![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •1. Общие сведения о полупроводниках
- •1.2. Полупроводниковые диоды
- •1.4.Кремниевый стабилитрон
- •1.5. Транзисторы
- •1.5.1. Биполярные транзисторы
- •1.5.2. Схемы включения и статические характеристики
- •1.5. . Полевые транзисторы
- •1.6.1. Полевой транзистор с управляющим переходом
- •13.6.2. Мдп-транзисторы
- •1.7. Транзисторы типа igbt
- •Глава 14. Фотоэлектрические приборы
- •14.1. Общие сведения
- •14.2. Фоторезисторы
- •14.3. Фотодиоды
- •14.4. Фототранзисторы
- •14.5. Оптоэлектронные приборы
- •Глава 15. Импульсные и цифровые устройства
- •15.1. Общая характеристика импульсных устройств
- •15.3. Триггеры
- •15.4. Компараторы и триггеры Шмитта
- •Глава 16. Силовые электронные устройства
- •16.1. Преобразование переменного тока в постоянный
- •16.2. Схемы неуправляемых выпрямителей
- •16.2.1. Однофазная однотактная (однополупериодная) схема
- •16.2.2 Однофазная мостовая схема или схема Греца
- •16.4. Стабилизаторы напряжения
- •6.4.1. Параметрический стабилизатор напряжения
- •16. 4. 2 Компенсационные стабилизаторы напряжения
- •16.4.2.1. Линейный стабилизатор напряжения (лсн)
- •16.4.2.2. Интегральные линейные стабилизаторы напряжения
- •16.4.2.3 Импульсный стабилизатор напряжения
Глава 14. Фотоэлектрические приборы
14.1. Общие сведения
Фотоэлектрическим (фотоэлектронным) прибором называют преобразователь энергии оптического излучения в электрическую.
К оптическим относят ультрафиолетовое, видимое и инфракрасное излучения. Работа фотоэлектрических приборов основана на фотоэлектрических явлениях (фотоэффектах). Различают два вида фотоэффекта: внутренний и внешний.
Внутренний фотоэффект – возбуждение электронов вещества, т.е. переход их на более высокий энергетический уровень под воздействием излучения, благодаря чему изменяется концентрация свободных носителей заряда, а следовательно, и электрические свойства вещества.
Внешний фотоэффект – фотоэлектронная эмиссия, т. е. выход электронов за пределы поверхности вещества под воздействием излучения.
14.2. Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т. е. изменения электрической проводимости полупроводника под воздействием оптического излучения.
Устройство фоторезистора показано на рис. 183, а. Пластина или пленка полупроводникового материала 1 закреплена на подложке 2 из непроводящего материала – стекла, керамики или кварца. Световой поток падает на фотоактивный материал через специальное отверстие. В качестве электродов используют металлы, не подвергающиеся коррозии (золото, платина) и образующие хороший контакт с полупроводником. Для защиты от внешних воздействий поверхность фотоактивного материала покрывают слоем прозрачного лака.
а б
Рис. 183
Если к неосвещенному фоторезистору подключить источник питания Еа (рис.183,б) то в электрической цепи появится небольшой ток, называемый темновым токомIт, обусловленный наличием в неосвещенном полупроводнике некоторого количества свободных носителей заряда.
При освещении фоторезистора ток в цепи существенно возрастает за счет увеличения концентрации свободных носителей заряда Iобщ. Разность токов при наличии и отсутствии освещения называют фототокомIф.
Iф=Iобщ Iт.
Основные характеристики
1. Вольт-амперная характеристика это зависимость тока через фоторезистор от напряжения, приложенного к его выводам, при различных значениях светового потокаФ(рис. 184).
2. Энергетическая характеристика это зависимость фототока от светового потокапри U=const(рис. 185). В области малых Ф она линейная, а при увеличенииФрост фототока замедляется. Энергетическая характеристика иногда называется люкс – амперной. Тогда по оси абсцисс откладывается не световой поток, а освещенностьЕв люксах.
3. Чувствительность – это отношение входной величины к выходной. Для фоторезисторов чаще всего используют токовую чувствительность SI, под которой понимают отношения фототока к световому потокуSI=Iф/Ф. На рис. 186 приведена зависимостьIф/Iфmax= f().
4. Темновое сопротивление – сопротивление неосвещенных фоторезисторов, имеет широкий диапазон значений: Rт = 102109 Ом.
5. Рабочее напряжение Uр фоторезистора зависит от его размеров, т. е. от расстояния между электродами, выбирают в пределах от нескольких единиц вольт до 100 В.
Достоинства фоторезисторов: высокая чувствительность, возможность использования в инфракрасной области спектра излучения, небольшие габариты и применимость для работы в цепях постоянного и переменного токов.