Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Нанодисперсные и гранулированные материалы, полученные в импульсной плазме

..pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
29.29 Mб
Скачать

АС0т, кДж/г-атом С

Рис, 3.7. Зависимость энергии Ш)бса реакций образования карбидов от температуры (номера кривых соответствуют номерам реакций в тексте)

можно только на стадии охлаждения (закалки) плазмы, когда ее температура ниже указанной для карбидов вольфрама и титана.

Оценивать термодинамические характеристики в реакциях с участием угле­ родного пара различного состава удобнее, если объединить линейной комбина­ цией термодинамические величины A6y(Q) всех его составляющих. Рассмот­ рим процесс перехода твердого углерода в углеродный пар: /Qp = (С,). Если а, —

П

объемная доля Q при парциальном давлении МО5 Па, то ^Га,- =1, следовательно,

 

/=1

a ,c ip

— (C ) • Суммируя эту реакцию по /, получаем а,С ф

 

/

Расчет а, проводили по следующей схеме. По значениям AG® (С ,) нахо­

дили

парциальное давление /-го ком понента из соотн ош ен и я

 

о

AGf (Cf )= -R Л п р°с , а затем а,- = — — .

ы

/=1

Следовательно, реакцию синтеза WC из паров можно записать в виде

(W)+I ^ ( c ,> w c .

/=1 1

Для расчета энергии Гиббса АС® этой реакции для реального углеродного пара, приведенного к молю одноатомного пара, можно записать уравнение

д е ? = £ ^ д с ? ( с , ) .

(3.13)

/=1 1

С учетом Ci, С2, С3 уравнение энергии Гиббса образования пара углерода бу­ дет иметь следующий вид:

ДО? = а,Д О ?(С ,)+ - у ДС° ( С2 ) + у дС г ( С , ) .

Результаты этого расчета приводятся в табл. 3.5, а на рис. 3.7 (кривая 3.13) - зависимость Д<7® от температуры.

Реакции (3.4), (3.8), (3.12) рассчитаны с помощью приведенного изобарного потенциала углеродного пара. От 3000 К до температуры сублимации графита (4200 К) термодинамически предсказать стабильность карбида WC или W2C затруднительно.

 

 

3.2.

ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИПРОЦЕССОВВПЛАЗМЕ

 

Таблица 3.5. Величина

A G j

реального углеродного газа

 

 

 

т, к

 

 

 

Энергия Гиббса, кДж/г-атом О

 

 

а ,

AGy (C j )

а 2

дс”(с2)

а 3

AGj (С 3)

д<4(с,)

 

298

1 ,0

668,925

0

780,970

0

754,561

668,955

500

1 , 0

637,659

0

741,95

0

709,020

637,659

1 0 0 0

0,9937

558,532

0

643,452

0,0063

600,603

559,794

1500

0,8018

479,425

0,0034

546,46

0,1946

497,040

417,574

2 0 0 0

0,4372

400,778

0 , 0 2 1 2

451,122

0,5416

397,225

251,715

2500

0,2431

322,579

0,0461

357,093

0,7108

300,262

157,791

3000

0,1593

244,739

0,0732

264,072

0,7675

205,547

101,240

3500

0,1193

167,238

0,1017

171,844

0,7790

112,664

57,943

4000

0,0979

89,983

0,1310

80,335

0,7711

21,435

19,579

4500

0,0853

12,950

0,1616

-10,659

0,7533

-69,313

-17,360

5000

0,0776

-63,87

0,1903

- 1 0 1 , 1 0 2

0,7321

-157,043

-52,902

5500

0,0726

-140,481

0 , 2 2 0 1

-191,131

0,7074

-244,480

-88,867

6000

0,0692

-216,934

0,2496

-280,792

0,6812

-330,864

-125,183

Для реакции

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

WC -> 1/2W2C +1/2С

 

(3.14)

Aблизка нулю.

В реакции (3.14) для расчета AG? взяты следующие величины энталь­

пий образования, кДж/г-атом С:

 

 

А

(W C )= - 40,128;

АЯ2°98(W2C )= -26,334;

(3.14а)

ДЯ2°98 (WC)=-35,112;

ДЯ2°98 (W2C )= - 45,980.

(3.146)

Однако экспериментально установлено, что при плавлении (3058 К) WC рас­ падается на W2C и графит. Вероятно, W2C и С, обнаруженные при охлаждении расплава WC, образуются по следующим причинам. В районе 3000 К происходит перестройка гексагональной решетки монокарбида вольфрама в кубическую:

a-WC -» p-WC,_x + хС.

При переходе из жидкого состояния в твердое WC кристаллизуется в куби­ ческую модификацию р с дефицитом углерода (0 < х < 0,4). Охлаждение ниже 3000 К создает условия для протекания реакции

К З

p-WCj.*-MX-WC + W2C.

Проведенный авторами термодинамический анализ реакций карбидообразования с учетом паров металлов и газообразных частиц углерода при высоких температурах может оказаться полезным при осуществлении процесса синтеза карбидов в условиях низкотемпературной плазмы (до 6000 К и выше).

Термодинамический анализ реакций взаимодействия оксидов металлов с во­ дородом, углеродом и метаном показывает, что при плазменном восстановле­ нии практически можно создать условия для восстановления атомарным и мо­ лекулярным водородом, а также углеродом.Термодинамический анализ реак­ ций образования тугоплавких карбидов с учетом сублимации углерода свиде­ тельствует о том, что протекание процесса образования карбидов в условиях низкотемпературной плазмы возможно только при температурах, находящихся ниже температур кипения карбидов. Нагрев компонентов для образования кар­ бидов выше температур их кипения необходим только для создания благопри­ ятных кинетических условий.

3 .3 . Ф и зи ко -хи м и ческая природа «конденсационного барьера»

Известно, что углерод является весьма сильным восстановителем, с по­ мощью которого можно восстановить практически все существующие оксиды металлов. Такая восстановительная способность углерода объясняется тем, что энергия Гиббса оксида углерода (СО) растет до весьма значительных темпера­ тур. В связи с этим сделана попытка объяснить наблюдаемое явление с позиций так называемого конденсационного барьера [3.54].

При больших скоростях закалки с высоких температур характерно явле­ ние, называемое «конденсационным барьером». Это означает, что образова­ ние самых простых молекул более вероятно, чем наиболее термодинамичес­ ки устойчивых, т.е. образуются молекулы, нестабильные по отношению к конденсированным фазам, но стабильные по отношению к свободным ради­ калам и молекулярным фрагментам, существующим при плазменных темпе­ ратурах [3.55].

Известно, что у некоторых двухатомных гетероядерных и гомоядерных мо­ лекул (например, СО, NO, AlO, SiO, ТЮ, WO, С2и др.) повышается термодина­ мическая стабильность или энергия Гиббса с увеличением температуры. Это, казалось бы, противоречит представлениям о том, что с ростом температуры прочность связей в соединениях ослабляется. Однако указанную закономер­ ность можно объяснить, используя известный в квантовой химии метод «моле­ кулярных орбиталей». Так, молекула С2 имеет следующее расположение энер­ гетических уровней [3.56]:

И СТ15» СТ2S И CT2S’ (U2py’ n 2pz) » СТ2рх> (n 2py’ n2pz^ ’ СТ2рх>

где ст —орбитали, сконцентрированные вдоль оси связи, не имеющие узловой поверхности; к — орбитали, образованные из перпендикулярных к оси связи /7-атомных орбиталей.

Вследствие того что а- и л-молекулярные орбитали отличаются в простран­ ственном распределении, они обладают и различной энергией связи. Звездоч­ кой отмечены антисвязывающие (разрыхляющие) орбитали; о2рх —первая сво­ бодная молекулярная орбиталь. При термическом возбуждении происходит пе­ реход электронов с орбитали (к2ру>n 2Pz ) на а гРх- Поскольку a -связи прочнее л-связей, то с повышением температуры прочность молекулы С2 растет. Воз­ можное расщепление атомных уровней в молекуле СО нужно рассматривать с учетом гибридизации атомных орбиталей 2S и 2р, что приводит к образованию гибридных ф;,л и ср,,У2-орбиталей:

Фал = (Фю + hb Pz) ; Фал = W -Фи + ЪР,> ,

где N нормировочный множитель; X—весовой фактор; ф —волновая функция. Атомные орбитали углерода и кислорода с учетом их гибридизации запишут­ ся в следующем порядке без ^-орбитали [3.56]: ф/,л %У1, 2pj)y, а молекулярные

орбитали в молекуле оксида углерода —в такой последовательности:

Ф о=Ф лл(°);

^ 2 = Ф ал( С )+ Ф а л ( ° >

 

Ъх = 2Рх (С )+ 2 рх (О);

пЪу - 2 Ру (С)+2ру(О);

ст4 = Ф а л ( с ) + Фа л ( ° )

 

ст2 ал (с );

 

= 2Рх (С)-2рх (0 )

^ = 2Ру(С )+2 ру(О).

В молекуле СО электронами заполнены уровни о”;а 2;л3; и ^ [еще четы­ ре электрона на ^-уровнях при атомных остовах углерода и кислорода (рис. 3.8)]. Термическое возбуждение приводит к переходу электронов с раз­ рыхляющей СТ4 -орбитали на несвязывающую <у°5 , прочность химической свя-

3.3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКАЯПРИРОДА<КОЩЕНСАТрттттБАРЬЕРА»

О, = [ 2 Р; ( 0 ) - 2 Р; ( 0 ) ] + 2 5 ( С ) ;

 

а 2 = [ 2 Р; ( 0 ) - 2 Д' ( 0 ) ] + 2 й ( С ) ;

 

= [ 24 (0 )+ 2 ft”(0 )+ 2 ft (С)];

я3; = [ 2/>; (О)+ 2 ^ (0 )+ 2 4 (С)];

< =2р;(о)+ 2р;(о) < =2Р;(р)-2Р;(р);

= [ 24 ( ° ) + 2 А '(0 )]-2 р г (С);

% , = [ 2/>; (0 )+ 2 д - (0 )]- 2 ^ (С);

° Н а д ( 0 ) - 2р ;(0 ) ] - 2 А (С );

 

ст7 = [2rt (0)+2р" (0)]-2 ^(С).

Заполнены первые четыре молекулярные орбитали. С ростом температуры становятся возможными переходы электронов с несвязывающих к4-орбиталей на антисвязывающие п5. Прочность молекулы С 0 2 с ростом температуры должна падать. Из изложенной гипотезы также следует, что начиная с некото­ рой высокой температуры, возможны переходы электронов на более высокие антисвязывающие уровни: у СО и <з*6; о7у С 0 2. Это должно приводить к ос­ лаблению связи в этих молекулах. Однако термодинамические данные до 6000 К, приводимые в справочниках [3.39, 3.40], не отражают такую возмож­ ность (рис. 3.9, сплошные линии). Но если учесть сублимацию углерода при термодинамическом расчете реакций образования СО и С 0 2 из элементов ( Г Су6л = 4200 К, Аб’субд = 30 энтр. ед., А#субл « 526,68 кДж/моль), то значения энергии 1иббса образования СО, С 0 2 получают тенденцию к росту (рис. 3.9, штриховые линии), т.е. связи ослабляются.

Таким образом, природа «конденсированного барьера» связана с тем, что двух­ атомные гетероядерные молекулы, неустойчивые при обычных температурах изза заполнения электронами антисвязывающих орбиталей, при термическом воз­ буждении увеличивают термодинамическую стабильность благодаря переходам электронов на орбитали, обеспечивающие более прочную химическую связь. Эти молекулы имеют более отрицательные значения энергии Гиббса, чем более сложные молекулы. Процессы синтеза при температурах > 3000 К идут через об­ разование простых молекулярных фрагментов. Если простые гетероядерные мо­ лекулы устойчивы и при комнатных температурах, то резкая закалка фиксирует

восновном высокотемпературные соединения, например СО, N 0.

Вметаллургии для восстановления оксидов металлов часто применяют угле­ род, который занимает особое место среди элементов-восстановителей. При

К7

соответствующих температурных условиях углеродом можно восстановить лю­ бой оксид, так как сродство углерода к кислороду растет с температурой. До последнего времени какого-либо удовлетворительного объяснения этому явле­ нию не было.

Рис. 3.9. Зависимость энерпш Гкббса образования оксцца углерода и углекислого газа от температуры

(---------

с учетом поправки авторов на сублимацию углерода)

Предлагаемое авторами объяснение конденсационного барьера позволяет понять с помощью теории молекулярных орбиталей природу роста термодина­ мической стабильности с температурой для оксида углерода как связанную с переходом электронов на орбитали, обеспечивающие более прочную химичес­ кую связь, чем и объясняется увеличение сродства к кислороду углерода при повышении температуры.

3 .4 .

Кинет ические закономерност и процессов

восст ановления оксидов металлов о попучення соединенна

Разработанные способы и устройства для обработки оксидных материалов в импульсном конденсаторном разряде стали основой оригинальной методики проведения кинетических исследований. Задачей этих исследований процесса восстановления было выявление закономерностей для объяснения механизма процесса в условиях импульсного конденсаторного разряда. Ставилась также цель разработать основы технологии получения гранулированных тугоплавких металлов и тугоплавких соединений в плазме импульсного конденсаторного раз­ ряда с использованием особенностей и преимуществ разработанного способа.

При проведении экспериментов оценивалось влияние некоторых задавае­ мых параметров на процесс воздействия импульсного конденсаторного разряда на обрабатываемое вещество:

1) количество разрядов, определяющее время процесса;

2) частота следования импульсов;

3)скорость и состав плазмообразующего газа;

4)масса обрабатываемого порошка оксида;

5)размер обрабатываемых частиц;

6) энергия разряда, вкладываемая в один импульс.

Эксперименты показали, что при восстановлении триоксида вольфрама в твердых продуктах восстановления имеются только три составляющие: W03t W029 и W.

При определенных энергетических параметрах происходил переход W03 в W02i9 в первые 2...4 мин., что соответствует примерно 1500...2500 импульсов. После этого перехода в продуктах обработки находили только W02)9и металли­ ческий W. При увеличении количества импульсов происходило смещение со­ держания в сторону увеличения металлического вольфрама. На конечных ста­ диях восстановления обнаруживали следы W02.

Особое внимание было уделено изменению частоты следования импульсов на степень восстановления триоксида вольфрама. В интервале частот 5,5... 13,5 Гц степень восстановления не зависела от частоты следования им­ пульсов (рис. 3.10). Процесс определялся количеством импульсов, т.е. време­ нем воздействия импульсов плазмы на вещество. Получить частоты выше 14 Гц не представлялось возможным из-за ограниченной мощности выпрямителя ВТМ -15/50.

При работе установки емкость батареи конденсаторов составляла 12 мкФ, напряжение на конденсаторах 1,5; 2,5 и 4,0 кВ, что позволяло накапливать 13,5; 37,5 и 96,0 Дж энергии. Величина напряжения на батарее конденсаторов при остальных одинаковых параметрах установки оказалась наиболее важной ха-

5 - I548

120

ракгеристикой процесса, определялющей качество и количество созданной массы нагретого газа реагирующей системы и время ее существования.

Щ%

то3

Рис. 3.10. Зависимость выхода вольфрама от числа разрядов ./Упри частоте следования импульсов, Пд: □ - 5,5; О - 7,5; А -1 0 ,5 ; х -1 3 ,5

На начальных стациях восстановления, когда порошок оксида оказывался мел­ кодисперсным, он легко окомковывался и агломерировался. Такое состояние ма­ териала затрудняло процесс. Это выражалось в том, что мелкие частицы W 03лег­ ко размягчались при нагревании, окомковывались и налипали на стенки реакто­ ра и центральный электрод. Когда процесс вели при относительно малых напря­ жениях и гидродинамические пульсации при разряде были незначительными, ок­ сид локально наслаивался на электрод вплоть до короткого замыкания. И з-за это­ го в начальные моменты процесса не удавалось снизить напряжение ниже 2,5 кВ. При более высоких напряжениях такого локального нарастания не наблюдалось.

Одним из недостатков начальных стадий восстановления оказался значитель­ ный унос мелкодисперсного порошка газовым потоком. При увеличении числа импульсов разряда росло количество агломерированных частиц и унос снижался. Исследование начальных стадий восстановления показало слабую зависимость процесса от величины навески, скорости газового потока и рабочего напряжения.

На рис. 3.11 приведены зависимости степени восстановления от величины и скорости газового потока при рабочих напряжениях 2,5 и 4 кВ. Рентгенофазо­ вый анализ продуктов показал, что до 2500 импульсов проходил процесс прев­ ращения W0 3в W 02(9. Д ля исследованных навесок 5... 15 г W0 3и при различных расходах газа-носителя в продуктах восстановления обнаружили от 2,5 до 4,5 % металлического вольфрама.

Д О