
- •Министерство образования и науки Российской Федерации
- •Введение
- •1. Составление структурной и функциональной схем линейного тракта рПрУ
- •1.1. Структурные схемы супергетеродинного приемника
- •1.2. Расчёт полосы пропускания линейного тракта приёмника
- •1.3. Обеспечение чувствительности приёмника
- •1.4. Обеспечение избирательности приемника
- •1.5. Обеспечение усиления линейного тракта
- •1.6. Составление функциональной схемы приёмника
- •1.7. Особенности построения функциональной схемы приёмника с двойным преобразованием частоты
- •2. Входные цепи радиоприемников
- •2.1. Выбор конструктивного построения фильтра, определение класса фильтра и выбор прототипа
- •2.2. Методика расчета вц на четвертьволновых резонаторах (гребенчатый фильтр)
- •2.3. Фильтр на полуволновых разомкнутых параллельно связанных резонаторах
- •3. Усилители радиочастоты
- •3.1. Выбор активного элемента и схемы включения
- •3.2. Расчет электрических параметров свч транзистора
- •3.3. Расчет согласующих цепей
- •3.5. Интегральные микросхемы широкополосных свч усилителей, используемые в урч радиоприемных устройств
- •4. Преобразователи частоты
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Диодные балансные смесители
- •4.3.Транзисторные преобразователи частоты
- •5. Элементы конструирования и технологии гис свч
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Проводники и мпл для гис
- •5.3. Резисторы гис
- •5.4. Конденсаторы и индуктивности гис
- •5.5. Подложки и корпуса гис
- •6. Усилители промежуточной частоты
- •6.1. Общие сведения
- •6.2. Расчет усилителей промежуточной частоты с сосредоточенной избирательностью
- •6.3. Расчет фсс на lc – элементах
- •6.4. Расчет фсс на пьезоэлектрических фильтрах
- •6.5. Расчет фсс на поверхностных акустических волнах
- •6.6. Расчет монолитных пьезоэлектрических фсс
- •6.7. Расчет широкополосных каскадов упч
- •Приложение 1
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Методические указания к курсовому и дипломному проектированию
4. Преобразователи частоты
4.1. Общие сведения
Преобразователь
частоты супергетеродинного приемника
состоит из: 1)смесителя, на который
подается принимаемый сигнал с частотой
;
2)гетеродина – местного маломощного
генератора, напряжение которого с
частотой
изменяет один из параметров смесителя
(чаще всего крутизну), в результате чего
на выходе образуются комбинационные
частоты
;
3) полосового фильтра, выделяющего,
полученную в результате нелинейного
преобразования в смесителе промежуточную
частоту
и используемую для дальнейшей обработки
в усилителе промежуточной частоты (рис.
4.1.).
|
(4.1) |
где k, n=0, 1, 2… -гармоники гетеродина и сигнала.
Рис.4.1. Структурная схема преобразователя частоты:
См-смеситель; Г-гетеродин; Ф-фильтр.
По схемному построению различают преобразователи частоты с внутренним и внешним гетеродином.
По типу используемого нелинейного элемента в смесителе различают: 1)транзисторные преобразователи; 2)диодные преобразователи.
По количеству используемых нелинейных элементов в смесителе различают: 1) простые (одноэлементные); 2) балансные (два элемента); 3) кольцевые (четыре элемента).
Транзисторные преобразователи частоты преимущественное распространение получили на низких и умеренных частотах, а также в качестве второго преобразователя частоты в приёмниках СВЧ с двойным преобразованием.
В супергетеродинных приёмниках СВЧ чаще используются преобразователи частоты с внешним гетеродином и диодным смесителем.
Проектирование гетеродина (маломощного генератора) рассматривается в курсах радиопередающих устройств или, например, в [1].
Проектирование некоторых типов смесителей рассмотрено ниже.
4.2. Диодные балансные смесители
В современных радиоприемных устройствах СВЧ в большинстве случаев применяют диодные балансные смесители (БС). Основным их достоинством является способность подавлять шумы гетеродина на входе УПЧ и мощность гетеродина, просачивающуюся в антенну. Схема БС (рис. 4.2) включает два смесительных диода и СВЧ мост: квадратный или кольцевой
Рис. 4.2. Схема балансного диодного смесителя.
К
двум плечам моста подключают смесительные
диоды Д1
и Д2,
а к двум другим подводят соответственно
мощности сигнала
и гетеродина
.
Работа БС основана на равном распределении
мощностей
и
между двумя диодами с определёнными
фазовыми сдвигами, что обеспечивается
с помощью СВЧ моста.
В схемах БС применяют подобранные пары разнополярных диодов с малым разбросом параметров в паре. Разнополярное включение диодов приводит к тому, что шум гетеродина оказывается подавленным непосредственно на общем выводе диодов по промежуточной частоте. При этом можно использовать обычную схему входной цепи УПЧ, как и с небалансным смесителем.
В БС используют как квадратурные (квадратные) СВЧ мосты, так и синфазно-противофазные (кольцевые). Первые позволяют создавать более компактные топологические схемы и конструкции, однако вторые имеют лучшую развязку между плечами моста.
Основными
параметрами БС являются: потери
преобразования
;
шумовое отношение
;
выходное сопротивление
;
подавление шума гетеродина
и коэффициент шума смесителя
.
Исходными данными при расчёте БС являются: параметры смесительных диодов и параметры СВЧ моста.
В качестве параметров диодов для инженерных расчетов можно использовать их паспортные данные, указанные в справочниках и в таблице 4.1. Типы корпусов смесительных диодов показаны на рис. 4.3.
Рис. 4.3.Типы корпусов металлокерамических(а),
стеклянных(б), бескорпусных (в) смесительных диодов.
Таблица 4.!
Тип диода |
Тип корпуса |
Длина волны |
Потери
|
Шумовое число
|
Ом |
|
мВт |
мВт |
2А108А |
рис.4.3а |
10 |
5 |
2 |
500 |
6.5 |
1 |
50 |
3А111Б |
рис.4.3а |
3.2 |
5.5 |
1.3 |
400 |
7.0 |
3 |
50 |
АА112Б |
рис.4.3б |
3.2 |
6 |
1.3 |
500 |
7.0 |
3 |
20 |
АА113А |
рис.4.3в |
3.2 |
6 |
1.3 |
- |
7.5 |
3 |
50 |
На рис. 4.3 показаны размеры соответственно корпусных металлокерамических (а), стеклянных (б) и бескорпусных (в) диодов.
На рис. 4.4 приведены топологии двухшлейфного квадратного (а) и кольцевого (б, в) СВЧ мостов. Основное их достоинство – хорошая развязка плеч моста 1 и 3, служащих для ввода напряжений сигнала и гетеродина.
Рис. 4.4. Топология двухшлейфового СВЧ моста:
а) квадратного; б),в) кольцевого.
Проектирование
квадратного и кольцевого СВЧ мостов
сводится к расчету параметров составляющих
их МПЛ, а также КСВ
,
развязке между плечами
,
величины потерь
и разбаланса амплитуд
и фаз
для кольцевого моста.
При
проектировании квадратного моста
стороны квадрата берут равными
.
Если задано волновое сопротивление
подводящих МПЛ
,
то волновое сопротивление сторон моста
берут равными:
|
(4.2а) (4.2б) |
Ширину
МПЛ, составляющих квадрат вычисляют по
формуле (3.22). КСВ
,
развязку
и потери
моста вычисляют по формулам [1]:
|
(4.3)
(4.4)
(4.5) |
где
и
– полные потери в плечах
и
соответственно в Нп.
Потери
мощности в МПЛ
обусловлены потерями мощности в
проводниках линии
и в диэлектрике
,
т.е :
|
(4.6) |
где потери выражены в децибелах или неперах (1Нп=8.68дБ).
Погонные
потери проводимости
оцениваются по формуле:
|
(4.7) |
где
и
– волновое сопротивление и ширина
проводника МПЛ соответственно,
–поверхностное
сопротивление проводника вычисляется
по формуле:
|
(4.8) |
где
– удельная проводимость проводника
;
–толщина
скин – слоя.
Величины
и
некоторых металлов приведены в таблице
4.2
Таблица 4.2
Металл |
Медь |
Алюминий |
Серебро |
Золото |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Потери
проводимости МПЛ, длиной
,
находится по формуле:
|
(4.9) |
Погонные диэлектрические потери в подложке МПЛ рассчитываются по формуле:
|
(4.10) |
где h и S - толщина подложки, и ширина проводника соответственно.
Диэлектрическая
проницаемость
и потери
для
некоторых типов подложек приведены в
таблице 2.3.
Диэлектрические
потери МПЛ, длиной
,
определяются по формуле:
|
(4.11) |
Полные потери находят по формуле(4.6).
При проектировании кольцевого моста длину средней окружности берут равной:
|
(4.12) |
Расстояние
между плечами моста
и
.
Для согласования плеч моста волновое
сопротивление подводящих линий
и волновое сопротивление кольца должны
находится в соотношении:
|
(4.13) |
Ширину полоски кольца вычисляют по формуле (3.22). Параметры моста на средней частоте диапазона рассчитываются по формулам [1]:
|
(4.14)
(4.15)
(4.16)
(4.17) |
где
полные потери отрезка линии кольца,
длиной
в Нп.
|
(4.18) |
где
и
-
погонные потери приводимости и в
диэлектрике соответственно, находятся
по формулам (4.7) и (4.10).
При
расчете параметров БС предполагают,
что нагрузка его входных плеч (вход
сигнала и гетеродина) согласованы, а
входной импеданс УПЧ с выходной емкостью
БС настроены в резонансе, т.е. нагрузка
БС по промежуточной частоте чисто
активна. Длина волны
вычисляются на средней частоте рабочего
диапазона волн.
Считая, что диоды в БС подобраны в паре, в инженерных расчетах можно пользоваться приведенными ниже приближенными формулами.
Выходное сопротивление БС определяется по формуле:
|
(4.19) |
где
- выходное сопротивление смесительного
диода.
Потери
преобразования БС состоят из потерь
преобразования в смесительном диоде
и потерь моста
|
(4.20) |
Шумовое
отношение
,
балансного смесителя можно считать
равным шумовому числу диода
т.е.:
|
(4.21) |
Коэффициент шума в БС равен [1]:
|
(4.22) |
где
- потери в БС (разы).
Необходимая мощность гетеродина вычисляется по формуле:
|
(4.23) |
где
- потери моста (разы),
- мощность гетеродина из справочных
данных на диод.
Пример 4.1. Требуется рассчитать балансный смеситель на квадратном мосте (рис.4.4а).
Исходные
данные:
средняя несущая частота сигнала
;
относительная полоса пропускания
,
коэффициент шумаШБС≤8
дБ; смеситель
должен быть разработан на МПЛ; волновое
сопротивление проводящих линий
;
промежуточная частота
.
Принципиальная электрическая схема БС приведена на рис. 4.2.
Выбираем
подложку из поликора (,
)
толщиной
.
Для
проводников применяем золото .
Выбираем смесительные диоды с барьером Шотки типаАА112Б. По таблице 4.1 находим
дБ;
;
Ом.
Расчет начинаем с проектирования СВЧ моста.
Определяем волновое сопротивление для основной линии:
для шлейфов:
Ширина
полоски основной линии
и шлейфа
(3.22):
мм
мм
Эффективная диэлектрическая проницаемость (2.9):
Для
основной линии
;
для шлейфов
.
Длину
четвертьволновых отрезков основной
линии
и шлейфов
(рис. 4.4а) находим по формуле:
,
где
- длина волны в воздухе:
см
мм;
мм
Рассчитаем потери моста, для чего вычислим потери проводимости и диэлектрические потери в основной линии и шлейфах моста.
Толщина скин-слоя в проводниках:
мкм.
Поверхностное сопротивление проводника:
Ом
Погонные потери проводимости находим по формуле (4.7) для основной линии и шлейфов соответственно:
.
Потери проводимости отрезка основной линии и шлейфа соответственно:
.
Погонные
диэлектрические потери
в подложке МПЛ рассчитываются по формуле
(4.10). После вычислений погонные потери
основной линии и шлейфа равны
соответственно:
Диэлектрические потери в основной линии и шлейфе:
дБ
дБ
Полные потери основной линии и шлейфа находит по формуле (4.6):
Нп.
Нп.
Потери
моста
,
развязка изолированного плеча
,
КСВ входных плеч моста
рассчитываются по формулам (4.3-4.5):
.
.
На этом проектирование квадратного моста можно считать законченным.
Выходное сопротивление БС определяем по формуле (4.19):
Ом.
Потери преобразования БС равны (4.20):
дБ.
Коэффициент шума БС рассчитываем по формуле (4.22):
где
- шумовое число диода,
- потери БС (разы).
Необходимая мощность гетеродина равна (4.23):
мВт.
Частота
гетеродина:
МГц.
После расчетов можно приступить к разработке топологической схемы БС (рис. 4.5).
Рис. 4.5. Топологическая схема балансного диодного
смесителя на квадратном мосте.
В
схему БС необходимо добавить
короткозамкнутый шлейф, длиной
,
для замыкания постоянной составляющей
токов диодов и высокочастотные дроссели,
шлейфы длиной
для блокировки токов СВЧ на входе УПЧ.
Пример 4.2. Требуется рассчитать балансный смеситель на кольцевом мосте (рис.4.4б,в).
Исходные
данные: средняя
несущая частота сигнала
;
относительная полоса пропускания
;
коэффициент шумаШБС≤8
дБ; развязка
между сигналом и гетеродином не менее
30 дБ;
волновое сопротивление подводящих
линий
;
промежуточная частота
.
Принципиальная электрическая схема смесителя приведена на рис. 4.2.
Выбираем
подложку из поликора (;
),
толщиной
.
Для
проводников применим алюминий
.
Выбираем смесительный диод АА113А. По таблице 4.1 находим:
дБ;
;
дБ;
мВт.
Расчет начинаем с проектирования кольцевого моста.
Определим волновое сопротивление кольца по формуле (4.13):
Ом.
Ширину проводника кольца определим по формуле (3.22):
мм.
Эффективную диэлектрическую проницаемость находим по формуле (2.9):
Эффективная длина волны в линии:
см.
Диаметр средней окружности кольца:
см.
Расстояние между плечами моста (4.4б):
см.
см.
Рассчитаем потери в плечах моста.
Определим в начале потери проводимости. Из таблицы 4.2 находим толщину скин-слоя в полоске:
мкм.
Поверхностное сопротивление проводника:
Ом.
Погонные потери проводимости определяем по формуле (4.7):
Погонные диэлектрические потери в подложке МПЛ находим по формуле (4.10):
Полные
потери отрезка линии кольца, длиной
:
Нп.
По формулам (4.14)-(4.16) находим:
потери кольцевого моста
дБ.
развязка плеч моста
дБ.
коэффициент стоячей волны
разбаланс амплитуд
На этом проектирования кольцевого моста можно считать законченным.
Выходное сопротивление БС определяем по формуле (4.19):
Ом.
Потери преобразования БС равны (4.20):
дБ.
Коэффициент шума БС рассчитываем по формуле (4.22):
,
где
-
шумовое число диода,
- потери БС в разах.
Необходимая мощность гетеродина равна (4.23):
мВт.
Частота
гетеродина:
МГц.
Топология БС смесителя на кольцевом мосте показана на рис. 4.6.
Рис. 4.6. Топологическая схема балансного диодного
смесителя на кольцевом мосте.
Разомкнутые
четвертьволновые шлейфы
используются в качестве высокочастотных
дросселей на выходе смесителя. Вход
сигнала и вход гетеродина можно поменять
местами, однако при этом полярность
включения одного из диодов нужно изменить
на обратную.