4. Обработка результатов

1. На миллиметровой бумаге построить графики зависимостей I_б = f(U_э.б)иI_к = f(U_к.э).

2. Рассчитать h- параметры транзисторов.

3. Сделать вывод о влиянии напряжения между эмиттером и базой на величину тока базы.

4. Сделать вывод о влиянии напряжения между эмиттером и коллектором на величину тока базы при постоянном напряжении между эмиттером и базой.

5. Сделать вывод о влиянии напряжения между эмиттером и коллектором на величину тока коллектора при постоянном токе базы.

6. Сделать вывод о влиянии тока базы на величину тока коллектора при постоянном напряжении между коллектором и эмиттером.

5. Содержание отчета

1. Наименование и цель работы.

2. Схема экспериментальной установки.

3. Технические данные электроизмерительных приборов.

4. Таблицы экспериментальных данных.

5. Графики полученных зависимостей и результаты расчета h-параметров.

6. Выводы.

6. Контрольные вопросы

1. В чем состоит принцип действия транзистора?

2. Какими носителями образован ток эмиттера транзистора типа p - n - p?

3. Какими носителями образован ток базы транзистора типа p - n - p?

4. Какими носителями образован ток коллектора транзистора типа p - n - p?

5. Что такое коэффициент передачи тока эмиттера?

6. Что такое коэффициент передачи тока базы?

7. Запишите связь между коэффициентами передачи тока эмиттера и базы?

8. Назовите параметры транзистора и дайте их физическое толкование?

9. Что такое обратный ток коллектора I_ко, каковы причины его возникновения?

10. Как зависит величина концентрации неосновных носителей в полупроводнике от температуры?

11. Как меняется положение выходных характеристик транзистора при повышении температуры?

12. При каком включении транзистора влияние температуры на выходные характеристики сказывается наиболее сильно?

19