книги / Применение аналоговых микросхем
..pdfностями ОУ (УВХ в режиме выборки), УВХ выполняют дополни тельную функцию — хранение аналогового сигнала. Полезным результатом работы УВХ является количество информации о входном сообщении, которое содержится в выходном сигнале к моменту начала хранения. Относительно конечного результата работы режим выборки (установление с заданной точностью од нозначной связи между входным и выходным сигналом) явля ется «паразитным», однако неизбежным вследствие несовершенст ва элементов и схемотехники УВХ. Именно поэтому основные параметры УВХ характеризуют режим выборки, а хранение опи сывают обычно только скоростью d изменения хранимого сигнала, т. е. скоростью потери полученной информации (см. § 8.3).
Статическую погрешность Дв выборки УВХ можно определить, используя выражение (8.23), а количество информации о входном сигнале, получаемой на выходе УВХ в режиме выборки, из выра
жения (8.25) ПрИ 0с=Дв/£Л|Х=0в и /Пу = *в.
В режиме хранения за время tK часть выбранной информации AQx теряется из-за действия ошибки хранения Ax— dtx. Следова тельно, суммарное количество информации, получаемой за один цикл работы УВХ (выборка и хранение), равно Q = Q B—A Q x = = log2(ô+ÔB+lôx). При работе УВХ обычно выбирают /х с таким расчетом, чтобы AX<CAB. Поэтому предельные возможности УВХ полностью определяются его параметрами в режиме выборки. Поскольку характеристики ОУ и УВХ в режиме выборки совпа дают, то для расчета времени выборки /в и пропускной способно сти С/ УВХ можно воспользоваться выражениями (8.24) и (8.26),
заменив 6С на 6В. Рассчитанные |
при аналогичных принятым для |
ОУ исходных данных значения |
Си Ав и Ап для микросхем УВХ |
приведены в приложении 8.4. |
|
Компараторы напряжения. Любое количество входной инфор мации компаратор преобразует в одно бинарное сообщение, опре
деляемое на его выходе уровнями |
напряжения лог.О или лог.1 |
в зависимости от того, больше или |
меньше входной сигнал Î/BX |
опорного U0„ (см. гл. 3). Погрешность преобразования входной информации компаратора определяется напряжением ошибки Дх,
выражение для |
которой аналогично |
(8.23) при Ки= 1 |
и исполь |
|
зовании замены |
UBbiX— Ul—U°. При |
| С/Вх—£/оп| = |£ош| |
выходное |
|
напряжение |
равно логическому пороговому Unæ (U l—U0) / 2. Ес |
|||
ли разность |
С/в=£/вх-£/оп лежит в диапазоне и в<\Е0ш\, то рав |
|||
новероятны оба состояния на выходе компаратора. |
|
|||
Пусть бинарным элементам х\, хг |
входного сообщения X соот |
ветствуют элементы ÿu У2 выходного сообщения У. Если уровни
напряжений Jci, *2 попадают в диапазон |
± £ ош или |
на вход ком |
|
паратора воздействуют помехи, |
то однозначная связь между X |
||
и У нарушается. Наибольшая |
скорость |
передачи |
информации |
в бинарном канале достигается при равенстве вероятностей р{у\\х2) =p{t/2\x\) =рл ошибочного приема входного сообщения.
-В этом случае пропускную способность компаратора как бинар
ного канала можно найти из |
выражения С<к= [ ( 1 —Pfl)log2/b-|- |
|
+ (1—pa)log2(l—рлШ^пк, где |
числитель определяет |
количество |
информации Q, получаемой от |
компаратора. При |
ря-*-0, Си-*- |
->-1//пк и C/к—*-0, если рл->0,5.
Выражения для Ав и А„ у компаратора рассчитаны в гл. 3. Нетрудно показать, что в диапазоне ив= 2 ... 15 мВ величина А3 слабо зависит от UB. Поэтому при расчетах Ав для компараторов, у которых значение /пк нормируется при UB= 5 мВ, можно вос пользоваться выражением Ав= / вх(5 мВ+ЦСм)*пк. Рассчитанные величины Ав, А„ и Ct при Д7'=100°С для основных типов компа раторов приведены в приложении 8.4.
Информационно-энергетические показатели ЦАП и АЦП. Ко личество информации, получаемой от ЦАП (АЦП) в случае рав номерного закона распределения входной информации, равно их разрядности N. Величина N и время преобразования tn входной информации в выходную у любого ЦАП (АЦП) являются нор мированными параметрами. Поэтому величины Ct и Ап получа ются непосредственной подстановкой в (8.20), (8.22) значений tn,
N и Un, Iв |
для ЦАП (АЦП) без промежуточных |
(как в ОУ, |
ком |
||
параторах |
и УВХ) вычислений. Что касается Ав, то в ЦАП |
этот |
|||
показатель |
вырождается |
в |
суммарную энергию, |
затрачиваемую |
|
источником |
информации |
на |
переключение его |
входной логики |
(энергия переключения). В АЦП величина Ав определяется соот ветствующим типом входного узла (обычно ОУ, УВХ или компа ратором), т. е. показателем использованной на входе аналоговой микросхемы, а не АЦП. Значения Ct и Ап, вычисленные для наи более перспективных типов отечественных и зарубежных полу проводниковых ЦАП и АЦП, приведены в табл. П8.4.
Для совместного рассмотрения данные в табл. П8.4 на все типы аналоговых микросхем размещены по времени их разработ ки и представлены в виде графиков (рис. 8.33). Последние демон стрируют динамику совершенствования АИС, выраженную в уменьшении их пороговой энергии и удельных энергоемкостей. Из анализа рис. 8.33 можно делать следующее заключение.
С момента начала разработок аналоговых микросхем увели чилась в 103 раз их чувствительность ко входной информации и уменьшились в 102 раз затраты энергии на ее получение. В раз личных типах аналоговых микросхем в разное время достигаются
одни и те же |
предельные |
значения пороговой энергии Авпя* |
» 10-15 Дж/бит |
и удельной |
энергоемкости Апп~ 10-9 Дж/бит. |
Лучшие типы компараторов и ОУ достигли этих значений соот ветственно в 1973 и 1975 гг., и в последующих разработках на блюдались в основном вариации между потребляемой мощностью и быстродействием при неизменных Ав и Ап- Несмотря на непре рывные усилия разработчиков ОУ и компараторов их последую щие успехи сводились к некоторому уменьшению погрешности
262
Рис. 8.33. Зависимости информационно-энергетических параметров аналоговых и аналого-цифровых микросхем
преобразования Дх в основном за счет совершенствования техно логии.
Наибольшее отставание по величинам Аъ и Лп, обеспечивае мым современным уровнем развития технологии АИС, наблюда ется в УВХ. По-видимому, это объясняется несовершенством тра диционной схемотехники УВХ. Имея Ав и Ап значительно больше предельных, УВХ будут продолжать совершенствоваться в основ
ном схемотехнически, пока запас, обеспечиваемый технологией, не будет использован полностью.
Значительный прогресс был достигнут в области разработок ЦАП и АЦП, у которых величины Ct и Ап за 10 лет были улуч шены более чем на порядок. В последних разработках преобразо вателей предельные значения Ап уже практически достигнуты.
Что касается одновременного значительного (более чем на порядок) уменьшения достигнутых Авп и Апп в аналоговых мик росхемах общего применения, то для этого пока нет видимых технологических и схемотехнических предпосылок. Вместе с тем предельно достижимое значение Ав, определяемое уровнем тер модинамических флуктуаций, 3,5-10-20 Дж/бит, и, следовательно, проблема значительного уменьшения Авп ждет своего решения.
По-ВИДИМОМу, ЭТО ОТНОСИТСЯ И К Ann-
Из сказанного можно сделать вывод, что основные типы ана логовых микросхем общего применения к настоящему времени достигли предела совершенствования своего технического уровня, определенного в основном возможностями технологии их изготов ления при традиционной схемотехнике. Вследствие этого, а также благодаря массовому применению аналоговых микросхем в аппа ратуре интенсифицировалось второе направление их развития создание многофункциональных аналого-цифровых БИС (системы сбора данных, аналоговые процессоры). Именно в области проек тирования и применения этих структур целесообразно видеть наиболее плодотворные перспективы развития аналоговых мик росхем. Переход к обобщенным информационно-эиергётическим показателям качества аналоговых микросхем, аналогичным при нятым для цифровых микросхем, позволяет перейти к синтезу оптимальных структур многофункциональных блоков из однотип ных по параметрам аналоговых и цифровых микросхем, отлича ющихся только выполняемой функцией. То, что энергии Ав и Ап определяются всей совокупностью показателей точности, быстро действия и потребления, позволяет использовать Ав и Ап в каче стве целевых функций при оптимизации структур АИС с целью достижения в них предельных сочетаний точности, быстродействия и потребления для современного уровня развития микроэлектро ники.
Т а б л и ц а |
П1Л. Типы ОУ, выпускаемых в странах — членах СЭВ, |
|
|
и их аналоги |
|
Тип |
Назначение |
Аналог |
|
ЧССР |
МАА501 |
С внешней коррекцией |
МАА502 |
То же |
МАА503 |
» |
МАА504 |
» |
МАА725 |
Прецизионный |
МАА741 |
С внутренней коррекцией |
МАА748 |
С внешней коррекцией |
MA 1458 |
Сдвоенный |
МАВ355 |
» |
МАВ356 |
» |
МАВ357 |
» |
МАС155 |
С полевыми транзисторами |
МАС156 |
То же |
МАС157 |
» |
|
ПНР |
ULY7701 |
Общего применения |
ULY7722 |
Сдвоеннный |
ULY7724 |
Четыре ОУ в одном корпусе |
ULY7741 |
С внешней коррекцией |
ULY7748 |
С внутренней коррекцией |
ULY7747 |
Сдвоенный |
|
СРР |
ROB74 |
С полевыми транзисторами на входе |
ROB101 |
Общего применения |
ROB115 |
Быстродействующий |
ROB201A |
Общего применения |
ROB308 |
Прецизионный |
ROB344 |
Четыре ОУ в одном корпусе |
ROB702 |
Широкополосный |
ЦА709А, цА709С Н.А709А, цА709С ЦА709А, ЦА709С ЦА709А, ЦА709С ЦА725 ЦА741
(J.A748
МС1458
LF355
LF356]
LF357
LF155
LF156
LF157
SFC2301ADC
TL022
TBD0124
ЦА741
цА748
SFC274ED
цА740
LM301A
цА715
LM201A
LM308
LM324
ЦА702
Тип
ROB709
ВМ108А
BM108AN
ВМ208А
BM208AN
ВМ358
ВМ2Я02
ROB3100
ROB3140
ROB8135
ТСА320
А109
B060D
B061D
B062D
B064D
B066D
B080D
B081D
B082D
B083D
B084D
В165Н
B165V
BI76D
B177D
B611D
B615D
B621D
B625D
B631D
B635D
К140УД1
К140УД2
К140УД5
К140УД6
К140УД7
А140УД8
К140УД9
Назначение |
Аналог |
|
Общего применения |
ЦА709 |
|
Прецизионный |
LM103A |
|
» |
Ш108А |
|
» |
LM108A |
|
» |
Ш108А |
|
Сдвоенный |
LM358 |
|
Четыре ОУ в одном корпусе |
LM2902 |
|
Быстродействующий |
LM318 |
|
ОУ на полевых транзисторах |
LF355 |
|
Сдвоенный |
— |
|
Микромошный |
ТСА520 |
|
ГДР |
ЦА709 |
|
Общего применения |
||
На биполярных и полевых транзисторах (БПТ) |
TL060 |
|
То же |
TL061 |
|
Сдвоенный на БПТ с внешней коррекцией |
TL062 |
|
Четыре ОУ на БПТ |
TL064 |
|
На БПТ с внешней коррекцией |
TI-066 |
|
То же |
TL080 |
|
На БПТ |
TL081 |
|
Сдвоенный на БПТ |
TL082 |
|
Сдвоенный на БПТ с внешней коррекцией |
TL083 |
|
Четыре ОУ на БПТ |
TL084 |
|
Большой мощности |
L165H |
|
То же |
L165V |
|
Программируемый |
ЦА776 |
|
» |
(J.A776 |
|
Общего применения |
ТСA311 |
|
То же |
ТСА315А |
|
TCA32I |
||
» |
||
» |
ТСА825А |
|
» |
ТСА331 |
|
» |
ТСА355А |
|
СССР |
цА702 |
|
Широкополосный |
||
Общего применения |
САЗОЗЗ |
|
Широкополосный |
(J.A702 |
|
С малыми входными токами |
МС1456 |
|
Общего применения |
(J.A74I |
|
С высоким входным сопротивлением |
ЦА740 |
|
То же |
цА740 |
Тип |
Назначение |
Аналог |
К140УД11
К140УД12
К140УД13
К140УД14
К140УК17
К140УД18
К140УД20
К153УД5
К153УД6
К154УД1
К154УД2
К154УДЗ
К154УД4
К157УД1
К157УД2
К544УД1
К544УД2
К551УД1А
К551УД1Б
К551УД2А
К551УД2Б
К553УД1
К553УД2
IUO001
IUO108
IUO201
IUO208
IUO301
IUO308
IU0592
IUO709
IU0741
IU0748
А709
A74I
А747
А748
Быстродействующий |
LM318H |
Программируемый |
(J.A776 |
С модулятором—демодулятором |
LM118 |
Прецизионный |
LM108 |
» |
ОР-7 |
Быстродействующий |
LF355 |
Сдвоенный |
рА747 |
Прецизионный |
(J.A725 |
Общего применения |
LM10IA |
Быстродействующий с малой потребляемой мощ |
НА2700 |
ностью |
|
Быстродействующий |
НА2530 |
У> |
AD509 |
Широкополосный |
НА2520 |
Общего применения |
ЦА709 |
Сдвоенный |
(J.A749 |
С полевыми транзисторами на входе |
' Н-А740 |
То же |
СА3130 |
Общего применения |
М709 |
То же |
ЦА709 |
Сдвоенный |
ТВА931 |
» |
ТВА931 |
Общего применения |
ЦА709 |
То же |
Ш101 |
НРБ |
|
Общего применения |
Ш101 |
Прецизионный |
Ш108 |
Общего применения |
LM201 |
Прецизионньр! |
LM208 |
Общего применения |
LM301 |
Прецизионный |
LM308 |
Общего применения |
NE592 |
То же |
(J.A709 |
С внутренней коррекцией |
(J.A741 |
С внешней коррекцией |
(J.A748 |
ВНР |
|
Общего применения |
(J.A709 |
То же |
1*А741 |
Сдвоенный |
Ц.А747 |
С внутренней коррекцией |
Н-А748 |
Параметр |
|
МЛА501, |
|
|
МАА502 |
||
Напряжение питания, |
В |
± 1 8 |
|
Входное напряжение, |
В: |
|
|
дифференциальное |
|
± 5 |
|
синфазное |
|
|
± 1 0 |
Рассеиваемая |
мощность, |
300 |
|
мВт |
|
|
|
Длительность! |
короткого |
5 |
|
замыкания на выходе, |
с |
|
|
Диапазон рабочих темпе- |
—5 5 ... |
||
тур, °С |
|
|
. . . + 125 |
МААБОЗ.
МЛА504
±1 8
±5
±1 0
250
5
0 ...7 0
МАА725*. |
МАА725Н*. |
MAA74I. |
МАА741С\ |
|
МАС15Б, |
МАВ355, |
МАА725В**. MAA725J**. |
МАА748С**, |
МА1458 |
||||
MAA725G*** МАА725К*** |
МАА748 |
MAA7418CN*** |
МАС156 |
MAB35G |
||
± ( 3 ... 2 2 ) |
± (3 ...1 5 ) + |
(3 ...2 2 ) |
± (3 .:.1 8 ) |
± 1 8 |
± 2 0 |
± 1 8 |
+ 22 |
± 1 5 |
± 3 0 |
± 3 0 |
± 2 0 |
± 1 3 |
± 1 5 |
± 1 5 |
500 |
500 |
500 |
500* |
|
|
|
500** |
|
|
|
310*** |
X |
X |
X |
X |
—5 5 ... |
— 5 5 ... |
- 5 5 . . . |
0 ...7 0 |
.. . + 125* |
.. . + 125* |
. . , + 125 |
|
—2 0 ... |
—2 0 ... |
|
|
...+ 8 5 * * |
.. .+ 85** |
|
|
0 ...7 0 * “* |
0 ...70*** |
|
|
± 3 0 |
|
± 4 |
0 |
± 3 0 |
|
± 1 5 |
|
± 2 |
0 |
± 1 6 |
|
400 |
670 |
570 |
|||
X |
|
X |
X |
|
|
0 ...7 |
0 |
- 5 5 . . . |
0 ...7 |
0 |
|
|
|
. . . + |
125 |
|
|
Ток потребления, мА |
2,7 |
2,7 |
— |
— |
1,2 |
1,2 |
2 |
2 |
2 |
П р и м е ч а й и я. 1. X —здесь и далее длительность не ограничена вследствие встроенной защиты.
2. Здесь и далее значения параметров, не отмеченные знаком *, относятся ко всем типам микросхем данной колонки.
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
-• |
|
•* |
É |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. * |
* * |
* * |
б б |
CO |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
* га |
MAC155. |
MAB355, |
||||||
|
|
|
|
|
|
§ |
MAA503S |
Ющ |
Й10 |
—■OÛ |
|
|
MAC15G, |
MAB356, |
||
|
Параметр |
|
MAA50I |
СМсм |
тг |
SS |
Г- t" |
|
||||||||
|
|
из |
МАА504” |
t"~г>» |
|
Is» h- |
< |
MAC157 |
MAB357 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
< |
« |
S 3 |
5 2 |
« |
« |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
<< |
<< |
<< |
< |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
£ £ |
s a |
s s |
|
% |
|
|
|
Напряжение смещения, |
6 |
3 |
2* |
1,5* |
3,5 |
2* |
7,5 |
7,5 |
6 |
7 |
13 |
|||||
мВ |
|
|
|
дрейф |
3 |
1.8 |
7,5** |
2,5** |
4 |
6** |
10 |
10 |
|
5 |
5 |
|
Температурный |
|
1.2 |
10 |
|
||||||||||||
напряжения смещения, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
мкВ/°С |
входных то- |
20 |
3,5 |
— |
1,2* |
5* |
5* |
— |
300 |
300 |
20 |
2 |
||||
Разность |
||||||||||||||||
ков, |
нЛ |
|
|
дрейф |
— |
0,08 |
— |
20** |
35** |
200** |
0,16* |
0,16* |
|
|
|
|
Температурный |
0,042 |
0,09 |
0,16* |
|
|
|
||||||||||
разности |
входных то |
|
|
|
|
|
0,08** 0,08** 0,08** |
|
|
|
||||||
ков, |
нА/°С |
мкА |
0,5 |
0,3 |
|
0,045 |
0,25 |
0,08* |
0,08* |
0,3 |
0,2 |
0,05 |
0,008 |
|||
Входной ток, |
— |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
(20 |
— |
(15... |
|
|
0,5** |
0,5** |
15-I0a 25-103 |
25*103 |
15-103 |
||
Коэффициент усиления |
2.5-106 1,25*108 25 • 103 |
15-103 |
||||||||||||||
по напряжению |
|
...7 0 )•103 |
по |
...4 5 )*103 |
100 |
115 |
90* |
90* |
90* |
70 |
85 |
80 |
||||
Коэффициент |
ослабле |
90 |
90* |
|||||||||||||
ния |
синфазных |
сигна |
|
|
65** |
|
|
70** |
70** |
70** |
|
|
|
|||
лов, |
дБ |
|
влияния |
25 |
40 |
25* |
20 |
20 |
30* |
30* |
30* |
96 |
100 |
100 |
||
Коэффициент |
||||||||||||||||
нестабильности |
источ |
|
|
200** |
|
|
150** |
150** |
150** |
|
|
|
||||
ника питания, |
мкВ/В |
100 |
170 |
250 |
1,5*103 |
1,5-103 |
|
3 |
M 0 a |
MO3 |
1 • 10ia|| 4 пф 1 • 10ia II 4 пф |
|||||
Входное |
сопротивле |
|
||||||||||||||
ние, |
кОм |
|
|
мощ |
— |
63 |
83 |
85 |
90 |
85 |
85 |
85 |
— |
— |
— |
|
Потребляемая |
|
|||||||||||||||
ность, мВт |
|
|
0,3 |
0,3 |
0,3 |
— |
— |
0,5* |
0,5* ' |
0,5* |
— |
50 |
50 |
|||
Скорость |
нарастания |
|||||||||||||||
|
|
£** |
6** |
6** |
|
|
|
|||||||||
выходного напряже |
|
|
|
|
|
О |
|
|
|
|||||||
ния, |
В/мкс |
|
|
|
— |
— |
150 |
150 |
60 |
60 |
60 |
— |
|
— |
||
Выходное |
сопротивле |
— |
|
|||||||||||||
ние, |
Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
ГЦ.4. Параметры ОУ типов МАС155, МАС156, MACI57 |
||||||||
|
|
и МАВ355, МАВ356, МАВ357 |
|
|
|
|
|||
Параметр |
|
Значение |
|
Примечание |
|
||||
Диапазон выходных напряжений, В |
— 12 ...+ 12 |
Ra = |
Ю кОм |
|
|||||
|
|
|
|
—1 0 ...+ 10 |
/?„ = |
2 кОм |
|
||
Граничная частота, |
Мгц: |
|
|
|
* у = |
1 |
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|||
МАС155, МАВ355 |
|
|
|
|
|
|
|
||
MAC156, МАВ356 |
|
|
5 |
|
|
|
|
|
|
MACI57, МАВ357 |
мкс; |
|
20 |
|
Д=0,01»/о; Uex = |
10 В |
|||
Время установления, |
|
|
|
||||||
МАС155, МАС355 |
|
|
4 |
|
Кц — —1 |
|
|||
МАС156, МАВ356 |
|
|
Ь 5 |
|
Ки = - |
1 |
|
||
MACI57, МАВ357 |
|
|
1.5 |
|
Ку = |
- 5 |
|
||
Напряжение шумов, |
приведенных ко |
5 |
|
RT= 100 Ом; f = |
|
||||
входу, мкВ |
|
|
|
|
|
= 0 ,1 |
Гц.,.10 кГц |
||
Т а б л и ц а |
П1.5. Расположение выводов ОУ, выпускаемых в ЧССР |
||||||||
|
|
|
|
Номер вывода |
|
|
|
||
Наименование вывода |
МАА501. |
МАА503 |
МАА725 |
МАА741 |
МАА748 |
МАС155, |
МАА1458 |
||
|
|
МАА502. |
МАВ355 |
||||||
|
|
MAА504 |
|
|
|
|
|
|
|
Напряжение питания
Частотная коррекция: внутренняя
внешняя
Вход:
инвертирующий неинвертирующий
Выход
Компенсация напря жения смещения
+ |
1 |
1, 8 5
3
2
6
—
+ 1 1 ; - 6 + 7 ; - 4 + 7 ; - 4 + 7 ; - 4 + 7 ; —4 + 8; —4
3, 12 |
— |
— |
1. |
8 |
— |
— |
9 |
5 |
— |
— |
— |
— |
|
5 |
3 |
3 |
3 |
3 |
3 |
|
4 |
2 |
2 |
2 |
|
2 |
2 |
10 |
6 |
6 |
6 |
|
6 |
I |
— |
1. 8 |
1. 5 |
1. |
5 |
1, 5 |
г - |
Т а б л и ц а |
П1.6. Параметры ОУ, выпускаемых в ГДР |
|
||
Параметр |
B060D» B061D, |
B080D, B081D» |
В165Н, BI65V |
B176D, B177D |
B062D, B064D, |
B082D, B083D. |
|||
|
B056D |
B0&4D |
|
|
Напряжение питания, |
±18 |
± 1 8 |
± 18 |
± 1 8 |
пD |
|
|
|
|
Входное напряжение, |
|
|
|
|
В: |
|
|
|
|
дифференциальное |
± 3 0 |
±30 |
±18 |
± 30 |
синфазное |
± 15 |
—1 5 ...+ 3 0 |
± 30 |