книги / Конструкторско-технологическое проектирование электронной аппаратуры

7.Технология изготовления микросхем

7.14.Коммутационные платы микросборок

Коммутационная плата микросборки представляет собой миниатюр­ ный аналог многослойной ПП На поверхности коммутационных плат мон­ тируются компоненты микросборки — бескорпусные интегральные МС (кристаллы), микроплаты с группой интегральных тонкопленочных рези­ сторов (согласующих входы и выходы ИМС), одиночные объемные миниа­ тюрные конденсаторы (в качестве развязывающих элементов). Высокая плотность монтажа требует и высокого разрешения коммутационного ри­ сунка. В отличие от ПП его получают путем осаждения тонких пленок в ва­ кууме с последующей фотолитографией, или по толстопленочной техноло­ гии. Коммутационные проводники должны находиться на нижних уровнях платы, а на поверхность выходить только монтажные площадки для сварки или пайки выводов (перемычек) компонентов.

В зависимости от материала изолирующих слоев и способа их форми­ рования коммутационные платы можно разделить на четыре типа, тонкоп­ леночные с использованием осаждения в вакууме; тонкопленочные с ис­ пользованием окисления алюминия в электролите (анодирование); толсто­ пленочные; на основе многослойной керамики.

Тонкопленочные платы

Формирование слоев (уровней) тонкопленочной платы выполняется на общей подложке из электроизолирующего материала (ситалл, поликор и др.) путем повторяющихся циклов осаждение тонкой пленки в вакууме — фотолитография. Из рис. 7.30 следует, что осажденный сплошной слой электропроводящего металла (чаще всего алюминия) после фотолитографии превращается в систему проводников, перпендикулярных плоскости черте­ жа. В этой системе предусматривают расширенные площадки для контакт­ ных переходов на следующий уровень. В осажденном затем в вакууме изо­ лирующем слое с помощью фотолитографии получают окна для контактных переходов, и вновь осаждается электропроводящий слой, в котором фотоли­ тографией формируют систему проводников, ортогональных к нижележа­

262

7. Технология изготовления микросхем

создания контактных переходов и напыляют (рис. 7.31, г) следующий сплошной слой алюминия 7 (второй уровень металлизации). Затем описан­ ный цикл повторяется.

Толстопленочные платы

Для пояснения сущности процесса воспользуемся рис. 7.30. Вместо циклов «осаждение тонкой пленки в вакууме — фотолитография» в дан­ ном случае используются циклы «нанесение пасты через трафарет — сушка — вжигание», а подложку заменяют на керамическую — термо­ стойкий прочный материал.

Для формирования многоуровневой системы используют проводя­ щую и диэлектрическую пасты. Поскольку толщина межслойной изоля­ ции в 2— 3 раза превышает толщину проводящего слоя, для получения качественных контактных переходов проводят предварительно одноили двукратное нанесение проводящей пасты в окна изолирующего слоя по циклу «нанесение пасты через трафарет — сушка» (без вжигания). На заключительном этапе изготовления платы аналогичный прием исполь­ зуют для формирования монтажных площадок, которые впоследствии облуживают лудящей пастой.

Следует подчеркнуть, что в многоуровневых системах вжигание паст в керамику происходит лишь на границе нижнего проводящего и нижнего изолирующего слоев с подложкой. Прочность сцепления последующих сло­ ев друг с другом обеспечивается за счет расплавления в них низкотемпера­ турного стекла и затем отвердения.

П латы на основе многослойной керамики. В отличие от предыду­ щих типов плат, все слои которых формируют на общей подложке, в данном случае каждый проводящий слой наносят на собственную индивидуальную подложку из необожженной («сырой») керамики. Впоследствии отдельные листы керамики с проводящим рисунком собирают в пакет.

Исходными заготовками платы являются листы пластичной керамики толщиной 0,1 мм, полученные методом экструзии (выдавливанием пластич­ ной керамической массы через щелевидный фильер). В отдельных листах керамики пробивкой или сверлением получают базовые отверстия, а затем (базируя листы по этим отверстиям) — отверстия под контактные переходы диаметром не менее 0,1мм (рис. 7.32, а). Используя те же базовые отверстия на каждой заготовке, через сетчатый трафарет заполняют отверстия под пе­ реходы проводящей пастой, а затем с помощью другого трафарета наносят проводящий рисунок и сушат.

Следует подчеркнуть, что вследствие высоких температур (1400... 1700 °С) последующего обжига керамики приходится отказываться

264

7.15. Крепление подложек и кристаллов

б

Рис. 7.32. Коммутационная плата на основе многослойной керамики:

а — отдельные керамические подложки с проводящим рисунком; б — плата в сборе

от высокоэлектропроводных серебряно-палладиевых паст и использовать пасты на основе частиц тугоплавких металлов (вольфрама или молибдена).

Затем, используя те же базовые отверстия, отдельные листы собирают в пакет (рис. 7.32, б), подпрессовывают и штамповкой отделяют периферий­ ную часть с базовыми отверстиями. Пакет подвергают высокотемператур­ ной обработке. При этом протекают два параллельных процесса: вжигание проводящего рисунка в керамику и спекание (взаимодиффузия) частиц оки­ слов, из которых состоит керамическая масса. На первой стадии обжига также происходит разложение и удаление пластификатора (технологической связки).

Выходящие на поверхность платы монтажные площадки на основе вольфрама или молибдена не допускают сварки и не смачиваются припоем. Для возможности облуживания таких площадок и последующей их пайки на них предварительно создают слой никеля путем химического осаждения из раствора.

7.15. Крепление подложек и кристаллов

Метод крепления подложек и кристаллов на основании корпуса, кри­ сталлов и других компонентов на подложках зависит от выбора материала присоединительного слоя — клея, стекла, припоя и т. д.

В свою очередь, материал присоединительного слоя должен обеспе­ чивать эффективный отвод теплоты в подложку или корпус в зависимости от выделяемой мощности, согласование температурных коэффициентов расширения (ТКР) соединяемых элементов в широком диапазоне рабочих температур (обычно -60...+125 °С), стойкость к динамическим воздействи­

265

7. Технология изготовления микросхем

ям (с ускорением до 150g) в условиях воздействия вибраций и ударов. В от­ дельных случаях присоединительный слой должен быть электропроводным.

Отвод теплоты от кристалла (компонента) в полых корпусах осущест­ вляется главным образом через присоединительный слой за счет механизма теплопроводности. Эффективность отвода теплоты зависит прежде всего от удельной теплопроводности материала присоединительного слоя, а также его геометрии — толщины и площади. Если считать кристалл и основание под ним изотермическими, а площадь слоя равной площади кристалла, то теп­ ловой поток через слой однороден и тепловое сопротивление слоя, К/Вт,

R = h/(ks),

где X — коэффициент теплопроводности материала слоя, Вт/(см К) (табл. 7.12); h — толщина слоя, см; s — площадь слоя, см2.

Достаточно малые тепловые сопротивления (десятые доли К/Вт) име­ ют присоединительные слои на основе металлических припоев. Тепловое сопротивление спая на основе стекла составляет 60...200 К/Вт. Наибольшим сопротивлением обладают клеевые соединения (вследствие малого коэффи­ циента теплопроводности). Так как перегрев кристалла, т. е. перепад темпе­ ратур в системе «кристалл— основание», зависит от мощности, выделяемой кристаллом (At°~RP), то присоединительные слои с большим тепловым со­ противлением можно применять для компонентов, выделяющих малую мощность.

Различие температурных коэффициентов расширения кристалла (под­ ложки) и основания в условиях нагрева или охлаждения вызывает в них внутренние напряжения (растягивающие или сжимающие в зависимости от соотношения ТКР). Эти напряжения имеют максимальные значения на кон­ тактных поверхностях присоединительного слоя. При хорошей адгезии на­ пряжения могут превышать предел прочности материала слоя на растяже­ ние или сжатие, так как его прочность обычно ниже прочности соединяемых деталей. Например, слой стекла, имеющий высокую адгезию со многими материалами (до 100 МПа), плохо выдерживает напряжения растяжения.

Температурные деформации на границах слоя уменьшаются, если ТКР слоя имеет промежуточное значение между ТКР материалов соединяемых деталей (табл. 7.12). В этом случае слой выполняет роль своеобразного бу­ фера. Наилучшие условия согласования ТКР создаются при плавном изме­ нении состава (а следовательно, и ТКР) присоединительного слоя. Такие условия, в частности, возникают при пайке контактным плавлением.

При вибрациях, ударах и статических перегрузках на элементы конст­ рукции МС действуют распределенные нагрузки, причем пиковые значения результирующих сил определяются массой элемента и ускорением (F = та). Эти силы в зависимости от направления стремятся сдвинуть или оторвать

266

элемент. Благодаря малой массе, элементы МС (включая подложку) хорошо противостоят действию статических перегрузок и одиночных ударов. На­ пример, при действии ускорения 150g в плоскости керамической подложки размером 30x24 мм сдвиговое усилие составляет около 40 Н, а соответст­ вующее напряжение в присоединительном слое 60 кПа, что примерно в 100 раз меньше предела прочности на сдвиг (адгезии) для соединений на основе современных клеев (единицы МПа).

Более существенное влияние на прочность соединения оказывают длительные вибрационные воздействия (частотой 5...5000 Гц при ускоре­ ниях до 40g), которые могут привести к усталостным разрушениям в слое. Развитию усталостных разрушений способствуют и температурные дефор­ мации, возникающие при изменении температуры во время эксплуатации, а также остаточные температурные деформации в результате нагрева в про­ цессе выполнения операции соединения. Наименее стойкими к вибрацион­ ным воздействиям являются соединения стеклом, обладающие хрупкостью и пониженной прочностью на растяжение.

Процесс крепления подложек и кристаллов к основанию можно ус­ ловно разделить на три этапа:

1)подготовка поверхности основания и нанесение присоединительно­ го материала (клея, стекла, припоя);

2)ориентированная установка кристалла (подложки) на основание;

3)собственно присоединение (в общем случае выполняется под дав­ лением и с нагревом).

267

7. Технология изготовления микросхем

Сеткографический способ является наиболее точным и производи­ тельным способом нанесения присоединительного материала, обладающего свойствами пасты (клей, суспензия стекла, лудящая паста). Этот способ по­ зволяет обеспечить точную дозировку присоединительного материала, а следовательно, высокую воспроизводимость геометрических размеров со­ единения. Конструкция корпуса МС должна при этом обеспечивать воз­ можность плотного прилегания сетки к основанию.

Ориентация кристалла непосредственно на основании нежелательна, предварительно кристаллы должны быть ориентированы и уложены в кассе­ ты, откуда вакуумным пинцетом их переносят к месту соединения.

Собственно присоединение можно выполнять индивидуально для ка­ ждого кристалла на специальных технологических установках (обычно при соединении пайкой) или групповым способом в кассетах под необходимым давлением с общим нагревом в печах или термостатах (соединения стеклом или склеиванием).

Клеевые соединения используют для МС и компонентов пониженной мощности. Технология клеевых соединений проста и применяется для ши­ рокого круга материалов (с использованием клеев на эпоксидной основе) и диапазона рабочих температур (-60...+150 °С, кратковременно до 450 °С). Клеевые соединения стойки к вибрациям.

Основным недостатком эпоксидных смол является высокий ТКР и пониженная теплопроводность, поэтому клеи на основе этих смол все­ гда содержат наполнители (минеральные или металлические), снижаю ­ щие значение а и увеличивающие X. Клеевые соединения характеризу­ ются наличием внутренних напряжений, возникающих вследствие пер­ вичной усадки при полимеризации (уплотнение структуры), усадки при охлаждении (при горячем отвердении), разницы ТКР соединяемых де­ талей и клея.

При склеивании большинство клеев допускают варьирование темпе­ ратуры и времени в широких пределах, причем при повышении температу­ ры время отвердения клея резко сокращается. Режим холодного отвердения осуществляется при комнатной температуре, но требует длительной вы­ держки (до 48 ч). Поэтому склеивание, как правило, выполняют с подогре­ вом до 60...200 °С в зависимости от марки клея.

Монтаж кристаллов и подложек, предназначенных для работы в гер­ метизированных корпусах, допускается только клеями, не содержащими активных компонентов, которые при температуре эксплуатации выделяются из клеевой прослойки и заполняют объем корпуса. В связи с этим широкое применение находят клеи марок ВК-2, ВК-4, ВК-8 и ВК-9. Основные данные по клеям повышенной теплопроводности (в том числе и электропроводя­ щим) для крепления кристаллов приведены в табл. 7.13.

268

7.15. Крепление подложек и кристаллов

Качество поверхности соединяемых элементов оказывает большое влияние на прочность клеевого слоя. Поэтому с поверхностей перед склеи­ ванием тщательно удаляют загрязнения и жировые пленки, причем следы используемых органических растворителей должны быть полностью удале­ ны сушкой.

При отвердении клея остаточный растворитель создает пористость и внутренние напряжения, снижающие прочность слоя. Для удаления раство­ рителей, входящих в состав клея, проводят сушку на воздухе в течение 1... 1,5 ч, после чего проводят термообработку в соответствии с выбранным режимом отвердения.

Прочность клеевого слоя в объеме зависит от совершенства структуры полимера. Количество дефектов увеличивается с толщиной слоя и проч­ ность соединения падает. Рекомендуется слой ограничивать толщиной 0,05... 0,1 мм.

Таблица 7.13. Свойства электро- и теплопроводящих клеев на эпоксидной основе

269

7. Технология изготовления микросхем

Точную дозировку по толщине и площади клеевого слоя обеспечива­ ют пленочные клеи. Эти клеи представляют собой неполимеризованный подсушенный клей в виде пленки, которую можно разрезать на заготовки нужных размеров и формы. Такие пленки выпускают специализированные заводы в виде лент на основе различных клеев. Широкое применение для крепления подложек гибридных МС к основанию корпуса нашли, в частно­ сти, пленки на основе метилполиамиднофенольного клея МПФ-1. Непо­ средственно перед монтажом для активации поверхности заготовки пленоч­ ного клея ее погружают на 1... 2 с в этиловый спирт. Далее установленные пленку и подложку помещают в прижимное приспособление с резиновой прокладкой, где выдерживают 1... 2 мин. После сушки на воздухе не менее 30 мин изделие подвергают термообработке в термостате (температуру по­ вышают до 150 °С в течение 1 ч, выдерживают 2 ч и охлаждают вместе с термостатом до 30... 40 °С).

Пайка стеклами позволяет достичь хорошего согласования соеди­ няемых материалов по ТКР, так как, варьируя состав стекла, можно изме­ нять его ТКР в широких пределах. К легкоплавким стеклам относят стекла, температура размягчения которых не превышает 550 °С. Эти стекла имеют более высокий ТКР (С84-1, С88-1, С89-3, С90-1, для которых ТКР соответ­ ственно равны (8,4; 8,8; 8,9 и 9,0)-10"6 К-1). Для часто используемых сочета­ ний материалов «ковар— ситалл, поликор, кремний» применяют стекла с ТКР порядка (5... 7)-10-6К-1, т. е. тугоплавкие (например, С-50).

Использование относительно тугоплавких стекол практически исклю­ чает возможность припайки кристаллов стеклом на подложках гибридных пленочных МС и микросборок. Пайку стеклом в основном применяют для крепления керамических, поликоровых и ситапловых подложек. Наилучшая адгезия стекла и, следовательно, прочность соединения обеспечиваются с материалами, представляющими собой смеси окислов (ситалл, поликор, ке­ рамика 22ХС), или с металлами, имеющими на поверхности прочный слой окисла.

Технология пайки стеклом сводится к нанесению суспензии (пасты) стеклянного порошка в деионизованной воде на очищенную поверхность, сжатию соединенных деталей в приспособлении-кассете, сушке и после­ дующему оплавлению в печи с контролируемой атмосферой.

П айка металлическими сплавами обеспечивает высокую электро­ проводность соединения, механическую прочность, хорошее согласование по ТКР. Благодаря высокой теплопроводности и малой теплоемкости метал­ лических сплавов, необходимое время для плавления и получения соедине­ ния достаточно мало, что делает целесообразным выполнение этих опера­ ций на специальных установках последовательного присоединения кристал­ лов с высоким уровнем механизации и автоматизации.

270

7.15. Крепление подложек и кристаллов

В качестве присоединительного слоя можно использовать мягкие при­ пои, такие, как Аи— Sn (80 масс. % и 20 масс. %; tm = 280 °С), РЬ— Sn— Ag (92, 5,5 и 2,5 масс. %; = 300 °С) и др. Припой вводят в место соединения в виде фольговых дисков или наносят в виде пасты трафаретным способом. Необходимым условием качественного соединения является высокая смачи­ ваемость соединяемых поверхностей припоем. Для этого кристаллы на ус­ тановочной плоскости должны иметь слой металлизации (золото, серебро или никель с подслоем хрома), который осаждают на этапе групповой обра­ ботки на обратную (нерабочую) сторону групповой пластины. Соответст­ вующая площадка для установки кристалла на подложку (или на основание корпуса) должна иметь никелевое или золотое покрытие.

Пайка мягкими припоями допускает при необходимости демонтаж припаянного кристалла. В то же время относительно низкая температура плавления припоя ограничивает технологическую температуру на после­ дующих операциях присоединения выводов и герметизации МС.

Более высокую температуру плавления (370 °С) имеет эвтектический сплав Аи— Si (94 и 6 масс. %), который в виде фольгового диска помещают между кристаллом и основанием. Для улучшения смачивания кристалла припоем целесообразны золочение поверхности кристалла и ультразвуковые колебания инструмента, прижимающего кристалл. Рабочую температуру устанавливают в пределах 390...420 °С, т. е. выше температуры эвтектики. Время пайки 3...5 с, давление инструмента 1 ...3 Н/мм2.

При пайке любыми эвтектическими сплавами температура плавления сплава невысокая (наименьшая для данной системы). Кристаллизация про­ исходит одновременно по всему объему, т. е. скачкообразный переход из жидкой фазы в твердую обеспечивает мелкозернистость структуры слоя и, следовательно, повышенную прочность.

Разновидностью пайки эвтектическим сплавом Аи— Si является со­ единение кремниевого кристалла с золоченой поверхностью основания (подложки или корпуса) за счет контактного плавления без введения припоя (контактно-реактивная пайка). При использовании этого метода нижняя поверхность кристалла должна быть освобождена от пассивной пленки, что достигается стравливанием двуокиси кремния с групповой пластины до разделения. Соответствующие площадки на ситалловой или поликоровой подложке можно получить вакуумным осаждением золота. Площадку на основании металлического корпуса целесообразно форми­ ровать локальным гальваническим золочением. Позолоченные площадки на керамических подложках или основаниях корпусов получают вжиганием золотой пасты ПЗП-З при температуре 950 °С. При сжатии крем­ ниевого кристалла с позолоченной поверхностью с усилием ~0,8 Н при температуре 390...420 °С происходит взаимная диффузия (растворение в

271