
Архив / Электротехника / Электротехника Лабораторная работа №1
.docМинистерство образования Российской Федерации
ФГБОУ ВПО Ивановский государственный химико-технологический университет
Кафедра прикладной математики
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
По дисциплине: «Общая электротехника и электроника»
Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО
СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.
Выполнил: ст. группы 3.36
Смирнов А.С.__________
Проверил: ст.преп.
Фролов А.Н.___________
Иваново 2012
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1. Изучить принципиальную схему полупроводникового стабилизатора напряжения компенсационного типа.
2. Снять основные характеристики.
3. Определить коэффициент стабилизации и внутреннее сопротивление стабилизатора.
2. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОЙ УСТАНОВКИ
Рис. 4.1. Схема стабилизатора
На схеме стабилизатора рис. 4.1 приняты следующие обозначения:
Т - транзистор. Выполняет роль сравнивающего и регулирующего элемента;
Д - стабилитрон. Опорный элемент, создает опорное (эталонное) напряжение Uст;
Rб - балластный резистор. Определяет режим работы стабилитрона;
R1 - переменный резистор. Изменяет величину входного напряжения;
Rн - нагрузочный резистор. Служит эквивалентом нагрузки стабилизатора;
V1 - вольтметр. Измеряет входное напряжение Uвх;
V2 - вольтметр. Измеряет выходное напряжение Uвых;
A - амперметр. Измеряет ток нагрузки I.
Выходное напряжение стабилизатора Uвых
равно разности между входным напряжением
Uвх и падением напряжения
U
на регулирующем транзисторе T. Обычно
Uвых=(0,6 - 0,7) Uвх. Транзистор
p-n-p типа включен по схеме эмиттерного
повторителя. Режим транзистора выбран
так, чтобы он был частично открыт
напряжением эмиттер-база Uэб.
Выходное напряжение при этом практически
равно эталонному напряжению стабилитрона,
поскольку напряжение на участке
эмиттер-база Uэб=0,1 - 0,3 В. Потенциал
базы транзистора фиксирован о
порным
напряжением стабилитрона Uст.
Допустим, что при постоянном сопротивлении нагрузки Rн входное напряжение Uвх по каким-либо причинам возрастает. Напряжение на выходе Uвых в первый момент времени тоже возрастает. Следовательно, потенциал эмиттера транзистора Т понизится. Потенциал базы, фиксированный опорным стабилитроном Д, останется прежним. Так как снижение потенциала эмиттера равносильно повышению потенциала базы, коллекторный ток транзистора с p-n-p структурой уменьшится. Падение напряжения на транзисторе возрастет, и выходное напряжение стабилизатора возвратится почти к прежнему значению.
Аналогично протекает процесс стабилизации выходного напряжения при изменении сопротивления нагрузки.
Зависимость выходного напряжения стабилизатора от входного Uвых=f(Uвх) при постоянном сопротивлении нагрузки представлена на рис. 4.2.
3.Расчётная часть.
1) Rн=50
2) Uвых=11В
3) По графическим зависимостям находим ΔUвх, ΔUвых,Uвх.ср,Uвых.ср, ΔI и вычисляем:
=
=
=
=27,6.
=
=0,015
Ом.
4. Вывод: В ходе данной лабораторной работы мы изучили принципиальную схему полупроводникового стабилизатора напряжения компенсационного типа, сняли основные характеристики и определили коэффициент стабилизации и внутреннее сопротивление стабилизатора.
Коэффициент стабилизации получился Кст =27,6 (>20), а внутреннее сопротивление стабилизатора получилось Rст =0,015 Ом(<1 Ом).
Основным свойством стабилизатора является автоматическое поддержание неизменного напряжения или тока на стороне потребителя электрической энергии с требуемой точностью при изменении дестабилизирующих факторов(колебания напряжения сети, температуры и влажности окружающей среды и др.).