15.Стабилитроны.

Это полупроводниковые диоды, принцип работы которых основан на том, что при обратном напряжении на p-n-переходе в области электрического пробоя напряжение на нем изме­няется незначительно при значительном изменении тока. Стаби­литроны предназначены для стабилизации напряжений и использу­ются в параметрических стабилизаторах напряжения, в качестве источников опорных напряжений, в схемах ограничения импульсов и др. Напряжение стабилизации (пробивное напряжение) является ра­бочим. Оно зависит от свойств полупроводника, из которого изго­товляют диод, а также технологии изготовления прибора.

Основными параметрами стабилитронов являются:

напряжение стабилизации;

минимальный и максимальный ток стабилитрона;

дифференциальное сопротивление на участке стабилизации

Rд = dUст/dIст;

температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации TKU = (dUст/dT)·100% .

16.Варикапы.

Это полупроводниковые диоды, в которых использо­вано свойство р-n-перехода изменять барьерную емкость при изме­нении обратного напряжения. Таким образом, варикап можно рассмат­ривать как конденсатор с электрически управляемой емкостью.

17.Определение и классификация транзисторов.

Транзистором называется полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, имеющий три и более внеш­них выводов, предназначенный для усиления или генерации электри­ческих сигналов, а также для коммутации электрических цепей.

В зависимости от назначения и свойств транзисторы классифи­цируются на ряд групп.

По мощности рассеяния (допустимое значение мощности, рассе­иваемой транзистором без применения дополнительного теплоотвода) различают транзисторы малой, средней и большой мощности.

По диапазону частот (в зависимости от значения предельно допустимой рабочей частоты) различают низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы. Особую группу транзисторов составляют лавинные, полевые и однопереходные.

18.Биполярные транзисторы.

Широко распространенные транзисторы с двумя р-n-переходами носят название биполярных. Этот термин связан с наличием в тран­зисторах двух различных типов носителей зарядов - электронов и дырок.

У биполярных транзисторов центральный слой называют базой. Наружный слой, являющийся источником носителей зарядов (электро­нов или дырок), который главным образом и создает ток прибора, называютэмиттером, а наружный слой, принимающий заряды, поступающие от эмиттера, - коллектором. На эмиттерный переход напряжение подается в прямом направ­лении, поэтому даже при небольших напряжениях через него прохо­дят значительные токи. На коллекторный переход напряжение пода­ется в обратном направлении, оно обычно в несколько раз выше на­пряжения эмиттерного перехода.

19.Принцип работы биполярного транзистора.

Между коллектором и базой транзистора приложено отрицательное напряжение. Пока эмиттерный ток равен нулю (I_Э =0), ток в тран­зисторе идет только через коллекторный переход в обратном на­правлении. При подаче положительного напряжения на эмиттер возникает определенный эмиттерный ток I_Э. Так как эмиттерный переход находится в прямом включении, дырки проходят в область базы. Там они частично рекомбинируют со свободными электронами базы. Однако база обычно выполняется из полупроводника n-типа с большим удельным сопротивлением (с малым содержанием донорной примеси), поэтому концентрация свободных электронов в базе низ­кая и лишь немногие дырки, попавшие в базу, рекомбинируют с ее электронами. Вместо исчезнувших при рекомбинации электронов в базу из внешней цепи приходят новые электроны, образующие базовый ток I_Б. Большинство дырок, являясь неосновными носителями за­ряда для базовой области, под, действием поля коллектора проходят коллекторный переход, образуя коллекторный ток I_К .

Связь между приращениями коллекторного и эмиттерного токов характеризуется коэффициентом передачи тока:

при U_К = const. Коэффициент передачи тока α всегда меньше единицы.