зоне, к ФД прикладывают обратное напряжение, а также увеличивают эту зону при разработке конструкции ФД. Ширина обедненного слоя зависит от концентрации легирующих примесей. Чем меньше концентрация примесей, тем шире обедненный слой. Поэтому концентрацию примесей снижают (обычно в n-слое) до такой степени, что его уже можно считать собственным i-слоем. Для того чтобы получить в кремнии обедненный слой толщиной 30- 50 мкм при умеренных величинах обратного напряжения смещения (10-20 В), плотность донорных примесей в i-слое должна быть 1013 см-3 (обычная концентрация примесей в n-слое составляет 1020 см-3). К этому слаболегированному высокоомному слою добавляют еще низкоомный n-слой с нормальной степенью легирования и получают известную p-i-n структуру.
Длина волны оптического излучения ограничена сверху явлением, которое называют красной границей фотоэффекта. Для того чтобы электрон под воздействием фотона перешел из валентной зоны в зону проводимости, фотон должен обладать достаточно большой энергией (не меньше ширины запрещенной зоны Wg). Фотоны с недостаточной энергией h (меньше ширины запрещенной зоны) не вызывают фотоэффекта. Можно определить пороговую длину волны пор – максимальную длину волны излучения, при которой еще наблюдается фотоэффект. Эта длина волны соответствует квантам света с энергией, равной ширине запрещенной зоны Wg:
, (6.1)
где h – постоянная Планка, с – скорость света в вакууме, коэффициент 1.24 имеет размерность мкм эВ.
Величины Wg и пор для ряда используемых на практике полупроводниковых материалов приведены в табл. 6.1.
Таблица 6.1
Материал |
Si |
Ge |
GaAs |
GaxIn1-xAs |
GaxIn1-xAsyP1-x |
Wg, эВ |
1.1 |
0.72 |
1.43 |
1.43-0.36 |
1.35-0.36 |
пор, мкм |
1.1 |
1.7 |
0.87 |
0.87-3.44 |
0.92-3.44 |
Другая граница фоточувствительности, со стороны коротких длин волн, обусловлена очень сильным поглощением излучения вблизи поверхности образца полупроводника.