Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Применение аналоговых микросхем

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
16.84 Mб
Скачать

ностями ОУ (УВХ в режиме выборки), УВХ выполняют дополни­ тельную функцию — хранение аналогового сигнала. Полезным результатом работы УВХ является количество информации о входном сообщении, которое содержится в выходном сигнале к моменту начала хранения. Относительно конечного результата работы режим выборки (установление с заданной точностью од­ нозначной связи между входным и выходным сигналом) явля­ ется «паразитным», однако неизбежным вследствие несовершенст­ ва элементов и схемотехники УВХ. Именно поэтому основные параметры УВХ характеризуют режим выборки, а хранение опи­ сывают обычно только скоростью d изменения хранимого сигнала, т. е. скоростью потери полученной информации (см. § 8.3).

Статическую погрешность Дв выборки УВХ можно определить, используя выражение (8.23), а количество информации о входном сигнале, получаемой на выходе УВХ в режиме выборки, из выра­

жения (8.25) ПрИ 0с=Дв/£Л|Х=0в и /Пу = *в.

В режиме хранения за время tK часть выбранной информации AQx теряется из-за действия ошибки хранения Ax— dtx. Следова­ тельно, суммарное количество информации, получаемой за один цикл работы УВХ (выборка и хранение), равно Q = Q B—A Q x = = log2(ô+ÔB+lôx). При работе УВХ обычно выбирают /х с таким расчетом, чтобы AX<CAB. Поэтому предельные возможности УВХ полностью определяются его параметрами в режиме выборки. Поскольку характеристики ОУ и УВХ в режиме выборки совпа­ дают, то для расчета времени выборки /в и пропускной способно­ сти С/ УВХ можно воспользоваться выражениями (8.24) и (8.26),

заменив 6С на 6В. Рассчитанные

при аналогичных принятым для

ОУ исходных данных значения

Си Ав и Ап для микросхем УВХ

приведены в приложении 8.4.

 

Компараторы напряжения. Любое количество входной инфор­ мации компаратор преобразует в одно бинарное сообщение, опре­

деляемое на его выходе уровнями

напряжения лог.О или лог.1

в зависимости от того, больше или

меньше входной сигнал Î/BX

опорного U0„ (см. гл. 3). Погрешность преобразования входной информации компаратора определяется напряжением ошибки Дх,

выражение для

которой аналогично

(8.23) при Ки= 1

и исполь­

зовании замены

UBbiX— Ul—U°. При

| С/Вх—£/оп| = |£ош|

выходное

напряжение

равно логическому пороговому Unæ (U lU0) / 2. Ес­

ли разность

С/в=£/вх-£/оп лежит в диапазоне и в<\Е0ш\, то рав­

новероятны оба состояния на выходе компаратора.

 

Пусть бинарным элементам х\, хг

входного сообщения X соот­

ветствуют элементы ÿu У2 выходного сообщения У. Если уровни

напряжений Jci, *2 попадают в диапазон

± £ ош или

на вход ком­

паратора воздействуют помехи,

то однозначная связь между X

и У нарушается. Наибольшая

скорость

передачи

информации

в бинарном канале достигается при равенстве вероятностей р{у\\х2) =p{t/2\x\) =рл ошибочного приема входного сообщения.

-В этом случае пропускную способность компаратора как бинар­

ного канала можно найти из

выражения С<к= [ ( 1 —Pfl)log2/b-|-

+ (1—pa)log2(l—рлШ^пк, где

числитель определяет

количество

информации Q, получаемой от

компаратора. При

ря-*-0, Си-*-

->-1//пк и C/к—*-0, если рл->0,5.

Выражения для Ав и А„ у компаратора рассчитаны в гл. 3. Нетрудно показать, что в диапазоне ив= 2 ... 15 мВ величина А3 слабо зависит от UB. Поэтому при расчетах Ав для компараторов, у которых значение /пк нормируется при UB= 5 мВ, можно вос­ пользоваться выражением Ав= / вх(5 мВ+ЦСм)*пк. Рассчитанные величины Ав, А„ и Ct при Д7'=100°С для основных типов компа­ раторов приведены в приложении 8.4.

Информационно-энергетические показатели ЦАП и АЦП. Ко­ личество информации, получаемой от ЦАП (АЦП) в случае рав­ номерного закона распределения входной информации, равно их разрядности N. Величина N и время преобразования tn входной информации в выходную у любого ЦАП (АЦП) являются нор­ мированными параметрами. Поэтому величины Ct и Ап получа­ ются непосредственной подстановкой в (8.20), (8.22) значений tn,

N и Un, Iв

для ЦАП (АЦП) без промежуточных

(как в ОУ,

ком­

параторах

и УВХ) вычислений. Что касается Ав, то в ЦАП

этот

показатель

вырождается

в

суммарную энергию,

затрачиваемую

источником

информации

на

переключение его

входной логики

(энергия переключения). В АЦП величина Ав определяется соот­ ветствующим типом входного узла (обычно ОУ, УВХ или компа­ ратором), т. е. показателем использованной на входе аналоговой микросхемы, а не АЦП. Значения Ct и Ап, вычисленные для наи­ более перспективных типов отечественных и зарубежных полу­ проводниковых ЦАП и АЦП, приведены в табл. П8.4.

Для совместного рассмотрения данные в табл. П8.4 на все типы аналоговых микросхем размещены по времени их разработ­ ки и представлены в виде графиков (рис. 8.33). Последние демон­ стрируют динамику совершенствования АИС, выраженную в уменьшении их пороговой энергии и удельных энергоемкостей. Из анализа рис. 8.33 можно делать следующее заключение.

С момента начала разработок аналоговых микросхем увели­ чилась в 103 раз их чувствительность ко входной информации и уменьшились в 102 раз затраты энергии на ее получение. В раз­ личных типах аналоговых микросхем в разное время достигаются

одни и те же

предельные

значения пороговой энергии Авпя*

» 10-15 Дж/бит

и удельной

энергоемкости Апп~ 10-9 Дж/бит.

Лучшие типы компараторов и ОУ достигли этих значений соот­ ветственно в 1973 и 1975 гг., и в последующих разработках на­ блюдались в основном вариации между потребляемой мощностью и быстродействием при неизменных Ав и Ап- Несмотря на непре­ рывные усилия разработчиков ОУ и компараторов их последую­ щие успехи сводились к некоторому уменьшению погрешности

262

Рис. 8.33. Зависимости информационно-энергетических параметров аналоговых и аналого-цифровых микросхем

преобразования Дх в основном за счет совершенствования техно­ логии.

Наибольшее отставание по величинам Аъ и Лп, обеспечивае­ мым современным уровнем развития технологии АИС, наблюда­ ется в УВХ. По-видимому, это объясняется несовершенством тра­ диционной схемотехники УВХ. Имея Ав и Ап значительно больше предельных, УВХ будут продолжать совершенствоваться в основ­

ном схемотехнически, пока запас, обеспечиваемый технологией, не будет использован полностью.

Значительный прогресс был достигнут в области разработок ЦАП и АЦП, у которых величины Ct и Ап за 10 лет были улуч­ шены более чем на порядок. В последних разработках преобразо­ вателей предельные значения Ап уже практически достигнуты.

Что касается одновременного значительного (более чем на порядок) уменьшения достигнутых Авп и Апп в аналоговых мик­ росхемах общего применения, то для этого пока нет видимых технологических и схемотехнических предпосылок. Вместе с тем предельно достижимое значение Ав, определяемое уровнем тер­ модинамических флуктуаций, 3,5-10-20 Дж/бит, и, следовательно, проблема значительного уменьшения Авп ждет своего решения.

По-ВИДИМОМу, ЭТО ОТНОСИТСЯ И К Ann-

Из сказанного можно сделать вывод, что основные типы ана­ логовых микросхем общего применения к настоящему времени достигли предела совершенствования своего технического уровня, определенного в основном возможностями технологии их изготов­ ления при традиционной схемотехнике. Вследствие этого, а также благодаря массовому применению аналоговых микросхем в аппа­ ратуре интенсифицировалось второе направление их развития создание многофункциональных аналого-цифровых БИС (системы сбора данных, аналоговые процессоры). Именно в области проек­ тирования и применения этих структур целесообразно видеть наиболее плодотворные перспективы развития аналоговых мик­ росхем. Переход к обобщенным информационно-эиергётическим показателям качества аналоговых микросхем, аналогичным при­ нятым для цифровых микросхем, позволяет перейти к синтезу оптимальных структур многофункциональных блоков из однотип­ ных по параметрам аналоговых и цифровых микросхем, отлича­ ющихся только выполняемой функцией. То, что энергии Ав и Ап определяются всей совокупностью показателей точности, быстро­ действия и потребления, позволяет использовать Ав и Ап в каче­ стве целевых функций при оптимизации структур АИС с целью достижения в них предельных сочетаний точности, быстродействия и потребления для современного уровня развития микроэлектро­ ники.

Т а б л и ц а

П1Л. Типы ОУ, выпускаемых в странах — членах СЭВ,

 

и их аналоги

 

Тип

Назначение

Аналог

 

ЧССР

МАА501

С внешней коррекцией

МАА502

То же

МАА503

»

МАА504

»

МАА725

Прецизионный

МАА741

С внутренней коррекцией

МАА748

С внешней коррекцией

MA 1458

Сдвоенный

МАВ355

»

МАВ356

»

МАВ357

»

МАС155

С полевыми транзисторами

МАС156

То же

МАС157

»

 

ПНР

ULY7701

Общего применения

ULY7722

Сдвоеннный

ULY7724

Четыре ОУ в одном корпусе

ULY7741

С внешней коррекцией

ULY7748

С внутренней коррекцией

ULY7747

Сдвоенный

 

СРР

ROB74

С полевыми транзисторами на входе

ROB101

Общего применения

ROB115

Быстродействующий

ROB201A

Общего применения

ROB308

Прецизионный

ROB344

Четыре ОУ в одном корпусе

ROB702

Широкополосный

ЦА709А, цА709С Н.А709А, цА709С ЦА709А, ЦА709С ЦА709А, ЦА709С ЦА725 ЦА741

(J.A748

МС1458

LF355

LF356]

LF357

LF155

LF156

LF157

SFC2301ADC

TL022

TBD0124

ЦА741

цА748

SFC274ED

цА740

LM301A

цА715

LM201A

LM308

LM324

ЦА702

Тип

ROB709

ВМ108А

BM108AN

ВМ208А

BM208AN

ВМ358

ВМ2Я02

ROB3100

ROB3140

ROB8135

ТСА320

А109

B060D

B061D

B062D

B064D

B066D

B080D

B081D

B082D

B083D

B084D

В165Н

B165V

BI76D

B177D

B611D

B615D

B621D

B625D

B631D

B635D

К140УД1

К140УД2

К140УД5

К140УД6

К140УД7

А140УД8

К140УД9

Назначение

Аналог

Общего применения

ЦА709

Прецизионный

LM103A

»

Ш108А

»

LM108A

»

Ш108А

Сдвоенный

LM358

Четыре ОУ в одном корпусе

LM2902

Быстродействующий

LM318

ОУ на полевых транзисторах

LF355

Сдвоенный

Микромошный

ТСА520

ГДР

ЦА709

Общего применения

На биполярных и полевых транзисторах (БПТ)

TL060

То же

TL061

Сдвоенный на БПТ с внешней коррекцией

TL062

Четыре ОУ на БПТ

TL064

На БПТ с внешней коррекцией

TI-066

То же

TL080

На БПТ

TL081

Сдвоенный на БПТ

TL082

Сдвоенный на БПТ с внешней коррекцией

TL083

Четыре ОУ на БПТ

TL084

Большой мощности

L165H

То же

L165V

Программируемый

ЦА776

»

(J.A776

Общего применения

ТСA311

То же

ТСА315А

TCA32I

»

»

ТСА825А

»

ТСА331

»

ТСА355А

СССР

цА702

Широкополосный

Общего применения

САЗОЗЗ

Широкополосный

(J.A702

С малыми входными токами

МС1456

Общего применения

(J.A74I

С высоким входным сопротивлением

ЦА740

То же

цА740

Тип

Назначение

Аналог

К140УД11

К140УД12

К140УД13

К140УД14

К140УК17

К140УД18

К140УД20

К153УД5

К153УД6

К154УД1

К154УД2

К154УДЗ

К154УД4

К157УД1

К157УД2

К544УД1

К544УД2

К551УД1А

К551УД1Б

К551УД2А

К551УД2Б

К553УД1

К553УД2

IUO001

IUO108

IUO201

IUO208

IUO301

IUO308

IU0592

IUO709

IU0741

IU0748

А709

A74I

А747

А748

Быстродействующий

LM318H

Программируемый

(J.A776

С модулятором—демодулятором

LM118

Прецизионный

LM108

»

ОР-7

Быстродействующий

LF355

Сдвоенный

рА747

Прецизионный

(J.A725

Общего применения

LM10IA

Быстродействующий с малой потребляемой мощ­

НА2700

ностью

 

Быстродействующий

НА2530

У>

AD509

Широкополосный

НА2520

Общего применения

ЦА709

Сдвоенный

(J.A749

С полевыми транзисторами на входе

' Н-А740

То же

СА3130

Общего применения

М709

То же

ЦА709

Сдвоенный

ТВА931

»

ТВА931

Общего применения

ЦА709

То же

Ш101

НРБ

 

Общего применения

Ш101

Прецизионный

Ш108

Общего применения

LM201

Прецизионньр!

LM208

Общего применения

LM301

Прецизионный

LM308

Общего применения

NE592

То же

(J.A709

С внутренней коррекцией

(J.A741

С внешней коррекцией

(J.A748

ВНР

 

Общего применения

(J.A709

То же

1*А741

Сдвоенный

Ц.А747

С внутренней коррекцией

Н-А748

Параметр

 

МЛА501,

 

МАА502

Напряжение питания,

В

± 1 8

Входное напряжение,

В:

 

дифференциальное

 

± 5

синфазное

 

 

± 1 0

Рассеиваемая

мощность,

300

мВт

 

 

 

Длительность!

короткого

5

замыкания на выходе,

с

 

Диапазон рабочих темпе-

—5 5 ...

тур, °С

 

 

. . . + 125

МААБОЗ.

МЛА504

±1 8

±5

±1 0

250

5

0 ...7 0

МАА725*.

МАА725Н*.

MAA74I.

МАА741С\

 

МАС15Б,

МАВ355,

МАА725В**. MAA725J**.

МАА748С**,

МА1458

MAA725G*** МАА725К***

МАА748

MAA7418CN***

МАС156

MAB35G

± ( 3 ... 2 2 )

± (3 ...1 5 ) +

(3 ...2 2 )

± (3 .:.1 8 )

± 1 8

± 2 0

± 1 8

+ 22

± 1 5

± 3 0

± 3 0

± 2 0

± 1 3

± 1 5

± 1 5

500

500

500

500*

 

 

 

500**

 

 

 

310***

X

X

X

X

—5 5 ...

— 5 5 ...

- 5 5 . . .

0 ...7 0

.. . + 125*

.. . + 125*

. . , + 125

 

—2 0 ...

—2 0 ...

 

 

...+ 8 5 * *

.. .+ 85**

 

 

0 ...7 0 * “*

0 ...70***

 

 

± 3 0

 

± 4

0

± 3 0

 

± 1 5

 

± 2

0

± 1 6

 

400

670

570

X

 

X

X

 

0 ...7

0

- 5 5 . . .

0 ...7

0

 

 

. . . +

125

 

 

Ток потребления, мА

2,7

2,7

1,2

1,2

2

2

2

П р и м е ч а й и я. 1. X —здесь и далее длительность не ограничена вследствие встроенной защиты.

2. Здесь и далее значения параметров, не отмеченные знаком *, относятся ко всем типам микросхем данной колонки.

 

 

 

 

 

 

 

 

-•

 

•*

É

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

. *

* *

* *

б б

CO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* га

MAC155.

MAB355,

 

 

 

 

 

 

§

MAA503S

Ющ

Й10

—■OÛ

 

 

MAC15G,

MAB356,

 

Параметр

 

MAA50I

СМсм

тг

SS

Г- t"

 

 

 

из

МАА504”

t"~г>»

 

Is» h-

<

MAC157

MAB357

 

 

 

 

 

 

<

«

S 3

5 2

«

«

 

 

 

 

 

 

 

 

<<

<<

<<

<

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£ £

s a

s s

 

%

 

 

Напряжение смещения,

6

3

2*

1,5*

3,5

2*

7,5

7,5

6

7

13

мВ

 

 

 

дрейф

3

1.8

7,5**

2,5**

4

6**

10

10

 

5

5

Температурный

 

1.2

10

 

напряжения смещения,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мкВ/°С

входных то-

20

3,5

1,2*

5*

5*

300

300

20

2

Разность

ков,

нЛ

 

 

дрейф

0,08

20**

35**

200**

0,16*

0,16*

 

 

 

Температурный

0,042

0,09

0,16*

 

 

 

разности

входных то­

 

 

 

 

 

0,08** 0,08** 0,08**

 

 

 

ков,

нА/°С

мкА

0,5

0,3

 

0,045

0,25

0,08*

0,08*

0,3

0,2

0,05

0,008

Входной ток,

 

 

 

 

 

(20

(15...

 

 

0,5**

0,5**

15-I0a 25-103

25*103

15-103

Коэффициент усиления

2.5-106 1,25*108 25 103

15-103

по напряжению

 

...7 0 )103

по

...4 5 )*103

100

115

90*

90*

90*

70

85

80

Коэффициент

ослабле­

90

90*

ния

синфазных

сигна­

 

 

65**

 

 

70**

70**

70**

 

 

 

лов,

дБ

 

влияния

25

40

25*

20

20

30*

30*

30*

96

100

100

Коэффициент

нестабильности

источ­

 

 

200**

 

 

150**

150**

150**

 

 

 

ника питания,

мкВ/В

100

170

250

1,5*103

1,5-103

 

3

M 0 a

MO3

1 10ia|| 4 пф 1 10ia II 4 пф

Входное

сопротивле­

 

ние,

кОм

 

 

мощ­

63

83

85

90

85

85

85

Потребляемая

 

ность, мВт

 

 

0,3

0,3

0,3

0,5*

0,5* '

0,5*

50

50

Скорость

нарастания

 

 

£**

6**

6**

 

 

 

выходного напряже­

 

 

 

 

 

О

 

 

 

ния,

В/мкс

 

 

 

150

150

60

60

60

 

Выходное

сопротивле­

 

ние,

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

ГЦ.4. Параметры ОУ типов МАС155, МАС156, MACI57

 

 

и МАВ355, МАВ356, МАВ357

 

 

 

 

Параметр

 

Значение

 

Примечание

 

Диапазон выходных напряжений, В

— 12 ...+ 12

Ra =

Ю кОм

 

 

 

 

 

—1 0 ...+ 10

/?„ =

2 кОм

 

Граничная частота,

Мгц:

 

 

 

* у =

1

 

 

 

3

 

 

 

 

 

МАС155, МАВ355

 

 

 

 

 

 

 

MAC156, МАВ356

 

 

5

 

 

 

 

 

MACI57, МАВ357

мкс;

 

20

 

Д=0,01»/о; Uex =

10 В

Время установления,

 

 

 

МАС155, МАС355

 

 

4

 

Кц — —1

 

МАС156, МАВ356

 

 

Ь 5

 

Ки = -

1

 

MACI57, МАВ357

 

 

1.5

 

Ку =

- 5

 

Напряжение шумов,

приведенных ко

5

 

RT= 100 Ом; f =

 

входу, мкВ

 

 

 

 

 

= 0 ,1

Гц.,.10 кГц

Т а б л и ц а

П1.5. Расположение выводов ОУ, выпускаемых в ЧССР

 

 

 

 

Номер вывода

 

 

 

Наименование вывода

МАА501.

МАА503

МАА725

МАА741

МАА748

МАС155,

МАА1458

 

 

МАА502.

МАВ355

 

 

MAА504

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение питания

Частотная коррекция: внутренняя

внешняя

Вход:

инвертирующий неинвертирующий

Выход

Компенсация напря­ жения смещения

+

1

1, 8 5

3

2

6

+ 1 1 ; - 6 + 7 ; - 4 + 7 ; - 4 + 7 ; - 4 + 7 ; —4 + 8; —4

3, 12

1.

8

9

5

5

3

3

3

3

3

4

2

2

2

 

2

2

10

6

6

6

 

6

I

1. 8

1. 5

1.

5

1, 5

г -

Т а б л и ц а

П1.6. Параметры ОУ, выпускаемых в ГДР

 

Параметр

B060D» B061D,

B080D, B081D»

В165Н, BI65V

B176D, B177D

B062D, B064D,

B082D, B083D.

 

B056D

B0&4D

 

 

Напряжение питания,

±18

± 1 8

± 18

± 1 8

пD

 

 

 

 

Входное напряжение,

 

 

 

 

В:

 

 

 

 

дифференциальное

± 3 0

±30

±18

± 30

синфазное

± 15

—1 5 ...+ 3 0

± 30

Соседние файлы в папке книги